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      一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法與流程

      文檔序號(hào):11100850閱讀:478來(lái)源:國(guó)知局
      一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法與制造工藝

      本發(fā)明屬于微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法。



      背景技術(shù):

      微系統(tǒng)三維封裝技術(shù)可有效提高器件集成密度,降低電子產(chǎn)品尺寸、提高性能和降低功耗。其中,金屬-金屬界面鍵合是三維封裝的主要結(jié)構(gòu)形式,不僅能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械連接,同時(shí)還能夠提供電互連和導(dǎo)熱路徑,成為堆棧鍵合的首選。其鍵合機(jī)理是在一定的溫度和壓力作用下,相互接觸的界面銅原子間相互擴(kuò)散,形成牢固的鍵合。然而,金屬鍵合面的潔凈度、光滑度、擴(kuò)散鍵合的充分性以及鍵合過(guò)程中產(chǎn)生的裂紋、空洞、位錯(cuò)等缺陷成為影響鍵合質(zhì)量的重要且難以安全避免的因素。尤其是對(duì)于最常用的熱壓鍵合,需要采用較高的鍵合壓力和溫度(350℃-400℃),但如此苛刻的工藝條件會(huì)導(dǎo)致高熱應(yīng)力和熱損傷,繼而形成大量濺射缺陷,影響三維封裝的鍵合強(qiáng)度和導(dǎo)電導(dǎo)熱性能。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      有鑒于此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法,本發(fā)明提供的方法在常溫下實(shí)施,增強(qiáng)了鍵合工藝可靠性。

      本發(fā)明提供了一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法,包括以下步驟:

      A)向兩個(gè)器件間的金屬鍵合層施加力載荷,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;

      B)改變施加于所述金屬鍵合層的力載荷的方向,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;

      C)重復(fù)步驟B)。

      優(yōu)選的,在步驟A)或步驟B)中,所述力載荷與所述金屬鍵合層的夾角為30°~90°,所述力載荷的大小為0.5~3Mpa。

      優(yōu)選的,在步驟A)或步驟B)中,所述施加力載荷的時(shí)間為60~120s,所述連接周期性脈沖電流的時(shí)間為2~5s。

      優(yōu)選的,在步驟A)或步驟B)中,所述周期性脈沖電流幅值為10~100安培,脈寬為1~2毫秒,頻率大于50赫茲。

      優(yōu)選的,重復(fù)步驟B)的次數(shù)為2-10次。

      優(yōu)選的,所述改變施加于所述鍵合層的力載荷的方向的角度變化不小于15°。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供了一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法,包括以下步驟:A)向兩個(gè)器件間的金屬鍵合層施加力載荷,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;B)改變施加于所述金屬鍵合層的力載荷的方向,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;C)重復(fù)步驟B)。本發(fā)明利用脈沖電流在鍵合缺陷處的集聚效應(yīng)和焦耳熱效應(yīng)促進(jìn)原子的擴(kuò)散,并在外部載荷作用下實(shí)現(xiàn)缺陷愈合,進(jìn)而減少封裝鍵合缺陷。本發(fā)明所述方法工藝簡(jiǎn)單、操作方便,且在常溫下實(shí)施,增強(qiáng)了鍵合工藝可靠性,在三維封裝、微光機(jī)電系統(tǒng)制造等領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。

      附圖說(shuō)明

      圖1為本發(fā)明提供的減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法的流程示意圖。

      具體實(shí)施方式

      本發(fā)明提供了一種減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法,其特征在于,包括以下步驟:

      A)向兩個(gè)器件間的金屬鍵合層施加力載荷,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;

      B)改變施加于所述金屬鍵合層的力載荷的方向,同時(shí),在所述金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流;

      C)重復(fù)步驟B)。

      本發(fā)明首先向兩個(gè)器件間的金屬鍵合層施加力載荷。在本發(fā)明中,所述金屬鍵合層的厚度優(yōu)選為500nm。所述金屬鍵合層的金屬的種類優(yōu)選為鎳、銅或金。

