本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種處理帶ESD的溝槽型MOSFET加工方法。

背景技術(shù)：

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同，可分為“N型”與“P型”的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

和普通MOSFET相比，帶ESD的溝槽型MOSFET由于植入了ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，使其抗ESD能力相比普通MOSFET顯著提高。

帶ESD的Trench MOSFET產(chǎn)品，在ESD多晶硅下方要生長厚場氧。傳統(tǒng)方法是trench形成前增加一層光刻，采用LOCOS(硅的選擇氧化)工藝生長厚場氧，生長厚場氧，它以氮化硅為掩膜實(shí)現(xiàn)了硅的選擇氧化，在這種工藝中，除了形成有源晶體管的區(qū)域以外，在其它所有重?fù)诫s硅區(qū)上均生長一層厚的氧化層，稱為隔離或場氧化層。該方法具體步驟為：

步驟一，在硅襯底上淀積一層氧化硅，再淀積一層氮化硅；

步驟二，在硅襯底上利用LOCOS光刻工藝進(jìn)行光刻，再進(jìn)行氮化硅刻蝕；

步驟三，對場區(qū)氧化，再進(jìn)行氮化硅剝離；

步驟四，在硅襯底上形成溝槽；

步驟五，生長柵氧，淀積多晶硅并回刻到柵氧層；

步驟六，氧化膜淀積；

步驟七，ESD多晶硅淀積ESD離子注入；

步驟八，ESD多晶硅光刻和刻蝕；

步驟九，氧化硅刻蝕，去膠；

步驟十，體區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入；

步驟十一，源區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入。

由于現(xiàn)有技術(shù)的方法需要增加一層光刻，成本較高，本發(fā)明提出一種方法，可以省略第一層LOCOS光刻，從而降低成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于提供一種處理帶ESD的溝槽型MOSFET加工方法，可以省略第一層LOCOS光刻，從而降低成本。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的一種處理帶ESD的溝槽型MOSFET加工方法，所述方法中的ESD下部多晶硅下方的厚氧化膜是在柵極多晶硅回刻蝕之后生長，其圖形通過ESD多晶硅光刻來定義。

較佳地，所述方法具體包括如下步驟：

步驟一，在硅襯底上淀積一層氧化硅；

步驟二，在硅襯底上形成溝槽；

步驟三，生長柵氧，淀積多晶硅并回刻到柵氧層；

步驟四，氧化膜淀積；

步驟五，ESD多晶硅淀積ESD離子注入；

步驟六，ESD多晶硅光刻和刻蝕；

步驟七，氧化硅刻蝕，去膠；

步驟八，體區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入；

步驟九，源區(qū)光刻，注入，去膠，離子注入。

較佳地，所述步驟二中在硅襯底上形成溝槽的方法為，在氮化硅上光刻膠定義出溝槽區(qū)，移除光刻膠，以氮化硅及氧化硅為硬掩膜，刻蝕襯底，形成溝槽。

較佳地，所述步驟三中，多晶硅回刻至表面與襯底表面的氧化硅齊平。

較佳地，所述步驟四中氧化層厚度為最佳為

較佳地，所述步驟七中氧化硅刻蝕方法為干法刻蝕。

較佳地，用該方法制造的帶ESD的溝槽型MOSFET器件為PMOS管或NMOS管。

較佳地，所述ESD poly結(jié)構(gòu)為PNP或PNPNP或PNPNPNP結(jié)構(gòu)，其中串聯(lián)PN結(jié)個數(shù)取決于ESD擊穿電壓需求。

附圖說明

圖1-圖5是本發(fā)明工藝步驟示意圖。

圖6是本發(fā)明工藝流程圖。

附圖標(biāo)記說明

100 硅襯底

101 ESD多晶硅

102 P+區(qū)源極

103 N型體區(qū)

105 柵氧化層

106 柵極多晶硅

107 場區(qū)氧化

108 氧化層

具體實(shí)施方式

為對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖，詳述如下：

本發(fā)明的處理帶ESD的溝槽型MOSFET加工方法，包含如下的工藝步驟：

步驟一，如圖2所示，在硅襯底100上淀積一層氧化硅。

步驟二，如圖3所示，在硅襯底100上形成溝槽。較佳地，在所述硅襯底100上形成溝槽的方法為，在氮化硅及氧化硅上光刻膠定義出溝槽區(qū)，移除光刻膠，以氮化硅為硬掩膜，刻蝕襯底，形成溝槽。

