本申請(qǐng)要求享有于2015年11月27日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局遞交的韓國(guó)專利申請(qǐng)No.10-2015-0167803的優(yōu)先權(quán)，該專利申請(qǐng)的公開內(nèi)容通過(guò)引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置和封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

顯示裝置在屏幕上以圖像方式提供各種信息，是信息通信的核心技術(shù)。這樣的顯示裝置正變得越來(lái)越薄、越來(lái)越輕、并且更容易攜帶，以及擁有更高的性能。隨著這種趨勢(shì)，有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置正引起注意，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置控制從有機(jī)發(fā)光層所發(fā)射光的量以顯示圖像。

OLED裝置是一種利用了在電極之間的薄發(fā)射層的自發(fā)光裝置，因此可以使得整個(gè)裝置更薄。此外，OLED裝置不僅在低電壓驅(qū)動(dòng)的能耗方面具有優(yōu)勢(shì)，而且還具有優(yōu)異的色彩實(shí)現(xiàn)、響應(yīng)速度、視角和對(duì)比度(CR)。

在典型的OLED裝置中，像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件是形成于基板上，并且從有機(jī)發(fā)光元件發(fā)射的光可以通過(guò)基板或阻擋層，從而顯示圖像。有機(jī)發(fā)光元件可能會(huì)由于內(nèi)部因素而容易劣化，諸如由于氧氣或水分導(dǎo)致的電極和發(fā)射層的劣化、由發(fā)射層和界面之間的反應(yīng)引起的劣化、等等，以及由于諸如水分、氧氣、紫外線和裝置的加工限制之類的外部因素而容易劣化。在這些因素中，氧氣和水分嚴(yán)重地影響OLED裝置的壽命，因此OLED裝置的封裝非常重要。

作為封裝技術(shù)之一，現(xiàn)有一種利用鈍化層、或者提供端面密封件、或者采用封裝板來(lái)密封有機(jī)發(fā)光元件上方的空間的已知方法。端面密封件包含吸濕材料以吸收滲透到有機(jī)發(fā)光元件中的水分。端面密封件應(yīng)用到封裝板的內(nèi)表面上，然后將封裝板附接到像素陣列基板。當(dāng)夾在連到一起的兩個(gè)基板(封裝板和像素陣列基板)之間的端面密封件固化之后，移除施加在基板上的壓力，從而制造出具有端面密封結(jié)構(gòu)的OLED裝置。封裝板可以由玻璃、塑料、金屬等制成。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

綜上所述，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種OLED裝置及其中所使用的改進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種具有改進(jìn)的可靠性能的有機(jī)元件鈍化層。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種OLED裝置，包括：在陣列基板上的像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件；鈍化層，覆蓋所述像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件以阻擋水分的滲透；以及在所述鈍化層上的粘合劑層。鈍化層是基于有機(jī)硅化合物的無(wú)機(jī)薄膜。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式，由于氫滲透所致的TFT在特性上的變化可得以減少。

根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，亮點(diǎn)減少，使得OLED裝置的可靠性能可得以提高。

附圖說(shuō)明

由以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明的上述及其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的平面圖；

圖2是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的有效區(qū)的一部分的截面圖；

圖3是示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的封裝結(jié)構(gòu)的視圖；

圖4是示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的鈍化層的制造過(guò)程的視圖；以及

圖5是示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的特性的曲線圖。

具體實(shí)施方式

在描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的一些組件時(shí)，可能使用諸如第一、第二、A、B、(a)、(b)等的術(shù)語(yǔ)。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)組件與另一個(gè)組件區(qū)分開來(lái)。因此，組件的性質(zhì)、序列、順序、數(shù)量等不受限于這些術(shù)語(yǔ)。如本文所使用的，短語(yǔ)“連接到元件B的元件A”或“與元件B耦連的元件A”是指元件A可以直接連接到/耦連到元件B，另一個(gè)元件C可以被插入在元件A和元件B之間，和/或元件A可以經(jīng)由另一元件C間接地連接到元件B/與元件B耦連。如本文所使用的，短語(yǔ)“元件B上的元件A”指元件A可以直接設(shè)置在元件B上和/或元件A可以經(jīng)由另一元件C間接地設(shè)置在元件B上。附圖不是按比例繪制的，在附圖中的各種元件的相對(duì)尺寸是示意性地描繪且不一定符合比例。