      在向所述金屬鍵合層施加力載荷時(shí),所述力載荷與所述金屬鍵合層的夾角為30°~90°,優(yōu)選的,所述夾角為30°,45°,60°或90°;所述力載荷的大小為0.5~3Mpa,優(yōu)選為1~2.5MPa,更優(yōu)選為1.5~2MPa。所述施加力載荷的時(shí)間為60~120s,優(yōu)選為80~100s。

      在向所述金屬鍵合層施加力載荷的同時(shí),在金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流。其中,所述周期性脈沖電流幅值優(yōu)選為10~100安培,更優(yōu)選為30~70安培;脈寬1~2毫秒,頻率大于50赫茲,優(yōu)選為50~100赫茲;連接所述周期性脈沖電流的時(shí)間優(yōu)選為2~5秒,更優(yōu)選為3~4秒。

      接著,改變施加于所述金屬鍵合層的力載荷的方向,同時(shí),在金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流。

      即,在步驟A)的基礎(chǔ)上,相對(duì)于步驟A)施加于金屬鍵合層的力載荷的方向,步驟B)改變了施加力載荷的方向。所述改變施加于所述鍵合層的力載荷的方向的角度變化不小于15°,優(yōu)選為15°。

      其中,步驟B)中,所述力載荷與所述金屬鍵合層的夾角為30°~90°,且與步驟A)的力載荷的方向不同,所述力載荷的大小為0.5~3Mpa,優(yōu)選為1~2.5MPa,更優(yōu)選為1.5~2MPa。所述施加力載荷的時(shí)間為60~120s,優(yōu)選為80~100s。

      在向所述兩個(gè)金屬鍵合層施加力載荷的同時(shí),在兩個(gè)金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流。其中,所述周期性脈沖電流幅值優(yōu)選為10~100安培,更優(yōu)選為30~70安培;脈寬1~2毫秒,頻率大于50赫茲,優(yōu)選為50~100赫茲;連接所述周期性脈沖電流的時(shí)間優(yōu)選為2~5秒,更優(yōu)選為3~4秒。

      接著,重復(fù)步驟B),同樣的,在步驟B)的基礎(chǔ)上,相對(duì)于步驟C)施加于金屬鍵合層的力載荷的方向,步驟C)改變了施加力載荷的方向。所述改變施加于所述鍵合層的力載荷的方向的角度變化不小于15°,優(yōu)選為15°。

      其中,步驟C)中,所述力載荷與所述金屬鍵合層的夾角為30°~90°,且與步驟B)的力載荷的方向不同,所述力載荷的大小為0.5~3Mpa,優(yōu)選為1~2.5MPa,更優(yōu)選為1.5~2MPa。所述施加力載荷的時(shí)間為60~120s,優(yōu)選為80~100s。

      在向所述兩個(gè)金屬鍵合層施加力載荷的同時(shí),在兩個(gè)金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流。其中,所述周期性脈沖電流幅值優(yōu)選為10~100安培,更優(yōu)選為30~70安培;脈寬1~2毫秒,頻率大于50赫茲,優(yōu)選為50~100赫茲;連接所述周期性脈沖電流的時(shí)間優(yōu)選為2~5秒,更優(yōu)選為3~4秒。

      在本發(fā)明中,所述重復(fù)步驟B)的次數(shù)為2~10次,優(yōu)選為2次,且每次施加力載荷的方向與上一次施加力載荷的方向不同。

      本發(fā)明在對(duì)器件實(shí)施鍵合時(shí)在常溫下進(jìn)行,即20~30℃。

      結(jié)合圖1,對(duì)本發(fā)明提供的減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,圖1為本發(fā)明提供的減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法的流程示意圖。圖1中,1和3為鍵合器件,2為金屬鍵合層,4為施加于金屬鍵合層的力載荷。

