本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種用于陣列基板的測試線路。

背景技術(shù)：

液晶顯示面板是液晶顯示裝置中最重要的元件，其通常包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor,tft)基板、彩色濾光片(colorfilter,cf)基板以及夾設(shè)在兩基板之間的液晶層。其中，陣列基板上設(shè)置有多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素電極以及多個(gè)成矩陣排列的薄膜晶體管等等各類電子元器件。為了保證陣列基板上各類電子元器件的電連接關(guān)系正確，業(yè)界通常在制造陣列基板時(shí)，會一并在陣列基板的邊緣處設(shè)置測試短棒(shortingbar)，以利用測試短棒而在模組化之前進(jìn)行cell段的加電點(diǎn)亮檢測，然后檢測完畢后切除液晶顯示面板中的陣列基板上的測試短棒，再將液晶顯示面板送去進(jìn)行模組化(module段)。

通常，測試短棒將設(shè)置于陣列基板的源極側(cè)的紅色信號線r、綠色信號線g及藍(lán)色信號線b(分別對應(yīng)紅綠藍(lán)r/g./b的測試)分別短接在一起。另外，將設(shè)置于陣列基板的柵極側(cè)的奇數(shù)信號線、偶數(shù)信號線分別短接在一起。這樣，在進(jìn)行cell段的加電點(diǎn)亮檢測之后，就需要通過激光切割將測試短棒斷開。

測試短棒的布線結(jié)構(gòu)為圖1所示。其中，柵極側(cè)走線所在層定義為第一金屬層m1，測試短棒引出線所在層定義為第二金屬層m2；源極側(cè)走線所在層定義為第二金屬層m2，測試短棒引出線所在層定義為第一金屬層m1。在做激光切割的時(shí)候，柵極驅(qū)動側(cè)需要切斷第一金屬層m1，數(shù)據(jù)驅(qū)動側(cè)需要切斷第二金屬層m2。但是第一金屬層m1和第二金屬層m2之間是柵極絕緣層(即gateinsulator層)，由于激光切割m1與m2所需要的聚焦情況是不一樣，激光功率也不一樣，因此，在同一個(gè)激光配置(laserrecipe)的情況下容易造成有切不斷柵極側(cè)走線或源極側(cè)走線的風(fēng)險(xiǎn)，而采用不同的配置則會增加機(jī)臺的生產(chǎn)作業(yè)時(shí)間(tacttime)。

因此，亟需提供一種新型的測試線路以解決上述問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于，提供一種用于陣列基板的測試線路，其通過均采用柵極側(cè)走線方式或均采用源極側(cè)走線方式來實(shí)現(xiàn)在切割柵極側(cè)的柵線或源極側(cè)的數(shù)據(jù)線時(shí)所需要的聚焦相同，且激光功率相同，從而保證切割良率。

本發(fā)明提供一種用于陣列基板的測試線路，所述測試線路包括多條第一測試短棒和多條第二測試短棒，所述多條第一測試短棒設(shè)置于陣列基板的柵極側(cè)，所述多條第二測試短棒設(shè)置于陣列基板的源極側(cè)，所述陣列基板的多條柵線所在層定義為第一金屬層，所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線所在層定義為第二金屬層，所述測試線路進(jìn)一步包括多條第一金屬走線和多條第二金屬走線；每一所述第一測試短棒通過每一所述第一金屬走線連接至每一所述柵線，每一所述第二測試短棒通過每一所述第二金屬走線連接至每一所述數(shù)據(jù)線；其中所述第一金屬走線和所述第二金屬走線均位于第一金屬層，或者所述第一金屬走線和所述第二金屬走線均位于第二金屬層；在所述測試線路進(jìn)行所述陣列基板的加電點(diǎn)亮檢測之后，對第一金屬走線和第二金屬走線所在區(qū)域進(jìn)行激光切割。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一金屬走線和所述第二金屬走線所使用的材料相同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一測試短棒所在層和所述第二測試短棒所在層均與第一金屬走線所在層不同；或者，所述第一測試短棒所在層和所述第二測試短棒所在層均與第二金屬走線所在層不同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述第一金屬走線和所述第二金屬走線均位于第一金屬層時(shí)，所述第一金屬走線和所述第二金屬走線所使用的材料與所述陣列基板的多條柵線所使用的材料相同。

在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，所述第一金屬走線和所述第二金屬走線均位于第二金屬層時(shí)，所述第一金屬走線和所述第二金屬走線所使用的材料與所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線所使用的材料相同。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線包括紅色信號線、綠色信號線及藍(lán)色信號線，且按照一預(yù)設(shè)定順序排列設(shè)置。