步驟三，如圖3所示，生長柵氧，淀積多晶硅并回刻到柵氧層。較佳地，多晶硅回刻至表面與襯底表面的氧化硅齊平。

步驟四，如圖4所示，氧化膜淀積。較佳地，所淀積的氧化層108厚度為最佳為

步驟五，如圖4所示，ESD多晶硅101淀積，ESD離子注入。具體地，可以將雜質(zhì)元素離化為離子，使其在強(qiáng)電場下加速，獲得較高的能量后直接轟擊到ESD多晶硅中，再經(jīng)過退火，使雜質(zhì)激活，在ESD多晶硅中形成PNP結(jié)構(gòu)的齊納二極管。

步驟六，如圖5所示，ESD多晶硅光刻和刻蝕。具體地，在ESD多晶硅薄膜的表面涂上一層粘附良好，厚度適當(dāng)、均勻的光刻膠，在一定的溫度下，使膠膜里面的溶劑緩慢的、充分地溢出來。然后對涂有光刻膠且進(jìn)行了前烘之后的基片進(jìn)行選擇性的光照，受到光照的膠在顯影液中的溶解性將會改變。再把曝光后的基片放在顯影液中，將應(yīng)涂去的光刻膠膜溶除干凈。然后用適當(dāng)?shù)母g劑對未被抗蝕膠膜覆蓋的ESD多晶硅薄膜進(jìn)行刻蝕。

步驟七，如圖5所示，氧化硅刻蝕，去膠。較佳地，該氧化硅刻蝕方法為干法刻蝕。具體地，可以利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與氧化硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后用傳統(tǒng)的方法將經(jīng)過刻蝕之后還留在表面的膠膜去掉。

步驟八，如圖6所示，body(體區(qū))光刻，注入，去膠，drive in。具體地，在body(體區(qū))的表面涂上一層粘附良好，厚度適當(dāng)、均勻的光刻膠，在一定的溫度下，使膠膜里面的溶劑緩慢的、充分地溢出來。然后對涂有光刻膠且進(jìn)行了前烘之后的基片進(jìn)行選擇性的光照，受到光照的膠在顯影液中的溶解性將會改變。再把曝光后的基片放在顯影液中，將應(yīng)涂去的光刻膠膜溶除干凈。然后可以將雜質(zhì)元素離化為離子，使其在強(qiáng)電場下加速，獲得較高的能量后直接轟擊到body(體區(qū))中，再經(jīng)過退火，使雜質(zhì)激活。然后，可以利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與基片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后用傳統(tǒng)的方法將經(jīng)過刻蝕之后還留在表面的膠膜去掉，最后drive in。

步驟九，如圖6所示，Source(源區(qū))光刻，注入，去膠，drive in。具體地，在Source(源區(qū))的表面涂上一層粘附良好，厚度適當(dāng)、均勻的光刻膠，在一定的溫度下，使膠膜里面的溶劑緩慢的、充分地溢出來。然后對涂有光刻膠且進(jìn)行了前烘之后的基片進(jìn)行選擇性的光照，受到光照的膠在顯影液中的溶解性將會改變。再把曝光后的基片放在顯影液中，將應(yīng)涂去的光刻膠膜溶除干凈。然后可以將雜質(zhì)元素離化為離子，使其在強(qiáng)電場下加速，獲得較高的能量后直接轟擊到Source(源區(qū))中，再經(jīng)過退火，使雜質(zhì)激活。然后，可以利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基與基片發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后用傳統(tǒng)的方法將經(jīng)過刻蝕之后還留在表面的膠膜去掉，最后drive in。

較佳地，用該方法制造的帶ESD的溝槽型MOSFET器件為PMOS，ESD保護(hù)二極管為PNP結(jié)構(gòu)的齊納二極管。

在本發(fā)明中，ESD下多晶硅方的厚氧化膜是在柵極多晶硅回刻蝕之后生長，其圖形是通過ESD多晶硅光刻來定義，因此不需要而外的光刻工藝。本發(fā)明的方法，可以省略第一層LOCOS光刻，從而降低成本。

以上已針對較佳實(shí)施例來說明本發(fā)明，但以上所述僅為使本領(lǐng)域技術(shù)人員易于了解本發(fā)明的內(nèi)容，并非用來限定本發(fā)明的權(quán)利范圍。在本發(fā)明的相同精神下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以思及各種等效變化。