如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“OLED裝置”或“顯示裝置”統(tǒng)稱為有機(jī)發(fā)光二極管面板和使用這種有機(jī)發(fā)光二極管面板的顯示裝置。通常，OLED裝置可以分為白色有機(jī)發(fā)光顯示裝置和RGB有機(jī)發(fā)光顯示裝置。在白色有機(jī)發(fā)光裝置中，每個(gè)像素中的子像素發(fā)射白光，并且在每個(gè)子像素中使用一組濾色器來(lái)過(guò)濾白光以產(chǎn)生紅光、綠光或藍(lán)光。另外，白色有機(jī)發(fā)光裝置可包括沒(méi)有濾色器的子像素，該濾色器用于形成產(chǎn)生白光的子像素。另一方面，在RGB有機(jī)發(fā)光裝置中，有機(jī)發(fā)射層被配置為在每個(gè)子像素中發(fā)射特定顏色的光。例如，單個(gè)像素包括具有用于發(fā)射紅光的有機(jī)發(fā)射層的紅色子像素、具有用于發(fā)射綠光的有機(jī)發(fā)射層的綠色子像素、和具有用于發(fā)射藍(lán)光的有機(jī)發(fā)射層的藍(lán)色子像素。

本發(fā)明的各種示例性實(shí)施方式的特征可部分地或完全地組合。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)清楚地意識(shí)到的，在技術(shù)上地各種交互和操作是可能的。各種示例性實(shí)施方式可以單獨(dú)地或組合地實(shí)現(xiàn)。在下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。

圖1是本發(fā)明的一示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示(OLED)裝置的平面圖。

參考圖1，OLED裝置100包括至少一個(gè)有效區(qū)A/A，其中設(shè)置有像素陣列。一個(gè)或多個(gè)無(wú)效區(qū)I/A可設(shè)置在有效區(qū)的周圍。也就是說(shuō)，無(wú)效區(qū)可與有效區(qū)的一側(cè)或多側(cè)相鄰。在圖1中，無(wú)效區(qū)圍繞著一個(gè)矩形的有效區(qū)。然而，有效區(qū)的形狀和相鄰于該有效區(qū)的無(wú)效區(qū)的形狀/布局并不限于圖1所示的那些。有效區(qū)和無(wú)效區(qū)可以具有適合于采用顯示裝置100的電子設(shè)備的設(shè)計(jì)的形狀。例如，有效區(qū)可具有五邊形形狀、六邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀，等等。

有效區(qū)中的每個(gè)像素可電連接到對(duì)應(yīng)的像素驅(qū)動(dòng)電路。每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路可包括至少一個(gè)開關(guān)晶體管和至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管。每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)電路可電連接到柵極線和數(shù)據(jù)線，以便與設(shè)置在無(wú)效區(qū)中的柵極驅(qū)動(dòng)器、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器等傳輸信號(hào)。

柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器可在無(wú)效區(qū)中用薄膜晶體管(TFT)來(lái)實(shí)現(xiàn)。驅(qū)動(dòng)器可稱為GIP電路(gate-in-panel，面板柵極)電路。此外，諸如數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器IC(集成電路)之類的一些部件可安裝在分離的PCB(印刷電路板)上，并經(jīng)由諸如FPCB(柔性印刷電路板)、COF(chip-on-film，膜上芯片)、TCP(tape-carrier-package，帶載封裝)等的電路膜，可與設(shè)置在無(wú)效區(qū)中的連接接口(焊盤、凸塊、引腳等)耦連。印刷電路(COF、PCB等)可經(jīng)折疊到顯示裝置100的后部而設(shè)置在顯示裝置100的后面。