在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述柵線包括奇數(shù)柵線和偶數(shù)柵線，且按照一預(yù)設(shè)定順序排列設(shè)置。

本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域外圍的外圍區(qū)域，所述外圍區(qū)域包括上述的測試線路。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，本發(fā)明通過均采用柵極側(cè)走線方式或均采用源極側(cè)走線方式(即以一側(cè)走線為基準(zhǔn)，另一側(cè)走線進(jìn)行走線轉(zhuǎn)接)來實(shí)現(xiàn)在切割柵極側(cè)的柵線或源極側(cè)的數(shù)據(jù)線時(shí)所需要的聚焦相同，且激光功率相同，從而保證切割良率，且避免增加生產(chǎn)作業(yè)時(shí)間的問題。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測試短棒的連接示意圖；

圖2a和圖2b分別為現(xiàn)有技術(shù)中柵極側(cè)的測試短棒的布線設(shè)計(jì)示意圖以及源極側(cè)的測試短棒的布線設(shè)計(jì)示意圖；

圖3a和圖3b分別為本發(fā)明的第一實(shí)施例的測試線路的柵極側(cè)測試短棒的布線設(shè)計(jì)及源極側(cè)測試短棒的布線設(shè)計(jì)的示意圖；

圖4a和圖4b分別為本發(fā)明所述第一實(shí)施例的測試線路中的第一金屬走線和柵線連接的示意圖以及第二金屬走線和數(shù)據(jù)線連接的示意圖；

圖5a和圖5b分別為本發(fā)明的第二實(shí)施例的測試線路的柵極側(cè)測試短棒的布線設(shè)計(jì)及源極側(cè)測試短棒的布線設(shè)計(jì)的示意圖；

圖6a和圖6b分別為本發(fā)明所述第二實(shí)施例的測試線路中的第一金屬走線和柵線連接的示意圖以及第二金屬走線和數(shù)據(jù)線連接的示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的測試線路的具體實(shí)施方式做詳細(xì)說明。

液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及位于所述顯示區(qū)域外圍的外圍區(qū)域。其中，在液晶顯示面板的顯示區(qū)域包括多條相互垂直的數(shù)據(jù)線及柵線，參見圖1所示。所述數(shù)據(jù)線包括紅色信號線、綠色信號線及藍(lán)色信號線，且按照一預(yù)設(shè)定順序(順序例如為紅色信號線r1、綠色信號線g1及藍(lán)色信號線b1，但不限于此，順序也可以為綠色信號線g1、藍(lán)色信號線b1、紅色信號線r1)排列設(shè)置。所述柵線包括奇數(shù)柵線和偶數(shù)柵線，且按照一預(yù)設(shè)定順序(順序例如為奇數(shù)柵線odd、偶數(shù)柵線even，但是，順序也可以為偶數(shù)柵線、奇數(shù)柵線)排列設(shè)置。另外，所述外圍區(qū)域一般可包括測試線路。

本發(fā)明提供一種用于陣列基板的測試線路，具體如圖3a至圖6b所示。

同時(shí)參考圖1至2b所示，所述測試線路包括多條第一測試短棒111和多條第二測試短棒112，所述多條第一測試短棒111設(shè)置于陣列基板的源極側(cè)，所述多條第二測試短棒112設(shè)置于陣列基板的柵極側(cè)。一般情況下，將所述陣列基板的多條柵線131所在層定義為第一金屬層m1，所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線132所在層定義為第二金屬層m2。且，第一金屬層m1和第二金屬層m2為不同層。在第一金屬層m1和第二金屬層m2之間為柵極絕緣層140。

參見圖3a、3b、5a、5b所示，所述測試線路進(jìn)一步包括多條第一金屬走線121和多條第二金屬走線122；每一所述第一測試短棒111通過每一所述第一金屬走線121連接至每一所述柵線131(如圖5a中的g1，g2，g3，g4)，每一所述第二測試短棒112通過每一所述第二金屬走線122連接至每一所述數(shù)據(jù)線132(如圖3b中的r1，g1，b1，r2)。其中所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122均位于第一金屬層m1(如圖4a和圖4b所示)，或者所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122均位于第二金屬層m2(如圖6a和圖6b所示)。也就是說，第一金屬走線121和第二金屬走線122位于同一層且材料相同。這樣，當(dāng)所述測試線路進(jìn)行所述陣列基板的加電點(diǎn)亮檢測之后，對第一金屬走線121和第二金屬走線122所在區(qū)域(如圖3a,3b中所示的151,152)進(jìn)行激光切割，激光光束路徑中的媒介相同(例如，均是先絕緣層140再第一金屬層m1，或者，均是先第二金屬層m2再絕緣層140)，因此可以使用相同的聚焦和激光功率。這樣，不僅能夠保證切割良率，而且也避免了增加生產(chǎn)作業(yè)時(shí)間。優(yōu)選地，所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122所使用的材料相同，從而能夠進(jìn)一步提高切割良率。

