本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域，具體而言，涉及一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置及照明裝置。
背景技術(shù)：
：量子點(diǎn)電致發(fā)光二極管(Quantumdotlight-emittingdiode，QLED)是一種電流直接激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光的器件。QLED的工作原理與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)非常接近，都是外電路通過(guò)正負(fù)兩個(gè)電極分別向器件內(nèi)注入電子和空穴，注入的載流子一般通過(guò)載流子注入層和傳輸層到達(dá)發(fā)光層復(fù)合發(fā)光。不同的是，OLED中的發(fā)光層主要采用具有共軛結(jié)構(gòu)的有機(jī)分子，而QLED中的發(fā)光層則采用無(wú)機(jī)量子點(diǎn)材料來(lái)?yè)?dān)當(dāng)。相比于共軛有機(jī)分子材料，無(wú)機(jī)量子點(diǎn)具有更強(qiáng)的化學(xué)穩(wěn)定性，因此，QLED具有更長(zhǎng)的使用壽命。除此之外，QLED的電致發(fā)光光譜具有更窄的半高寬，在色純度上要優(yōu)于OLED。因此，QLED市場(chǎng)前景十分可觀。目前的QLED器件中，一般采用從上往下依次為陰極、電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層、空穴傳輸層、陽(yáng)極的結(jié)構(gòu)，其中空穴傳輸材料因?yàn)镠OMO能級(jí)(已占有電子的能級(jí)最高的軌道稱為最高已占軌道，用HOMO表示，未占有電子的能級(jí)最低的軌道稱為最低未占軌道，用LUMO表示。兩者統(tǒng)稱為前線軌道，處在前線軌道上的電子稱為前線電子。前線軌道理論認(rèn)為：分子中有類似于單個(gè)原子的“價(jià)電子”存在，分子的價(jià)電子就是前線電子，因此在分子之間的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中，最先作用的分子軌道是前線軌道，其關(guān)鍵作用的電子是前線電子。因?yàn)榉肿拥腍OMO對(duì)其電子的束縛較為松弛，具有電子給予體的性質(zhì)，而LUMO則奪電子的親和力較強(qiáng)，具有電子接受體的性質(zhì)，這兩種軌道最易互相作用，在化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中起著重要作用)范圍和量子點(diǎn)價(jià)帶能級(jí)(通常指半導(dǎo)體或絕緣體中，在絕對(duì)零度下能夠被電子占滿的最高能帶。對(duì)半導(dǎo)體而言，此能帶中的能級(jí)基本上是連續(xù)的。全充滿的能帶中的電子不能在固體中自由運(yùn)動(dòng)。若該電子受到光照，則可吸收足夠能量而跳入下一個(gè)容許的最高能區(qū)，從而使價(jià)帶變成部分充填，此時(shí)價(jià)帶中留下的電子可在固體中自由運(yùn)動(dòng))范圍之間存在較大差距，形成較大的空穴注入勢(shì)壘，不利于器件中空穴的注入和傳輸，而電子傳輸材料的電子傳輸能力往往優(yōu)于空穴傳輸材料的空穴傳輸能力，這就導(dǎo)致了器件中電子和空穴注入不平衡的現(xiàn)象的出現(xiàn)，注入過(guò)快的電子會(huì)被浪費(fèi)掉，從而降低了器件的發(fā)光效率。因此，需要對(duì)現(xiàn)有技術(shù)改進(jìn)，以解決電子和空穴注入不平衡導(dǎo)致的量子點(diǎn)發(fā)光器件發(fā)光效率低的問(wèn)題。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于提供一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置及照明裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電子和空穴注入不平衡導(dǎo)致的發(fā)光效率低的問(wèn)題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括依次排列的陰極、第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層和陽(yáng)極，n為整數(shù)，且2≤n≤6，在第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層中，第二層電子傳輸層至第n層電子傳輸層中的至少一層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層的電子遷移率。進(jìn)一步地，n＞2，在第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層中，第n-1層電子傳輸層的電子遷移率大于第n層電子傳輸層的電子遷移率，和/或第n-1層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)高于第n層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)。進(jìn)一步地，n＞2，第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層的電子遷移率逐層遞減。進(jìn)一步地，n＞2，第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)逐層降低。