技術總結
本發(fā)明涉及抗輻射PIP型ONO反熔絲結構及CMOS工藝集成法，ONO反熔絲結構制作在場區(qū)之上；由下至上包括反熔絲下極板、反熔絲孔腐蝕掩蔽層、ONO反熔絲介質層、反熔絲上極板，反熔絲下極板為N型飽和摻雜的非晶硅薄膜，覆蓋于場區(qū)上，反熔絲下極板的側壁采用SPACER保護，反熔絲下極板的正上方設置貫通反熔絲孔腐蝕掩蔽層的反熔絲孔，反熔絲孔腐蝕掩蔽層覆蓋于有源區(qū)、反熔絲下極板上，ONO反熔絲介質層覆蓋于反熔絲孔腐蝕掩蔽層上，并填充在反熔絲孔內，反熔絲上極板是N型飽和摻雜的多晶硅薄膜。本發(fā)明能提升ONO反熔絲結構的單元抗輻射性能，縮小集成單元面積，優(yōu)化ONO反熔絲結構設計，提高ONO反熔絲工藝的集成度。

技術研發(fā)人員：劉國柱;洪根深;趙文斌;吳建偉;朱少立;徐靜;劉佰清
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第五十八研究所
文檔號碼：201610841682
技術研發(fā)日：2016.09.22
技術公布日：2016.11.30