參見圖3a至4b所示，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，當(dāng)保持柵極側(cè)不變的情況下，將源極側(cè)實(shí)施了如圖3b所示的改變，數(shù)據(jù)線132在第二切割區(qū)域152做了一個(gè)走線轉(zhuǎn)換。具體而言，參見圖4b所示，在所述柵極絕緣層140中刻蝕一過孔160，使得第二金屬走線122穿過所述過孔160之后與源極側(cè)的數(shù)據(jù)線132相連，由于源極側(cè)的數(shù)據(jù)線132所在層為第二金屬層m2，所述第二金屬走線122位于柵極絕緣層140的下方，因此，所述第二金屬走線122位于第一金屬層m1。一并參考圖4a和圖4b所示，當(dāng)在柵極側(cè)使用一預(yù)設(shè)激光配置來切割柵極側(cè)的第一金屬走線121(第一金屬走線121和柵線131位于同一層，即第一金屬層m1，且均在gi層140(即gateinsulator層)的下方)之后，可以使用相同的激光配置(包括聚焦和功率)來切割在第二切割區(qū)域152內(nèi)的第二金屬走線122(由于第二金屬走線122也位于第一金屬層m1，且在gi層140的下方)。因此，不僅可以避免現(xiàn)有技術(shù)不同層需要不同的聚焦和激光功率的問題，而且能夠通過使用相同激光配置來切割柵極側(cè)的柵線131和源極側(cè)的數(shù)據(jù)線132，并保證切割良率。

另外，優(yōu)選地，所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122均位于第一金屬層m1時(shí)，所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122所使用的材料與所述陣列基板的多條柵線131所使用的材料相同，從而節(jié)省材料成本。

另外，在本發(fā)明第一實(shí)施例中，在柵極側(cè)的第一測試短棒111和在源極側(cè)的第二測試短棒112均位于第二金屬層m2，而第一金屬走線121和第二金屬走線122均位于第一金屬層m1。

參見圖5a至6b所示，在本發(fā)明第二實(shí)施例中，當(dāng)保持源極側(cè)不變的情況下，將柵極側(cè)實(shí)施了如圖5a所示的改變，柵線131在第一切割區(qū)域151做了一個(gè)走線轉(zhuǎn)換。具體而言，參見圖6a所示，在所述柵極絕緣層140中刻蝕一過孔160，使得第一金屬走線121穿過所述過孔160之后與柵極側(cè)的柵線131相連，由于柵極側(cè)的柵線131所在層為第一金屬層m1，所述第一金屬走線121位于柵極絕緣層140的上方，因此，所述第一金屬走線121位于第二金屬層m2。一并參考圖6a和圖6b所示，當(dāng)在源極側(cè)使用一預(yù)設(shè)激光配置來切割源極側(cè)的第二金屬走線122(第二金屬走線122和數(shù)據(jù)線132位于同一層，即第二金屬層m2，且均在gi層140的上方)之后，可以使用相同的激光配置(包括聚焦和功率)來切割在第一切割區(qū)域151內(nèi)的第一金屬走線121(由于第一金屬走線121也位于第二金屬層m2，且在gi層140的上方)。因此，不僅可以避免現(xiàn)有技術(shù)不同層需要不同的聚焦和激光功率的問題，而且能夠通過使用相同激光配置來切割柵極側(cè)的柵線131和源極側(cè)的數(shù)據(jù)線132，并保證切割良率。

另外，優(yōu)選地，所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122均位于第二金屬層m2時(shí)，所述第一金屬走線121和所述第二金屬走線122所使用的材料與所述陣列基板的多條數(shù)據(jù)線132所使用的材料相同，從而節(jié)省材料成本。

另外，在本發(fā)明第二實(shí)施例中，在柵極側(cè)的第一測試短棒111和在源極側(cè)的第二測試短棒112均位于第一金屬層m1，而第一金屬走線121和第二金屬走線122均位于第二金屬層m2。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。