進(jìn)一步地，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括第一層電子傳輸層和第二層電子傳輸層，形成第一層電子傳輸層和/或第二層電子傳輸層的材料選自無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶或有機(jī)半導(dǎo)體材料；優(yōu)選地，無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶選自ZnO、TiO2、SnO2、ZnS、In2O3、CdO、AlP、GaP、PbTe、ZrO2、SrTiO3、MgTe、氧化鉬、氧化鎢、氧化鎳、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢以及硒化鉬中的任意一種；優(yōu)選地，有機(jī)半導(dǎo)體材料選自三鋁、BmPyPB、SiTAZ、TPBi、Liq、聚乙烯咔唑、聚、聚-N,N'-雙聯(lián)苯胺)、4,4',4”-三三苯胺、4,4'-二聯(lián)苯、N'--1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-二-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、聚、聚乙撐二氧噻吩-聚中的一種或多種。進(jìn)一步地，無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶為具有表面配體的納米晶，表面配體選自乙醇胺、巰基丙醇和巰基乙醇中的任意一種。進(jìn)一步地，無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶的粒徑為1～10nm。進(jìn)一步地，第一層電子傳輸層為氧化鋅納米晶或氧化鈦納米晶，形成第二層電子傳輸層的材料為電子遷移率在1×10-5～1.8×10-3cm2v-1s-1范圍內(nèi)的電子傳輸材料。進(jìn)一步地，形成第二層電子傳輸層的材料為電子遷移率為M×10-4cm2v-1s-1且0<M<10的電子傳輸材料。進(jìn)一步地，第一層電子傳輸層為氧化鋅納米晶或氧化鈦納米晶，形成第二層電子傳輸層的材料為最低未占分子軌道能級(jí)在-4.2～-3.1eV范圍內(nèi)的電子傳輸材料。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種顯示裝置，包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述任一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種照明裝置，包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述任一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過(guò)在陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間設(shè)置n層電子傳輸層，并通過(guò)控制沿陰極至量子點(diǎn)發(fā)光層方向上，在第一層電子傳輸層至第n層電子傳輸層中，第二層電子傳輸層至第n層電子傳輸層中的至少一層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層的電子遷移率，由于電子傳輸層材料整體的電子遷移能力減弱，使得電子傳輸速率從整體上降低，進(jìn)而使得電子和空穴的注入速率接近相對(duì)一致，從而提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命。附圖說(shuō)明構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一種優(yōu)選的實(shí)施例中的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。上述附圖包含以下附圖標(biāo)記：10、陰極；1、第一層電子傳輸層；2、第二層電子傳輸層；N-1、第n-1層電子傳輸層；N、第n層電子傳輸層；30、量子點(diǎn)發(fā)光層；40、空穴傳輸層；50、陽(yáng)極。具體實(shí)施方式需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述具體實(shí)施方式，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書中使用術(shù)語(yǔ)“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。正如
背景技術(shù)：
所介紹的，現(xiàn)有技術(shù)中的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件存在電子和空穴注入不平衡，導(dǎo)致的發(fā)光效率較低的技術(shù)問(wèn)題，為了改善上述狀況，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N量子點(diǎn)電致發(fā)光器件、具有其的顯示裝置與照明裝置。在本申請(qǐng)一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括依次排列的陰極10、第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N、量子點(diǎn)發(fā)光層30和陽(yáng)極50，n為整數(shù)，且2≤n≤6，在第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N中，第二層電子傳輸層2至第n層電子傳輸層N中的至少一層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層1的電子遷移率。