本發(fā)明屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種光伏組件和光伏發(fā)電系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

太陽能電池能夠?qū)⑻柟庵苯愚D(zhuǎn)換為電力，因此作為新的能源受到越來越多國家的重視。

圖1示出了一種傳統(tǒng)光伏組件，其由蓋板玻璃1、背板2、密封膠層3、太陽能電池4、金屬邊框5和接地裝置6組成，太陽能電池4由密封膠層3密封在蓋板玻璃1和背板2之間，然后設(shè)置在金屬邊框5內(nèi)，金屬邊框5通過接地裝置6接地，傳統(tǒng)光伏組件安裝在室外，長期暴露在空氣中，受大氣、風(fēng)沙等惡劣天氣的影響，設(shè)置在光伏組件的最頂層的蓋板玻璃1表面上經(jīng)常會沉積一層塵土和污垢，這影響了蓋板玻璃1的透光率，降低了太陽光照射在電池上的強度，從而使光伏組件的發(fā)電效率下降。

在現(xiàn)有技術(shù)中，為了避免上述問題的出現(xiàn)，所采取的措施是利用人工對光伏組件頂層的蓋板玻璃1進行清潔，在清潔的過程中，需要操作人員踩踏在光伏組件上，以對蓋板玻璃1進行全面的清潔，此種清潔方式在操作的過程中，會因為操作人員的踩踏而對光伏組件內(nèi)的電池造成一定的傷害，存在損壞光伏組件的風(fēng)險。此外，此種人工清潔的方式不僅費時費力，清潔成本高，還存在著清潔不到位、清潔不及時的缺點，無法有效降低塵土或污垢對光伏組件發(fā)電效率的影響。由于現(xiàn)在的大氣污染越來越嚴(yán)重，導(dǎo)致對光伏組件的清潔頻率越來越高，這無形中增加了光伏電站的運維成本。

目前，人們普遍采用一種含鐵量較低的光伏玻璃作為光伏組件用的蓋板玻璃1，這種玻璃在可見光波段具有較高的透過率。但是由于光伏玻璃與空氣之間折射率差異，光伏玻璃對可見光仍存在約8%的反射率。通過在光伏玻璃表面涂制一層減反射膜7（如圖2所示）可以有效的提高光的透過率，從而提高太陽能電池光伏組件的輸出功率。

然而，現(xiàn)有光伏玻璃用的減反射膜主要采用化學(xué)腐蝕法或者溶膠凝膠法制備單層多孔氧化硅的減反射結(jié)構(gòu)膜層，例如公開專利：CN99113476.1通過向二氧化硅納米顆粒交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)或顆粒網(wǎng)絡(luò)中滲入有機添加劑和硅烷偶聯(lián)劑，利用酸堿兩步法制備出了減反射涂層。單層減反射膜雖然容易生產(chǎn)，但是該方法所得到的單層減反射膜層與基板的結(jié)合力還不夠牢固，在惡劣的自然環(huán)境下使用容易造成膜層的脫落，同時單層結(jié)構(gòu)的減反射膜層的減反射性能較低，并且其減反射特性的調(diào)控手段單一。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明目的在于為解決上述問題而提供一種抗污能力強，降低除塵頻率，降低光伏組件表面的光反射率，使更多的入射光進入到太陽能電池內(nèi)部，又可抑制光伏組件溫度過快上升，增加光伏組件的發(fā)電量，且膜層與基板結(jié)合力更強的光伏組件和光伏發(fā)電系統(tǒng)。

為此，本發(fā)明公開了一種光伏組件，包括光伏組件本體，所述光伏組件本體包括兩個表面，其中一個表面為受光面，另一個表面為背面，所述光伏組件本體的受光面上覆蓋有一層第一阻擋層，所述第一阻擋層上覆蓋有一層導(dǎo)電膜層，所述導(dǎo)電膜層上覆蓋有一層含硅親水膜層，所述含硅親水膜層上覆蓋有一層二氧化鈦基膜層，所述導(dǎo)電膜層為摻雜二氧化鈦膜層、摻雜二氧化錫膜層或它們的組合，所述二氧化鈦基膜層的厚度≤9nm。