OLED裝置100可包括用于產(chǎn)生用來(lái)驅(qū)動(dòng)有效區(qū)中的像素的各種信號(hào)或電壓的各種附加元件。用于驅(qū)動(dòng)像素的附加元件可包括反相器電路、多路復(fù)用器、靜電放電電路等。OLED裝置100可包括與驅(qū)動(dòng)像素?zé)o關(guān)的特征相關(guān)聯(lián)的元件。例如，OLED裝置100可包括用于提供觸摸感測(cè)特征、用戶認(rèn)證特征(例如，指紋識(shí)別)、多級(jí)壓力感測(cè)特征、觸覺(jué)反饋特征等的附加元件。至少一些上述附加元件可設(shè)置在無(wú)效區(qū)和/或與連接接口相連的外部電路中。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置可包括在陣列基板110上的薄膜晶體管和有機(jī)發(fā)光元件、在該有機(jī)發(fā)光元件上的封裝層、將基板附接到該封裝層上的阻擋膜、等等。術(shù)語(yǔ)“陣列基板110”還可指基板本身以及其上形成的元件和功能層，例如，開關(guān)TFT、連接到該開關(guān)TFT的驅(qū)動(dòng)TFT、連接到該驅(qū)動(dòng)TFT的有機(jī)發(fā)光元件、保護(hù)膜、等等。

陣列基板110支撐OLED裝置100的各種元件，并且由絕緣材料制成。陣列基板110可由諸如玻璃、塑料等的透明絕緣材料制成。

有機(jī)發(fā)光元件設(shè)置在陣列基板110上。有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極、設(shè)置在陽(yáng)極上的有機(jī)發(fā)射層、和設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層上的陰極。有機(jī)發(fā)射層可由發(fā)射單色光的單個(gè)發(fā)射層構(gòu)成，或者可由多個(gè)發(fā)射層構(gòu)成以發(fā)射白光。有機(jī)發(fā)光元件可形成于陣列基板110的中心，使得有機(jī)發(fā)光元件位于有效區(qū)中。在有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)射層發(fā)射白光的情況下，可進(jìn)一步設(shè)置濾色器。

鈍化層可覆蓋有機(jī)發(fā)光元件。鈍化層保護(hù)有機(jī)發(fā)光元件免受濕氣或氧氣侵襲。端面密封件可用在鈍化層上。端面密封件的實(shí)例包括端面密封粘合劑膜。端面密封粘合劑膜將設(shè)置在陣列基板110上的有機(jī)發(fā)光元件密封，并將陣列基板110附接到上基板(封裝板)。

圖2是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的有效區(qū)的一部分的截面圖。

圖2顯示了設(shè)置在陣列基板110上包括元件102、104、106和108的薄膜晶體管，包括元件112、114和116的有機(jī)發(fā)光元件，以及各種功能層。

陣列基板110可以是玻璃或塑料基板。這種塑料基板可由聚酰亞胺基的材料或聚碳酸酯基的材料制成，因此可具有撓性。

薄膜晶體管可通過(guò)在陣列基板110上依次堆疊半導(dǎo)體層102、柵極絕緣膜103、柵電極104、層間絕緣膜105、以及源電極106和漏電極108來(lái)形成。

半導(dǎo)體層102可由多晶硅(p-Si)制成，并且可以部分地?fù)诫s雜質(zhì)。此外，半導(dǎo)體層102可由非晶硅(a-Si)制成，或者可由諸如并五苯之類的各種有機(jī)半導(dǎo)體材料制成。此外，半導(dǎo)體層102可由氧化物半導(dǎo)體材料制成。

柵極絕緣膜103可由諸如氧化硅(SiO_x)和氮化硅(SiN_x)之類的絕緣無(wú)機(jī)材料形成，或者可由絕緣有機(jī)材料制成。柵電極104可由諸如鎂(Mg)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鎢(W)、金(Au)及其合金之類的各種導(dǎo)電材料制成。

層間絕緣膜105可由諸如氧化硅(SiO_x)和氮化硅(SiN_x)之類的絕緣材料形成，或者可由絕緣有機(jī)材料制成。通過(guò)選擇性地去除層間絕緣膜105和柵極絕緣膜103，可以形成暴露源極區(qū)和漏極區(qū)的接觸孔。

源電極106和漏電極108由與柵電極104相同的材料制成，并且由在層間絕緣膜105上的單層或多個(gè)層構(gòu)成，以使得接觸孔被填充。

平坦化層107可設(shè)置在薄膜晶體管上。平坦化層107保護(hù)薄膜晶體管并提供平坦的表面。平坦化層107可具有各種形式。例如，平坦化層107可由諸如BCB(苯并環(huán)丁烯)和丙烯酸之類的有機(jī)絕緣膜制成，或者可由諸如氮化硅(SiN_x)膜和氧化硅(SiO_x)膜之類的無(wú)機(jī)絕緣膜制成。另外，平坦化層107可由單層、雙層或多層構(gòu)成。