本申請(qǐng)的上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，通過(guò)在陰極10和量子點(diǎn)發(fā)光層30之間設(shè)置n層電子傳輸層，并通過(guò)控制沿陰極10至量子點(diǎn)發(fā)光層30方向上，在第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N中，第二層電子傳輸層2至第n層電子傳輸層N中的至少一層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層1的電子遷移率，由于電子傳輸層材料整體的電子遷移能力減弱，使得電子傳輸速率從整體上降低，進(jìn)而使得電子和空穴的注入速率接近相對(duì)一致，從而提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命。上述實(shí)施例中，第二層電子傳輸層2至第n層電子傳輸層N中的至少一層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層1的電子遷移率，可以結(jié)合如下例子進(jìn)行介紹：當(dāng)n＝4時(shí)，陰極10和量子點(diǎn)發(fā)光層30之間有四層電子傳輸層，最靠近陰極10的為第一層電子傳輸層1(簡(jiǎn)稱第一層)，第二層至第四層電子傳輸層中的第三層電子傳輸層(簡(jiǎn)稱第三層)的電子遷移率小于第一層的電子遷移率，其中，第二層或第四層電子傳輸層的電子遷移率可以比第一層的大，也可以比第一層的小。由于電子遷移率反映的是電子在單位電壓下運(yùn)動(dòng)的快慢，而在電子從陰極通過(guò)四層電子傳輸層到達(dá)量子點(diǎn)發(fā)光層的過(guò)程中，其快慢主要取決于通過(guò)最慢的那層電子傳輸層的電子遷移率，也就是上述可選實(shí)施例中的第三層，從而相比于只有一層電子傳輸層(相當(dāng)于第一層電子傳輸層)的發(fā)光器件來(lái)說(shuō)，減小了電子的總體遷移率，并且通過(guò)多層電子傳輸層的設(shè)置，可以更準(zhǔn)確的調(diào)整電子的總遷移率，從而使得電子和空穴的注入速率接近相對(duì)一致，使得發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命得以提高。在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中，n>2，在第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N中，第n-1層電子傳輸層N-1的電子遷移率大于第n層電子傳輸層N的電子遷移率，和/或第n-1層電子傳輸層N-1的最低未占分子軌道能級(jí)高于第n層電子傳輸層N的最低未占分子軌道能級(jí)。上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中，當(dāng)n層為多層時(shí)，當(dāng)靠近量子點(diǎn)層的相鄰兩層的電子傳輸層沿電子傳輸方向上的電子遷移率變小，和/或者最低未占分子軌道能級(jí)變低能夠降低電子傳輸速率，從而達(dá)到電子和空穴注入保持平衡，提高發(fā)光器件發(fā)光效率的目的。當(dāng)n層大于2層，比如是3層、4層、5層或者更多層時(shí)，為了進(jìn)一步減緩電子傳輸速率，在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中，第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N的電子遷移率逐層遞減。在另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，第一層電子傳輸層1至第n層電子傳輸層N的最低未占分子軌道能級(jí)逐層遞減。n大于2時(shí)，控制多層電子傳輸層之間具有上述逐漸變化的規(guī)律，更容易控制電子傳輸?shù)乃俾逝c空穴傳輸速率之間的平衡，進(jìn)而利于控制電子注入與空穴注入的平衡，從而提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。當(dāng)n＝2時(shí)，優(yōu)選在第二層電子傳輸層的電子遷移率小于第一層電子傳輸層的電子遷移率外，還可以同時(shí)滿足第二層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)高于第一層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)。在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件包括兩層電子傳輸層，第一層電子傳輸層1和第二層電子傳輸層2，優(yōu)選形成第一層電子傳輸層1和/或第二層電子傳輸層2的材料選自無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶或有機(jī)半導(dǎo)體材料；更優(yōu)選地，無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶選自ZnO、TiO2、SnO2、ZnS、In2O3、CdO、AlP、GaP、PbTe、ZrO2、SrTiO3、MgTe、以及氧化鉬、氧化鎢、氧化鎳、氧化釩、硫化鉬、硫化鎢以及硒化鉬中的任意一種；優(yōu)選地，有機(jī)半導(dǎo)體材料選自三(8-羥基喹啉)鋁、BmPyPB(1,3-雙(3,5-雙嘧達(dá)莫-3-基-苯基)苯)、SiTAZ(3-(4-聯(lián)苯-基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑))、TPBi(1,3,5-三(1-苯基-苯并D咪唑-2-基)苯)、Liq(鋰喹啉配合物)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)(Poly-TPD)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)、N'-(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺(TPD)、聚(3,4-乙撐二氧噻吩)、聚乙撐二氧噻吩-聚(苯乙烯磺酸鹽)中的一種或多種。