進一步的，所述第一阻擋層為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鈦和氧化鋯中的一種或兩種以上；所述第一阻擋層為單層或多層結(jié)構(gòu)，所述第一阻擋層可采用PVD法、CVD法、ALD法等方法沉積。

進一步的，所述光伏組件本體的背面上覆蓋有一層第二阻擋層。

更進一步的，所述第二阻擋層為氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鈦和氧化鋯中的一種或兩種以上；所述第二阻擋層為單層或多層結(jié)構(gòu)，所述第二阻擋層可采用PVD法、CVD法、ALD法等方法沉積。

進一步的，在所述第二阻擋層上覆蓋一層疏水膜層。

進一步的，所述摻雜二氧化鈦膜層為TiO₂摻雜有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Si、C、Ge和Al中的一種或兩種以上，所述摻雜二氧化鈦膜層可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法等方法沉積。

進一步的，所述摻雜二氧化錫膜層為SnO₂摻雜有F、Sb和I中的一種或兩種以上，所述摻雜二氧化鈦膜層可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法、熱解噴涂法等方法沉積。

進一步的，所述第一阻擋層為具有拉應(yīng)力的膜層，當(dāng)?shù)谝蛔钃鯇訛槎鄬咏Y(jié)構(gòu)時，其可同時具有拉應(yīng)力和壓應(yīng)力。

進一步的，所述含硅親水膜層為氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的一種或兩種以上，所述含硅親水膜層可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法等方法沉積。

進一步的，所述摻雜二氧化鈦膜層的厚度為1-150nm，優(yōu)選摻雜二氧化鈦膜層的厚度為3-50nm，或所述摻雜二氧化錫膜層的厚度為1-150nm，優(yōu)選摻雜二氧化錫膜層的厚度為3-50nm。

進一步的，所述導(dǎo)電膜層與光伏陣列的接地裝置連接。

進一步的，所述二氧化鈦基膜層全部或部分覆蓋含硅親水膜層，優(yōu)選所述二氧化鈦基膜層部分覆蓋含硅親水膜層；

進一步的，所述二氧化鈦基膜層為純的TiO₂或TiO₂摻雜有Ag、Pt、Pd、Au、Ru、Os、Re、V、Rh、La、Ce、Er、Pr、Gd、Nd和Sm中的至少一種；優(yōu)選所述二氧化鈦基膜層的厚度小于7nm，更優(yōu)選二氧化鈦基膜層的厚度小于5nm。

本發(fā)明還公開了一種光伏發(fā)電系統(tǒng)，其由上述的光伏組件組成發(fā)電系統(tǒng)。

可對本發(fā)明的光伏組件的受光面所使用的四層結(jié)構(gòu)的膜層（第一阻擋層、導(dǎo)電膜層、含硅親水膜層和二氧化鈦基膜層）進行熱處理，其熱處理指的是在基板進行鋼化處理或熱增強處理。

本發(fā)明的光伏組件的受光面所使用的四層結(jié)構(gòu)的膜層也可應(yīng)用于建筑的玻璃幕墻和窗玻璃的表面、汽車玻璃的表面、電子設(shè)備使用的玻璃的表面、展示柜臺使用的玻璃的表面、家用電器使用的玻璃的表面。

本發(fā)明的有益技術(shù)效果：

1、本發(fā)明通過在光伏組件的受光表面形成四層結(jié)構(gòu)的膜層（第一阻擋層、導(dǎo)電膜層、含硅親水膜層和二氧化鈦基膜層），有利于降低膜層的內(nèi)應(yīng)力，從而使膜層與光伏組件的表面結(jié)合得更牢固；同時這四層結(jié)構(gòu)中各膜層的折射率的相互匹配可以起到很好的減反射效果，增加太陽光入射到太陽能電池內(nèi)部，從而增加光伏組件的發(fā)電量。