有機(jī)發(fā)光元件可通過(guò)依次堆疊第一電極112、有機(jī)發(fā)射層114和第二電極116來(lái)形成。也就是說(shuō)，有機(jī)發(fā)光元件可包括形成在平坦化層107上的第一電極112、設(shè)置在第一電極112上的有機(jī)發(fā)射層114、和設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層114上的第二電極116。

第一電極112通過(guò)接觸孔電連接到驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏電極108。在OLED裝置100是頂部發(fā)射型的情況下，第一電極112可由具有高反射率的不透明導(dǎo)電材料制成。例如，第一電極112可由銀(Ag)、鋁(Al)、金(Au)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉻(Cr)或其合金制成。

堤109(或具有類似功能的其他結(jié)構(gòu))形成于除發(fā)射區(qū)之外的其余部分中。因此，堤109具有堤孔，經(jīng)由該堤孔在發(fā)射區(qū)中的第一電極112暴露出來(lái)。堤109可由諸如氮化硅(SiN_x)膜和氧化硅(SiO_x)膜之類的無(wú)機(jī)絕緣材料制成，或由諸如BCB、丙烯酸類的樹脂或酰亞胺類的樹脂之類的有機(jī)絕緣材料制成。

有機(jī)發(fā)射層114設(shè)置在經(jīng)由堤109的孔而暴露的第一電極112上。有機(jī)發(fā)射層114可包括發(fā)射層、電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等。這些層可以是獨(dú)立的或分離的，或者可將一些功能組合在一起作為單層。

第二電極116設(shè)置在有機(jī)發(fā)射層114上。在這種情況下，如果OLED裝置100是頂部發(fā)射型的，第二電極116由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之類的透明導(dǎo)電材料制成，以使得在有機(jī)發(fā)射層114中產(chǎn)生的光通過(guò)第二電極116向上出射。

鈍化層120設(shè)置在第二電極116上。鈍化層120可配置為由玻璃、金屬、氧化鋁(AlO_x)或硅(Si)基材料制成的無(wú)機(jī)膜，或者是通過(guò)交替地堆疊有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜來(lái)形成。鈍化層120阻擋氧氣和水分的滲透，從而抑制發(fā)光材料和電極的材料的氧化。如果有機(jī)發(fā)光元件暴露于水分或氧氣，則發(fā)射區(qū)可能收縮，即，可能發(fā)生像素收縮或者可能在發(fā)射區(qū)中出現(xiàn)黑點(diǎn)。

粘合劑層140可設(shè)置在鈍化層120上。粘合劑層140密封有機(jī)發(fā)光元件，并將陣列基板110附接到封裝板190。

封裝板190朝向陣列基板110。封裝板190的下表面與粘合劑層140接觸。封裝板190可由諸如玻璃、聚合物、金屬等的材料制成。可基于OLED裝置100發(fā)射光的方向，即頂部發(fā)射、底部發(fā)射或雙側(cè)發(fā)射的方向來(lái)確定封裝板190的材料。

粘合劑層140設(shè)置在像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED和其上的封裝板190之間。通常，粘合劑層140附著在封裝板190上，然后通過(guò)朝向像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED的粘合劑層140，將封裝板190附接到陣列基板110上。

下粘合劑層160和下封裝層170按此順序形成于陣列基板110的下方。下封裝層170可由選自以下的至少一種有機(jī)材料制成：聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚鄰苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亞胺、聚醚磺酸酯、聚酰亞胺和聚丙烯酸酯。下封裝層170可抑制水分或氧氣滲入基板中。

下粘合劑層160由熱固性粘合劑或可自然固化的粘合劑制成，并將陣列基板110附接到下封裝層170。例如，下粘合劑層160可由光學(xué)透明粘合劑(OCA)制成。

圖3是示出本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的OLED裝置的封裝結(jié)構(gòu)的截面圖。

OLED裝置100可包括陣列基板110、像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED、鈍化層120、粘合劑層140和封裝板190。