上述有機(jī)或無(wú)機(jī)的材料作為電子傳輸層具有較低的電子遷移率優(yōu)勢(shì)，通過(guò)從上述材料中選擇具有前述電子遷移率，和/或最低未占分子軌道能級(jí)變化規(guī)律的材料作為電子傳輸材料，能夠更有效地提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。在上述優(yōu)選實(shí)施例中，量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的第一電子傳輸層和/或第二電子傳輸層采用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶時(shí)，優(yōu)選該無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶為具有表面配體的納米晶，表面配體選自乙醇胺、巰基丙醇和巰基乙醇中的任意一種。上述表面配體的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶具有可以通過(guò)調(diào)節(jié)配體碳鏈長(zhǎng)度的方式調(diào)節(jié)電子遷移率的有益效果。上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件中對(duì)無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶的粒徑并無(wú)特殊的限制，在本申請(qǐng)中優(yōu)選粒徑為1～10nm的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶作為電子傳輸材料，粒徑控制在該范圍內(nèi)具有可以通過(guò)增加電子傳輸層中晶面對(duì)電子的散射的方式減小電子遷移率的好處。在本申請(qǐng)一種優(yōu)選的實(shí)施例中，上述量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的第一層電子傳輸層1為氧化鋅納米晶或氧化鈦納米晶，形成第二層電子傳輸層2的材料為電子遷移率在1×10-5～1.8×10-3cm2v-1s-1范圍內(nèi)的電子傳輸材料。由于氧化鋅納米晶或者氧化鈦納米晶的電子遷移率在1.8×10-3～0.18cm2v-1s-1范圍內(nèi)，因而選擇電子遷移率在1×10-5～1.8×10-3cm2v-1s-1范圍內(nèi)的電子傳輸材料形成第二層電子傳輸層2，能夠減小整個(gè)電子傳輸層的電子遷移率，從而實(shí)現(xiàn)電子和空穴的注入平衡，提高發(fā)光器件的發(fā)光效率。在本申請(qǐng)一種更優(yōu)選的實(shí)施例中，形成第二電子傳輸層的材料為電子遷移率為M×10-4cm2v-1s-1，0<M<10的電子傳輸材料。選擇電子遷移率在上述范圍內(nèi)的材料作為第二層電子傳輸層2的材料，具有整個(gè)電子傳輸層的電子遷移率更小從而更好的平衡電子和空穴的注入更優(yōu)異的性能。在本申請(qǐng)另一種優(yōu)選的實(shí)施例中，第一層電子傳輸層1為氧化鋅納米晶或氧化鈦納米晶，形成第二電子傳輸層的材料為最低未占分子軌道能級(jí)在-4.2eV到-3.1eV范圍內(nèi)的電子傳輸材料。選擇最低未占分子軌道能級(jí)在上述范圍內(nèi)的第二電子傳輸層與氧化鋅納米晶或氧化鈦納米晶形成的第一層電子傳輸層1，能夠形成最低未占分子軌道能級(jí)由陰極10向量子點(diǎn)發(fā)光層30逐漸遞減的趨勢(shì)。因而，電子經(jīng)過(guò)上述兩層后傳輸速度降低，從而緩解了空穴與電子注入速度的不平衡性，提高了發(fā)光效率。在本申請(qǐng)的另一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。上述的顯示裝置由于包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，使得顯示裝置的發(fā)光效率較高。本申請(qǐng)的再一種典型的實(shí)施方式中，提供了一種照明裝置，該照明裝置包括量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，該量子點(diǎn)電致發(fā)光器件為上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件。該照明裝置的發(fā)光效率較高。下面將結(jié)合具體的實(shí)施例和附圖來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本申請(qǐng)的有益效果。實(shí)施例1量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的兩層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1為粒徑為1nm的電子遷移率為3.5×10-4cm2v-1s-1氧化鋅納米晶，第二層電子傳輸層2為電子遷移率為1×10-5cm2v-1s-1的三(8-羥基喹啉)鋁(簡(jiǎn)寫為Alq3)電子傳輸材料。