2、本發(fā)明通過在光伏組件的受光表面覆蓋一層導(dǎo)電膜層，因而其能起到抗靜電的作用，這可使大氣中的灰塵不易沉積到光伏組件的表面，同時所述的導(dǎo)電膜層具有很好的耐候性能，在光伏組件的使用過程中導(dǎo)電膜層還可抑制光伏組件溫度的過快上升，從而增加太陽能電池的發(fā)電量。

3、本發(fā)明通過在光伏組件的受光表面覆蓋一層含硅親水膜層，這可使光伏組件的表面具有親水性，當(dāng)光伏表面遇到水的沖洗時就可很容易的清除掉沉積在光伏組件表面的灰塵，從而增加光伏組件的發(fā)電量。

4、本發(fā)明通過在含硅親水膜層上覆蓋一層二氧化鈦基膜層，可以對落在光伏組件表面的有機物進行有效的降解除污。

5、本發(fā)明通過在光伏組件的背面覆蓋一層第二阻擋層，當(dāng)水分子對背板材料進行作用時，以避免背板材料中離子的滲出，進而降低背板材料表面的絕緣性，最終影響光伏組件的性能。

附圖說明

圖1為傳統(tǒng)的光伏組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為另一種傳統(tǒng)的光伏組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實施例的光伏組件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實施例的另一種光伏組件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實施方式對本發(fā)明進一步說明。

在此先說明，本發(fā)明中的PVD為物理氣相沉積，CVD為化學(xué)氣相沉積，ALD為單原子層沉積。

如圖3所示，一種光伏組件，包括光伏組件本體，這里的光伏組件本體指現(xiàn)有的各種傳統(tǒng)光伏組件，本具體實施例中，以圖1所示的傳統(tǒng)光伏組件為例來說明，其由蓋板玻璃1、背板2、密封膠層3、太陽能電池4、金屬邊框5和接地裝置6組成，太陽能電池4由密封膠層3密封在蓋板玻璃1和背板2之間，然后在其外圍框設(shè)金屬邊框5，金屬邊框5通過接地裝置6接地。

光伏組件本體的受光面上即蓋板玻璃1的受光面上覆蓋有一層第一阻擋層8，所述第一阻擋層8上覆蓋有一層導(dǎo)電膜層9，所述導(dǎo)電膜層9上覆蓋有一層含硅親水膜層10，所述含硅親水膜層10上覆蓋有一層二氧化鈦基膜層12，所述導(dǎo)電膜層9為摻雜二氧化鈦膜層、摻雜二氧化錫膜層或它們的組合，所述二氧化鈦基膜層12的厚度≤9nm，導(dǎo)電膜層9與金屬邊框5連接，從而與接地裝置6連接。具體的，圖3中的二氧化鈦基膜層12全部覆蓋含硅親水膜層10。

進一步的，所述光伏組件本體的背面上即背板2的下表面覆蓋有一層第二阻擋層11，如圖4所示。當(dāng)水分子對背板2材料進行作用時，以避免背板2材料中離子的滲出，進而降低背板2材料表面的絕緣性，最終影響光伏組件的性能。為了增強其效果，還可以在第二阻擋層11上覆蓋一層疏水膜層（圖中未示出）。在圖4中，二氧化鈦基膜層12部分覆蓋含硅親水膜層10，如二氧化鈦基膜層12具有若干鏤空區(qū)域，使部分含硅親水膜層10裸露出來。

具體的，所述二氧化鈦基膜層12為純的TiO₂或TiO₂摻雜有Ag、Pt、Pd、Au、Ru、Os、Re、V、Rh、La、Ce、Er、Pr、Gd、Nd和Sm中的至少一種；優(yōu)選所述二氧化鈦基膜層的厚度小于7nm，更優(yōu)選二氧化鈦基膜層的厚度小于5nm。