陣列基板110由絕緣材料制成并且支撐OLED裝置100的各種元件。

像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED設(shè)置在陣列基板110上。有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極、設(shè)置在陽(yáng)極上的有機(jī)發(fā)射層、和設(shè)置在有機(jī)發(fā)光元件上的陰極發(fā)射層。有機(jī)發(fā)射層可由發(fā)射單色光的單個(gè)發(fā)射層構(gòu)成，或者可由多個(gè)發(fā)射層構(gòu)成以發(fā)射白光。有機(jī)發(fā)光元件可形成于陣列基板110上，以使得其位于有效區(qū)中。用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的像素驅(qū)動(dòng)電路，即諸如薄膜晶體管、電容器等的各種元件和線可設(shè)置為與有機(jī)發(fā)光元件相關(guān)聯(lián)。像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)和功能與前面參照?qǐng)D2所述的那些基本相同。

OLED裝置100包括用于覆蓋有機(jī)發(fā)光元件的封裝結(jié)構(gòu)以阻擋水分或氧氣的滲透。封裝結(jié)構(gòu)可以是包括鈍化層、粘合劑層和封裝板的端面密封結(jié)構(gòu)。

鈍化層120是用于保護(hù)像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED的功能層，并且覆蓋像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED以阻擋水分或氧氣的滲透。鈍化層120可是無(wú)機(jī)膜，或者可通過(guò)交替地堆疊有機(jī)膜和無(wú)機(jī)膜而形成。例如，鈍化層120可是基于有機(jī)硅化合物的無(wú)機(jī)薄膜。與基于硅烷(SiH₄)或氨(NH₃)制成的鈍化層相比，該鈍化層120是有優(yōu)勢(shì)的，因?yàn)檠趸锉∧ぞw管(氧化物TFT)的閾值電壓的偏移會(huì)減小。參照?qǐng)D4將進(jìn)行更為詳細(xì)的描述。

粘合劑層140密封有機(jī)發(fā)光元件，并將陣列基板110附接到封裝板190。粘合劑層140可由可固化樹脂和功能添加劑的混合物制成。例如，粘合層140可由可固化樹脂和分散在該可固化樹脂中的吸氣劑和/或填料制成?？晒袒瘶渲捎傻幌抻诃h(huán)氧基聚合物、烯烴基聚合物等制成。

粘合劑層140可以是具有多層結(jié)構(gòu)的端面密封粘合劑，在所述的多層結(jié)構(gòu)中，多個(gè)層是一個(gè)層垂直地堆疊在另一個(gè)層上。例如，粘合劑層140可是包括第一層(第一粘合劑層)和第二層(第二粘合劑層)的端面密封粘合劑。

第一層141還可以稱為阻擋層(B層)，并且可以附接到封裝板190面向陣列基板110的表面。第一層141可由含有吸濕劑141a的可固化樹脂141b制成。第一層141的吸濕劑141a通過(guò)物理反應(yīng)或化學(xué)反應(yīng)等來(lái)吸附或除去水分或氧氣。例如，吸濕劑141a可以是反應(yīng)性吸附劑，例如包括氧化鋁在內(nèi)的金屬粉末、金屬氧化物、金屬鹽、五氧化二磷(P₂O₅)或其混合物。對(duì)于另一個(gè)實(shí)例，吸濕劑141-1a可以是諸如二氧化硅、沸石、二氧化鈦、氧化鋯、蒙脫石等的物理吸附劑。

金屬氧化物可以是氧化鋰(Li₂O)、氧化鈉(Na₂O)、氧化鋇(BaO)、氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)。金屬鹽可以是硫酸鹽，例如硫酸鋰(Li₂SO₄)、硫酸鈉(Na₂SO₄)、硫酸鈣(CaSO₄)、硫酸鎂(MgSO₄)、硫酸鈷(CoSO₄)、硫酸鎵(Ga₂(SO₄)₃)、硫酸鈦(Ti(SO₄)₂)或硫酸鎳(NiSO₄)。此外，金屬鹽可以是金屬鹵化物，例如氯化鈣(CaCl₂)、氯化鎂(MgCl₂)、氯化鍶(SrCl₂)、氯化釔(YCl₃)、氯化銅(CuCl₂)、氟化銫(CsF)、氟化鉭(TaF₅)、氟化鈮(NbF₅)、溴化鋰(LiBr)、溴化鈣(CaBr₂)、溴化銫(CeBr₃)、溴化硒(SeBr₄)、溴化釩(VBr₃)、溴化鎂(MgBr₂)、碘化鋇(BaI₂)或碘化鎂(MgI₂)；或金屬氯酸鹽，例如高氯酸鋇(Ba(ClO₄)₂)、高氯酸鎂(Mg(ClO₄)₂)。應(yīng)注意，吸濕劑并不限于上述那些。

