1.一種光伏組件，包括光伏組件本體，所述光伏組件本體包括兩個表面，其中一個表面為受光面，另一個表面為背面，其特征在于：所述光伏組件本體的受光面上覆蓋有一層第一阻擋層，所述第一阻擋層上覆蓋有一層導電膜層，所述導電膜層上覆蓋有一層含硅親水膜層，所述導電膜層為摻雜二氧化鈦膜層、摻雜二氧化錫膜層或它們的組合。
2.根據權利要求1所述的光伏組件，其特征在于：所述第一阻擋層為：氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鈦或氧化鋯中的一種或兩種以上；所述第一阻擋層為單層或多層結構。
3.根據權利要求1所述的光伏組件，其特征在于：所述光伏組件本體的背面上覆蓋有一層第二阻擋層。
4.根據權利要求3所述的光伏組件，其特征在于：所述第二阻擋層為：氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化鈦或氧化鋯中的一種或兩種以上；所述第二阻擋層為單層或多層結構。
5.根據權利要求3所述的光伏組件，其特征在于：所述第二阻擋層上覆蓋有一層疏水膜層。
6.根據權利要求1或3所述的光伏組件，其特征在于：所述摻雜二氧化鈦膜層為TiO2摻雜有Ta、W、Nb、Mo、Sb、Sc、Sn、Y、Zr、Hf、Si、C、Ge和Al中的一種或兩種以上，或所述摻雜二氧化錫膜層為SnO2摻雜有F、Sb和I中的一種或兩種以上。
7.根據權利要求1或3所述的光伏組件，其特征在于：所述第一阻擋層為具有拉應力的膜層。
8.根據權利要求1或3所述的光伏組件，其特征在于：所述含硅親水膜層為氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅和碳氮氧化硅中的一種或兩種以上。
9.根據權利要求1或3所述的光伏組件，其特征在于：所述摻雜二氧化鈦膜層的厚度為1-150nm，或所述摻雜二氧化錫膜層的厚度為1-150nm。
10.根據權利要求1或3所述的光伏組件，其特征在于：所述導電膜層與光伏陣列的接地裝置連接。
11.一種光伏發(fā)電系統，其特征在于：由權利要求1至10任意一項所述的光伏組件組成發(fā)電系統。