所述第一阻擋層8和第二阻擋層11為氧化硅（SiO₂）、氮氧化硅（SiO_xN_y）、氮化硅（Si₃N₄）、氧化鈦（TiO₂）或氧化鋯（ZrO₂）中的一種或兩種以上；所述第一阻擋層8和第二阻擋層11為單層或多層結(jié)構(gòu)，所述第一阻擋層8和第二阻擋層11可采用PVD法、CVD法、ALD法等方法沉積，第一阻擋層8為具有拉應(yīng)力的膜層，當(dāng)?shù)谝蛔钃鯇?為多層結(jié)構(gòu)時，其可同時具有拉應(yīng)力和壓應(yīng)力。

所述摻雜二氧化鈦膜層為TiO₂摻雜有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Si、C、Ge和Al中的一種或兩種以上，所述摻雜二氧化鈦膜層可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法等方法沉積，摻雜二氧化鈦膜層的厚度為1-150nm，優(yōu)選摻雜二氧化鈦膜層的厚度為3-50nm。

所述摻雜二氧化錫膜層為SnO₂摻雜有F、Sb和I中的一種或兩種以上，摻雜二氧化鈦膜層可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法、熱解噴涂法等方法沉積，摻雜二氧化錫膜層的厚度為1-150nm，優(yōu)選摻雜二氧化錫膜層的厚度為3-50nm。

所述含硅親水膜層10為氧化硅（SiO₂）、氮氧化硅（SiO_xN_y）、碳氧化硅（SiO_xC_y）和碳氮氧化硅（SiO_xNyC_z）中的一種或兩種以上，含硅親水膜層10可采用PVD法、CVD法、ALD法、溶膠凝膠法等方法沉積。

本發(fā)明在傳統(tǒng)光伏組件的蓋板玻璃1的受光面覆蓋四層結(jié)構(gòu)的膜層（第一阻擋層、導(dǎo)電膜層、含硅親水膜層和二氧化鈦基膜層），當(dāng)有水分落在含硅親水膜層10和/或二氧化鈦基膜層12的表面形成一層水膜，并將落在含硅親水膜層10和/或二氧化鈦基膜層12上的塵土或污垢與含硅親水膜層10和/或二氧化鈦基膜層12隔離，當(dāng)水分繼續(xù)增加時，形成的水膜上的水分越來越多，重量也逐漸增加，并最終在自身重力的作用下從水膜上滑落，此時滑落的水分就會將水膜表面的塵土或污垢一起帶走，使得更多的陽光能夠照射在太陽能電池上。當(dāng)有有機物落在光伏組件的表面時，二氧化鈦基膜層12會將有機物進行降解，并在水分的作用下將污染物帶離光伏組件的表面，使組件的表面保持干凈。

導(dǎo)電膜層9起到抗靜電作用，因為在自然環(huán)境下，光伏組件的表面很容易聚集靜電荷，而灰塵中也是常常帶有電荷的，當(dāng)光伏組件的表面聚集的靜電荷達到一定的程度，會由于靜電的作用使空氣中的灰塵大量沉積在光伏組件的表面，這就會造成太陽光入射到太陽能電池內(nèi)部的光大量的減少，從而造成光伏組件發(fā)電量的減少，導(dǎo)電膜層9可以將聚集在光伏組件表面的靜電荷導(dǎo)走，使光伏組件的表面不會有靜電荷的聚集，使空氣中的灰塵沉積到光伏組件表面的量大幅減少，從而可以減少光伏組件除塵的頻率，降低光伏電站的運維成本（即光伏組件的清潔成本）。

第一阻擋層8的作用是阻擋蓋板玻璃1中的離子擴散進入到導(dǎo)電膜層9，因為蓋板玻璃1中的離子一旦擴散進入到導(dǎo)電膜層9中其會造成導(dǎo)電膜層9性能的下降，同時第一阻擋層8具有的光學(xué)常數(shù)與導(dǎo)電膜層9、含硅親水膜層10組合可大幅降低入射光在蓋板玻璃1的反射，從而增加光伏組件的發(fā)電量。