第二層142也可稱為透明層(T層)。第二層142基本上由透明的可固化樹脂制成。第二粘合層142可是熱固性樹脂或光固化樹脂。第二層142的可固化樹脂可以與第一層141的可固化樹脂141b相同或不同。例如，可固化樹脂141b可以是包括至少一種熱固化官能團(tuán)的熱固性樹脂，所述熱固化官能團(tuán)例如縮水甘油基、異氰酸酯基、羥基、羧基、酰胺基等。

第二層142的一個(gè)面與陣列基板110和有機(jī)發(fā)光元件(或其上的絕緣膜)接觸，并且可減輕當(dāng)將陣列基板110附接到封裝板190時(shí)所施加的壓力。第二層142的另一個(gè)面與第一層的一個(gè)面接觸。

封裝板190面向陣列基板110。封裝板190的下表面與粘合劑層140接觸。封裝板190可由諸如玻璃、聚合物、金屬等材料制成。封裝板190的材料可以基于OLED裝置100發(fā)射光的方向來(lái)確定。

參考圖3，粘合層140設(shè)置在像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED和其上的封裝板190之間。通常，粘合劑層140附著在封裝板190上，然后籍由粘合劑層140，面向像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED，封裝板190附著到陣列基板110。

圖4示出形成本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的鈍化層的過(guò)程。

鈍化層120是用于保護(hù)像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED的功能層，并且覆蓋像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED以阻擋水分或氧氣的滲透。例如，鈍化層120可以是基于有機(jī)硅化合物的無(wú)機(jī)薄膜。與基于硅烷(SiH₄)或氨(NH₃)制成的鈍化層相比，該鈍化層120具有優(yōu)勢(shì)，因?yàn)檠趸锉∧ぞw管(氧化物TFT)的閾值電壓的偏移會(huì)減小。

可通過(guò)使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)，在像素驅(qū)動(dòng)電路及有機(jī)發(fā)光元件TFT/OLED上沉積氮化硅(SiN_x)基或氧化硅(SiO_x)基化合物，或通過(guò)使用濺射法，沉積氧化鋁(AlO _x)基化合物，來(lái)形成鈍化層120。通常，在PECVD工藝中使用硅烷(SiH₄)氣體和氨(NH₃)氣體以形成SiN_x基或SiO_x基膜。

對(duì)于OLED裝置，為了避免OLED裝置的劣化，在低于100℃的溫度下進(jìn)行PECVD工藝。在PECVD工藝期間，化學(xué)反應(yīng)可不完全地進(jìn)行，以使得在SiH₄和NH₃基氣體中所包含的氫原子(H)可保留在鈍化層120上。在鈍化層120上保留的氫原子隨著時(shí)間甚至擴(kuò)散到像素驅(qū)動(dòng)電路。該擴(kuò)散的氫原子使在像素驅(qū)動(dòng)電路中所包含的薄膜晶體管的氧化物半導(dǎo)體層(溝道層)減少，從而使薄膜晶體管的性能劣化。例如，擴(kuò)散的氫原子可能使得氧化物薄膜晶體管(氧化物TFT)的閾值電壓Vth偏移，從而引起屏幕斑點(diǎn)或亮度不均。

為了解決這些已被本發(fā)明人意識(shí)到的問(wèn)題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式，提供一種抑制擴(kuò)散氫問(wèn)題的鈍化層120及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施方式，提供了一種鈍化層120的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)通過(guò)籍由氧(O₂)、臭氧(O₃)或一氧化二氮(N₂O)等離子體而使得有機(jī)硅化合物聚合的反應(yīng)，減少了Si-CH₃鍵。通常，在Si-CH₃鍵中所包含的氫原子具有弱的鍵合力，由于它們?cè)诘蜏叵路磻?yīng)，并因此它們隨時(shí)間擴(kuò)散，從而發(fā)生上述問(wèn)題。因此，通過(guò)籍由本文所述的聚合方法而減少Si-CH₃鍵的數(shù)量(量)，該與擴(kuò)散的氫原子相關(guān)的缺陷或問(wèn)題可有效地得以抑制。

