本發(fā)明涉及一種陣列檢查設(shè)備，具體涉及一種陣列檢查測試方塊。

背景技術(shù)：

在陣列廠，如需對TFT基板的電性進行測試，陣列檢查設(shè)備一般通過Probe探針對基板進行加電，為確認基板是否能夠加電，測試時需要先確認測試探針與TFT基板上的陣列檢查測試方塊間的接觸狀況，進行接觸測試。

目前8.5代線TFT基板上的陣列檢查測試方塊通常采用24個通道，方塊與方塊之間完全不連接。機種接觸測試均為單探針測試(通常測試基板產(chǎn)品Gate與COM間的電阻，電阻較為穩(wěn)定在10K內(nèi)，目前參數(shù)閾值設(shè)定為100K)，超過設(shè)定閾值則表明方塊與探針接觸異常，面板無法加電，設(shè)備端會報警。

采用上述測試方式經(jīng)常會發(fā)生因TFT基板上的陣列檢查測試方塊異?；蚧瀹a(chǎn)品Gate與COM間電阻太高(超過100K)，導致接觸測試電阻超過閾值，設(shè)備端報警，影響設(shè)備稼動率。此外，因部分產(chǎn)品會只存在某個方塊區(qū)域存在異常，導致設(shè)備無法對畫素區(qū)域進行加電，設(shè)備端會判定產(chǎn)品不合格，但實際產(chǎn)品在模組測試時無異常(TFT基板上的陣列檢查測試方塊會在模組被切除)，這樣導致產(chǎn)品良率受損。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

發(fā)明目的：本發(fā)明的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種TFT基板上陣列檢查測試方塊的連接測試方法，降低產(chǎn)品問題對設(shè)備稼動的影響，減小因單個PAD異常造成設(shè)備對產(chǎn)品的誤判。

技術(shù)方案：一種TFT基板上陣列檢查測試方塊的連接測試方法，若給基板畫素加電所需的信號通道數(shù)量不大于12個，將基板的測試方塊以兩個為一組連接起來；接觸測試時，測量每組兩個測試方塊之間的電阻；加電測試時，每組兩個測試方塊同時給畫素加電；

若給基板畫素加電所需的信號通道數(shù)量大于12但不大于20個，將位于首部的兩個測試方塊進行連接，同時連接尾部的兩個測試方塊；接觸測試時，測量首尾兩組中兩個測試方塊之間的電阻；加電測試時，每組兩個測試方塊同時給畫素加電，未連接的測試方塊單獨對畫素加電。

為了進行接觸測試，需要一個測試探針發(fā)出信號，另一個測試探針接收信號，因基板信號線設(shè)計的排列需要，當給基板畫素加電所需的信號通道數(shù)量不大于12個時，進行連接的兩個測試方塊為順序相鄰的。

為了保證兩個測試方塊之間有充分的導電性，所述測試方塊進行連接的部位為金屬層。

進一步，所述測試方塊之間選擇導電率較優(yōu)的金屬導線進行連接。

有益效果：本發(fā)明對基板的測試方塊進行了連接，在接觸測試時只需測量連接的兩個方塊之間的電阻即可滿足要求，降低了因某方塊異?；虍a(chǎn)品G-C間電阻異常問題導致的設(shè)備報警，提高設(shè)備稼動，進行加電測試時對于只存在某個方塊區(qū)域存在異常的產(chǎn)品能通過另一測試方塊進行正常的加電測試，不影響產(chǎn)品的判定以及后流。

附圖說明

圖1為實施例1測試方塊的連接結(jié)構(gòu)；

圖2為實施例2測試方塊的連接結(jié)構(gòu)；

圖3為測試方塊的剖面圖；

圖4為畫素區(qū)信號線連接示意圖；

圖5為加電用測試信號示意圖。

具體實施方式

下面對本發(fā)明技術(shù)方案進行詳細說明，但是本發(fā)明的保護范圍不局限于所述實施例。

實施例：

實施例1：TFT基板上的測試方塊總共有24塊，若給基板的畫素進行加電所需的信號通道數(shù)量不大于12個，將順序相鄰的兩個方塊作為一組進行連接，如圖1所示，方塊可劃分到12個通道。連接時，選擇將方塊由下至上的第一金屬層1或第二金屬層2通過銅線進行相互連接，而不選擇ITO半導體層3進行連接，如圖3所示。

首先，接觸測試一般通過測試兩個方塊間電阻，一個測試探針發(fā)出信號，另一個測試探針接收信號，根據(jù)兩個探針間電阻確認探針與方塊間接觸是否良好，電阻超出規(guī)格則設(shè)備報警，產(chǎn)品判定不合格。未按本實施例進行連接的方塊只能通過測試阻抗穩(wěn)定的兩個方塊間電阻進行接觸測試(一般為G-C間，電阻100K內(nèi))，如果某一個方塊異常，或者G-C間因產(chǎn)品問題導致阻抗異常都會導致設(shè)備報警，整個產(chǎn)品判定不合格。本實施例連接后的方塊，正常連接后電阻理論上都在100歐姆內(nèi)，通過測試短路連接的一組方塊間電阻可以不用測試G-C間電阻(G-C間電阻沒有短路連接穩(wěn)定)，降低設(shè)備報警的頻率。

進行加電測試一般通過向測試方塊施加電壓從而對畫素進行充電，將所有的信號線通過金屬線在外圍連接到相應TFT基板上的陣列檢查測試方塊上。圖4示意了給畫素區(qū)充電的信號線，橫軸為Gate線即開關(guān)線，縱軸為Data線即信號線，圖中方塊為各個畫素。圖中所有的奇數(shù)條開關(guān)線會連接到測試方塊GE，所有的偶數(shù)條開關(guān)線會連接到測試方塊GO，所有的奇數(shù)條信號線會連接到測試方塊DE，所有的偶數(shù)條信號線會連接到測試方塊DO，其他COM、CS信號同樣會在外圍連接到測試方塊上。

加電參考用測試信號如圖5所示，圖中橫坐標為加電時間，縱坐標為電壓，Gate_Even、Gate_Odd、Data_Even、Data_Odd為施加的測試信號名稱，Vgh分別對應為Gate高電壓及Data高電壓，Vgl為Gate低電壓電壓，Vref為0V電壓。當基板電壓圖像為綠色時，表示畫素區(qū)電壓為正常電壓8～10V。當電壓圖像為紅綠間隔時，表示外圍的測試信號無法施加到畫素區(qū)域，可能原因為外圍線路區(qū)域的信號線存在異常，基板是不合格的。

未進行連接的方塊只能通過每個獨立的方塊給畫素加電，方塊有異常，導致畫素無法加電則基板會被判定不合格。按本實施例結(jié)構(gòu)進行連接的兩個方塊會同時給畫素加電，即使某一個方塊有異常，還可以通過另一個方塊給畫素正常加電，不會影響設(shè)備對基板的判定。

實施例2：若給基板的畫素進行加電所需的信號通道數(shù)量大于12但不大于20個，將位于首部的兩個方塊進行短路連接，同時尾部的兩個方塊進行短路連接，如圖2所示，頭尾兩組劃分到兩個信號通道，其余單個未連接測試方塊各自占據(jù)一個信號通道。接觸測試時只需對頭尾兩組的方塊分別測量電阻即可；加電測試時，進行連接的頭尾兩組方塊可組合其他未短路連接的方塊給畫素加電，進行連接的頭尾兩組中，即使某一個方塊有異常，還可以通過另一個方塊給畫素正常加電，而位于中間位置的單個方塊按普通方式單獨對畫素加電。