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例2量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的兩層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1的材料為粒徑為3nm電子遷移率為1.5×10-3cm2v-1s-1的配有乙醇胺配體的PbTe電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2為粒徑為10nm的、且?guī)в幸掖及繁砻媾潴w的氧化銦納米晶，其電子遷移率為0.9×10-3cm2v-1s-1。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例3量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的三層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1為粒徑為3nm的帶有乙醇胺表面配體的，電子遷移率為0.8×10-3cm2v-1s-1的氧化鋅納米晶，第二層電子傳輸層2的材料為粒徑為5nm，電子遷移率為6.2×10-4cm2v-1s-1的SiTAZ電子傳輸材料，第三層電子傳輸層3的材料為粒徑為10nm，電子遷移率為8×10-5cm2v-1s-1的TPBi電子傳輸材料。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例4量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的三層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-3.8eV的ZnO電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-4.2eV的SrTiO3電子傳輸材料，第三層電子傳輸層3為粒徑為5nm的氧化鉬納米晶，其最低未占分子軌道能級(jí)為-6.7eV。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例5量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的兩層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-3.1eV的MgTe電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2為粒徑為8nm的、最低未占分子軌道能級(jí)為-6.5eV的氧化鎢納米晶。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例6量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的兩層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1的材料為電子遷移率為1.8×10-3cm2v-1s-1的粒徑為5nm的ZnO的電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2為粒徑為10nm的具有乙醇胺配體的、電子遷移率為0.3×10-3cm2v-1s-1的氧化鈦納米晶，氧化鈦納米晶還具有表面配體巰基丙醇。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例7量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的兩層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極，第一層電子傳輸層1為粒徑為30nm、具有乙醇胺配體、電子遷移率為1×10-3cm2v-1s-1的氧化鈦納米晶，第二層電子傳輸層2為電子遷移率為1×10-5cm2v-1s-1的ALq3電子傳輸材料。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例8量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的六層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極。第一層電子傳輸層1的材料為電子遷移率為1.8×10-3cm2v-1s-1的粒徑為5nm的ZnO的電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2的材料為粒徑為3nm電子遷移率為1.5×10-3cm2v-1s-1的配有乙醇胺配體的PbTe電子傳輸材料，第三層電子傳輸層3為粒徑為3nm、具有乙醇胺表面配體、電子遷移率為0.7×10-3cm2v-1s-1的硫化鋅納米晶，第四層電子傳輸層4的材料為粒徑為5nm，電子遷移率為6.2×10-4cm2v-1s-1的SiTAZ電子傳輸材料，第五層電子傳輸層5的材料為電子遷移率為1×10-4cm2v-1s-1的BmPyPB電子傳輸材料，第六層電子傳輸層6的材料為粒徑為10nm，電子遷移率為8×10-5cm2v-1s-1的TPBi電子傳輸材料。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例9量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的六層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極。