在本發(fā)明中的光伏組件也可不使用金屬邊框5，導(dǎo)電膜層9直接與接地裝置6連接。

下面將通過幾個具體實施例來說明本發(fā)明的光伏組件。以下實施例中，均是在干凈的基板表面上依次沉積上各膜層。

實施例1

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積20nm的氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積10nm的Nb摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Nb摻雜的二氧化鈦膜層上采用磁控濺射沉積110nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積5nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與Nb摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例2

在一片厚度為4mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積25nm的氮氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積15nm的Ta摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Ta摻雜的二氧化鈦膜層上采用磁控濺射沉積110nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積3nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與Ta摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例3

在一片厚度為4mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積10nm的氧化鋯膜層作為第一阻擋層8；接著在氧化鋯膜層上采用磁控濺射沉積5nm的W摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在W摻雜的二氧化鈦膜層上采用磁控濺射沉積105nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積7nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與W摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例4

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積60nm的氮化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮化硅膜層上采用磁控濺射沉積50nm的W摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在W摻雜的二氧化鈦膜層上采用ALD法沉積80nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積2nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與W摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例5

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積25nm的氮氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積10nm的Nb摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Nb摻雜的二氧化鈦膜層上采用CVD法沉積110nm的碳氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積9nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與Nb摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例6

在一片厚度為3mm的鋼化玻璃基板的表面上磁控濺射沉積25nm的氮氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積10nm的Nb摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Nb摻雜的二氧化鈦膜層上采用CVD法沉積110nm的碳氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用磁控濺射法沉積5nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的鋼化玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與Nb摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例7

在一片厚度為3mm的鋼化玻璃基板的表面上磁控濺射沉積25nm的氮氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積10nm的Nb摻雜的二氧化鈦膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Nb摻雜的二氧化鈦膜層上采用CVD法沉積110nm的碳氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用磁控濺射法沉積3nm的二氧化鈦基膜層12，所沉積的氧化鈦基膜層12為部分的覆蓋含硅親水膜層10；接著在背板玻璃的表面采用磁控濺射沉積一層35nm的氮氧化硅膜層作為背板表面的第二阻擋層11；接著將沉積有上述膜層的鋼化玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面；將沉積有第二阻擋層11的背板玻璃作為光伏組件的背板2使用，并使第二阻擋層11朝向光伏組件的背面；同時使光伏組件的金屬邊框5與Nb摻雜的二氧化鈦膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件，如附圖4所示。

實施例8

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積20nm的氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氧化硅膜層上采用CVD法沉積30nm的F摻雜的二氧化錫膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在F摻雜的二氧化錫膜層上采用磁控濺射沉積110nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積5nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與F摻雜的二氧化錫膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例9

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積25nm的氮氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氮氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積15nm的Sb摻雜的二氧化錫膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在Sb摻雜的二氧化錫膜層上采用磁控濺射沉積100nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積3nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與Sb摻雜的二氧化錫膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

實施例10

在一片厚度為3mm的玻璃基板的表面上磁控濺射沉積15nm的氧化硅膜層作為第一阻擋層8；接著在氧化硅膜層上采用磁控濺射沉積30nm的I摻雜的二氧化錫膜層作為導(dǎo)電膜層9；接著在I摻雜的二氧化錫膜層上采用磁控濺射沉積115nm的氧化硅膜層作為含硅親水膜層10；接著在含硅親水膜層10上采用CVD法沉積1nm的二氧化鈦基膜層12；接著將沉積有上述膜層的玻璃進行鋼化熱處理，鋼化熱處理后的玻璃作為光伏組件的蓋板玻璃1使用，并使鋼化玻璃表面的膜層朝向光伏組件的受光面，同時使光伏組件的金屬邊框5與I摻雜的二氧化錫膜層9相接觸，由此形成本發(fā)明的光伏組件。

本發(fā)明還公開了一種光伏發(fā)電系統(tǒng)，其是由上述的光伏組件組成發(fā)電系統(tǒng)。

盡管結(jié)合優(yōu)選實施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護范圍。