有機(jī)硅化合物可以是，例如，HMDSN(六甲基二硅氮烷：C₆H₁₉NSi₂)或HMDSO(六甲基二硅氧烷：C₆H₁₈OSi₂)。圖4示出了利用HMDSO制造鈍化層120的過(guò)程。圖4(a)示出了以等離子體相沉積HMDSO的過(guò)程。圖4(b)示出了等離子體相的氧與等離子體相的HMDSP反應(yīng)的過(guò)程。在圖4所示的反應(yīng)中，可引入諸如氬(Ar)之類的惰性氣體以促進(jìn)反應(yīng)。

在圖4(a)所示的過(guò)程中，在HMDSO的Si-O鍵彼此分離之后，HMDSO的一部分沉積為SiO(CH₃)₃，形成鈍化層120。另一方面，在圖4(b)所示的過(guò)程中，在HMDSO的Si-O鍵彼此分離之后，甲基(CH₃)被氧原子(O)取代，形成鈍化層120。結(jié)果，在鈍化層120中的碳原子(C)和氫原子(H)的含量變得極少。也就是說(shuō)，在圖4(b)所示的過(guò)程中，通過(guò)有機(jī)硅化合物和氧(或一氧化二氮、臭氧)之間的氧化反應(yīng)來(lái)產(chǎn)生鈍化層120。

在根據(jù)圖4(a)所示的過(guò)程制得的鈍化層120中，在Si-CH₃鍵中所包含的氫原子隨時(shí)間擴(kuò)散。這些氫原子導(dǎo)致上述的問(wèn)題，即，不期望的TFT特性偏移。與之相反，在根據(jù)圖4(b)所示的過(guò)程制得的鈍化層120中，存在極少量的Si-CH₃鍵，因此由擴(kuò)散的氫原子引起的問(wèn)題可得到抑制。

也就是說(shuō)，鈍化層120中的Si-CH₃鍵越少，顯示裝置則表現(xiàn)出越好的性能。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的鈍化層120對(duì)于使用氧化物TFT的OLED裝置特別有利，因?yàn)榘哂醒趸锇雽?dǎo)體層的TFT的像素驅(qū)動(dòng)電路更易受到氫的影響。

舉例來(lái)說(shuō)，Si-CH₃鍵的量遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于Si-O鍵的量，例如1/1000或更少。為了定量測(cè)量化合物中各種鍵的量，可以使用傅里葉變換紅外光譜(FT-IR)。FT-IR是一種使用紅外范圍內(nèi)的、相位已由干涉儀調(diào)制的白光的紅外光譜儀。

具體地，紅外線照射到樣品上，測(cè)量與偶極矩變化下的分子的振動(dòng)和旋轉(zhuǎn)對(duì)應(yīng)的能量吸收。在分子中，原子正在振動(dòng)或旋轉(zhuǎn)。通過(guò)這類運(yùn)動(dòng)，分子吸收紅外范圍內(nèi)的特定波長(zhǎng)的光。吸收光的波長(zhǎng)由分子中的原子之間的鍵決定，幾乎與分子的尺寸或其它部分的結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)。因此，通過(guò)分析，可以獲得關(guān)于原子之間的鍵的類型、分子的官能團(tuán)等的信息。

圖5是示出使用FT-IR分別分析籍由圖4所示的過(guò)程制得的鈍化層的一些結(jié)果的曲線圖。圖5(a)是示出分析籍由圖4(a)所示的過(guò)程制得的鈍化層的一些結(jié)果的曲線圖。圖5(b)是示出分析籍由圖4(b)所示的過(guò)程制得的鈍化層的一些結(jié)果的曲線圖。在這些曲線圖上，對(duì)特定波長(zhǎng)的特定鍵合反應(yīng)顯示為峰?？梢钥闯觯趫D5(a)中在對(duì)應(yīng)于Si-CH₃鍵的波長(zhǎng)處出現(xiàn)峰值，而在圖5(b)卻沒(méi)有。也就是說(shuō)，可以得出結(jié)論，通過(guò)如圖4(b)所示的本實(shí)施方式的過(guò)程所得的鈍化層存在最小限度的Si-CH₃鍵。