第一層電子傳輸層1的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-3.1eV的MgTe電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-3.8eV的ZnO電子傳輸材料，第三層電子傳輸層3的材料是最低未占分子軌道能級(jí)為-4.2eV的SrTiO3電子傳輸材料，第四層電子傳輸層4為粒徑為8nm的、最低未占分子軌道能級(jí)為-6.5eV的氧化鎢納米晶，第五層電子傳輸層5為粒徑為5nm的氧化鉬納米晶，其最低未占分子軌道能級(jí)為-6.7eV。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。實(shí)施例10量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，包括陰極10和陽(yáng)極50以及從陰極10至陽(yáng)極50依次設(shè)置的四層電子傳輸層、量子點(diǎn)發(fā)光層30以及空穴傳輸層40，其中，陰極10為Ag極。第一層電子傳輸層1的材料為粒徑為3nm電子遷移率為1.5×10-3cm2v-1s-1的配有乙醇胺配體的PbTe電子傳輸材料，第二層電子傳輸層2的材料為電子遷移率為1.8×10-3cm2v-1s-1的粒徑為5nm的ZnO的電子傳輸材料，第三層電子傳輸層3為粒徑為3nm、具有乙醇胺表面配體、電子遷移率為0.7×10-3cm2v-1s-1的硫化鋅納米晶，第四層電子傳輸層4的材料為電子遷移率為1×10-4cm2v-1s-1的BmPyPB電子傳輸材料。量子點(diǎn)發(fā)光層30為CdSe/ZnS紅色核殼量子點(diǎn)，其吸收光譜的波長(zhǎng)范圍在300～610nm，空穴傳輸層40為聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸PEDOT：PSS和聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯(lián)苯胺)，陽(yáng)極50為銦錫氧化物(ITO)。對(duì)比例除僅含有一層粒徑為1nm的氧化鋅納米晶電子傳輸層，不含有第二電子傳輸層外，對(duì)比例的其余層結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1完全相同。對(duì)上述各實(shí)施例與對(duì)比例的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件的性能進(jìn)行測(cè)試，采用Keithley2400測(cè)定量子點(diǎn)發(fā)光器件的電流密度-電壓曲線，采用積分球(FOIS-1)結(jié)合海洋光學(xué)的光譜儀(QE-6500)測(cè)定量子點(diǎn)發(fā)光器件的亮度，根據(jù)測(cè)定得到的電流密度與亮度計(jì)算量子點(diǎn)發(fā)光器件的外量子效率，外量子效率表征在觀測(cè)方向上發(fā)光器件發(fā)出的光子數(shù)與注入器件的電子數(shù)之間的比值，是表征器發(fā)光器件發(fā)光效率的重要參數(shù)，外量子效率越高，說(shuō)明器件的發(fā)光效率越高。具體的測(cè)試結(jié)果見表1。表1：外量子效率(％)實(shí)施例114.3實(shí)施例213.9實(shí)施例313.8實(shí)施例414.1實(shí)施例513.7實(shí)施例613.5實(shí)施例712.2實(shí)施例811.6實(shí)施例911.7實(shí)施例1012.3對(duì)比例10.8由表1的測(cè)試結(jié)果可知，與對(duì)比例的測(cè)試結(jié)果相比，由于多層電子傳輸層中，從陰極至量子點(diǎn)發(fā)光層30的傳輸過(guò)程中，最靠近陰極的電子傳輸層的電子遷移率大于其他電子傳輸層中的任意一層的電子遷移率，或者還滿足最靠近量子點(diǎn)發(fā)光層30的兩層電子傳輸層的電子遷移率和最低未占分子軌道能級(jí)逐漸降低的兩個(gè)條件中的至少一個(gè)，從而使得電子傳輸速度從整體上有所降低，使得空穴與電子的注入速度達(dá)到接近相對(duì)平衡，進(jìn)而使得實(shí)施例1至實(shí)施例10的外量子效率較高。與實(shí)施例1至實(shí)施例6相比，實(shí)施例7由于其的電子傳輸層中的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶的粒徑不在1～10nm之間，由于其粒徑較大、電子傳輸層的厚度較厚，阻礙了電子的注入，但阻礙程度較大，且略小于空穴的注入速率，使其外量子效率較低。從以上的描述中，可以看出，本申請(qǐng)上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果：1)通過(guò)在陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層30之間設(shè)置n層電子傳輸層，并通過(guò)控制沿陰極至量子點(diǎn)發(fā)光層30方向上，第n-1層電子傳輸層比第n層電子傳輸層的電子遷移率大，或者第n-1層電子傳輸層比第n層電子傳輸層的最低未占分子軌道能級(jí)高，使得電子在由第一層電子傳輸層到第n層電子傳輸層的傳輸過(guò)程中電子傳輸速率逐漸降低，使得電子和空穴的注入速率保持相對(duì)一致，進(jìn)而使得兩者的注入保持相對(duì)平衡，從而提高了發(fā)光器件的發(fā)光效率和使用壽命。2)本申請(qǐng)中的顯示裝置包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，使得顯示裝置的發(fā)光效率較高。3)本申請(qǐng)中的照明裝置由于包括上述的量子點(diǎn)電致發(fā)光器件，其發(fā)光效率較高。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3