為了籍由FT-IR分析來(lái)定量地測(cè)量特定的鍵，對(duì)圖5中所示曲線圖上與該鍵對(duì)應(yīng)的區(qū)間進(jìn)行積分，該值可表示為該鍵的強(qiáng)度。在圖5(a)中，Si-CH₃鍵與Si-O鍵的強(qiáng)度比率約為4/1000。在圖5(b)中，Si-CH₃鍵合與Si-O鍵合的強(qiáng)度比率接近零。此外，對(duì)具有圖5所示特性的樣品的可靠性能進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果示于表1中。從表1可以看出，具有圖5(a)所示特性的樣品具有在顯示屏上可見(jiàn)的強(qiáng)亮點(diǎn)，但是具有圖5(b)所示特性的樣品卻沒(méi)有。

表1

在重復(fù)這樣的測(cè)試之后，本發(fā)明人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)Si-CH₃鍵和Si-O鍵之間的比率為約1/1000或更小時(shí)，亮點(diǎn)不出現(xiàn)。

為了減少這種不希望有的Si-CH₃鍵，本發(fā)明人意識(shí)到，必須考慮反應(yīng)氣體(HMDSO和O₂/N₂O)之間的比率、處理溫度、處理壓力，將反應(yīng)氣體離子化成等離子體所需的能量(RF功率等)等。

根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，一種有機(jī)硅化合物用于沉積鈍化層的過(guò)程中，并且相較于基于SiH₄或NH₃所產(chǎn)生的鈍化層，該有機(jī)硅化合物與等離子體相的氧氣(O₂)、臭氧(O₃)或一氧化二氮(N₂O)進(jìn)行反應(yīng)，從而制造出具有改善的可靠性能的顯示裝置。結(jié)果，可以獲得在氧化物薄膜晶體管(氧化物TFT)的閾值電壓Vth方面的偏移減小的顯示裝置。

本發(fā)明的示例性實(shí)施方式還可以按如下描述：

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種OLED裝置。所述OLED裝置包括：在陣列基板上的像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件；鈍化層，覆蓋所述像素驅(qū)動(dòng)電路和有機(jī)發(fā)光元件，以阻擋水分的滲透；以及在所述鈍化層上的粘合劑層。所述鈍化層是基于一種有機(jī)硅化合物的無(wú)機(jī)薄膜。

鈍化層可通過(guò)有機(jī)硅和氧之間的氧化反應(yīng)而制得。

隨著等離子體相的有機(jī)硅化合物與等離子體相的氧(O₂)、一氧化二氮(N₂O)或臭氧(O₃)進(jìn)行反應(yīng)，可制得鈍化層。

有機(jī)硅化合物可以是HMDSO(六甲基二硅氧烷)或HMDSN(六甲基二硅氮烷)。

鈍化層可通過(guò)在HMDSO或HMDSN中，鍵合到Si上的CH₃用O取代而沉積而得。

鈍化層可包括小于Si-O鍵的量的1/1000的Si-CH₃鍵。

像素驅(qū)動(dòng)電路可包括具有氧化物半導(dǎo)體層的薄膜晶體管TFT。

與基于硅烷(SiH₄)或氨(NH₃)制得的鈍化層相比，薄膜晶體管的閾值電壓的偏移可減小。

粘合劑層可包括由具有吸濕劑的樹脂形成的第一粘合劑層，和由透明樹脂形成的第二粘合劑層。

第一粘合劑層可連接到陣列基板和朝向陣列基板的封裝板上，第二粘合劑層可以附接到鈍化層和圍繞著鈍化層的陣列基板的一部分上。

封裝板可由玻璃、聚合物或金屬制成。

至此，已參照附圖詳細(xì)地描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。然而，本發(fā)明并不限于這些示例性實(shí)施方式，并且在不背離本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思的情況下可對(duì)其進(jìn)行修改和變化。因此，在此描述的示例性實(shí)施方式僅僅是說(shuō)明性的，并不旨在限制本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思不受示例性實(shí)施方式的限制。因此，應(yīng)當(dāng)理解，上述實(shí)施方式在所有方面不是限制性的，而是說(shuō)明性的。本發(fā)明所尋求的保護(hù)范圍僅由所附權(quán)利要求限定，并且其所有等同物被解釋為落入本發(fā)明的真實(shí)范圍內(nèi)。