      具體的,向兩個(gè)鍵合后的器件間的金屬鍵合層施加力載荷,同時(shí),在兩個(gè)金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流,力載荷依然施加于金屬鍵合層,力載荷持續(xù)一定時(shí)間后,改變力載荷的方向,同時(shí),在兩個(gè)金屬鍵合層的界面間連接周期性脈沖電流,且每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,持續(xù)一定時(shí)間后斷開(kāi)電流。重復(fù)上述改變力載荷的方向,同時(shí)施加周期性脈沖電流,且施加力載荷方向的時(shí)間大于施加周期性脈沖電流的時(shí)間,重復(fù)次數(shù)為2~10次,完成器件的鍵合。

      在本發(fā)明中,脈沖電流在通過(guò)鍵合界面的缺陷時(shí),因電流集聚效應(yīng)和尖端效應(yīng),會(huì)形成局部焦耳熱,改變?nèi)毕輩^(qū)域原子熱平衡,促進(jìn)原子擴(kuò)散以愈合裂紋、空洞等缺陷。而外部負(fù)載形成內(nèi)應(yīng)力改變?nèi)毕輩^(qū)域力平衡,進(jìn)而促進(jìn)裂紋等缺陷的愈合。鑒于此,綜合利用脈沖電流和外部載荷的方法,能夠有效促進(jìn)鍵合結(jié)構(gòu)缺陷的愈合,提高金屬界面封裝鍵合質(zhì)量。

      本發(fā)明利用脈沖電流在鍵合缺陷處的集聚效應(yīng)和焦耳熱效應(yīng)促進(jìn)原子的擴(kuò)散,并在外部載荷作用下實(shí)現(xiàn)缺陷愈合,進(jìn)而減少封裝鍵合缺陷。本發(fā)明所述方法工藝簡(jiǎn)單、操作方便,且在常溫下實(shí)施,增強(qiáng)了鍵合工藝可靠性,在三維封裝、微光機(jī)電系統(tǒng)制造等領(lǐng)域具有應(yīng)用前景。

      為了進(jìn)一步理解本發(fā)明,下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的減少微系統(tǒng)金屬界面封裝鍵合缺陷的方法進(jìn)行說(shuō)明,本發(fā)明的保護(hù)范圍不受以下實(shí)施例的限制。

      實(shí)施例1

      (1)采用標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝清洗器件襯底,然后通過(guò)濺射工藝在襯底上沉積金屬銅(Cu),形成金屬鍵合層,金屬鍵合層的厚度為500nm。

      (2)將兩個(gè)復(fù)合有金屬鍵合層的器件的金屬鍵合層相對(duì)疊加鍵合后,通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈60°夾角的2Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1.5毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間3秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)80秒。

      (3)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈90°夾角的2Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1.5毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間3秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)80秒。

      (4)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈45°夾角的2Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1.5毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間3秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)80秒。

      (5)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈30°夾角的2Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1.5毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間3秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)80秒,完成兩個(gè)器件的鍵合。

      實(shí)施例2

      (1)采用標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝清洗器件襯底,然后通過(guò)濺射工藝在襯底上沉積金屬銅(Cu),形成金屬鍵合層,金屬鍵合層的厚度為500nm。

      (2)將兩個(gè)復(fù)合有金屬鍵合層的器件的金屬鍵合層相對(duì)疊加鍵合后,通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈30°夾角的0.5Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1毫秒,頻率50赫茲,持續(xù)施加時(shí)間2秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)60秒。

      (3)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈45°夾角的0.5Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1毫秒,頻率50赫茲,持續(xù)施加時(shí)間2秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)60秒。

      (4)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈60°夾角的0.5Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1毫秒,頻率50赫茲,持續(xù)施加時(shí)間2秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)60秒。

      (5)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈90°夾角的0.5Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值30安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬1毫秒,頻率50赫茲,持續(xù)施加時(shí)間2秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)60秒,完成兩個(gè)器件的鍵合。

      實(shí)施例3

      (1)采用標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝清洗器件襯底,然后通過(guò)濺射工藝在襯底上沉積金屬銅(Cu),形成金屬鍵合層,金屬鍵合層的厚度為500nm。

      (2)將兩個(gè)復(fù)合有金屬鍵合層的器件的金屬鍵合層相對(duì)疊加鍵合后,通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈90°夾角的3Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值100安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬2毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間5秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)120秒。

      (3)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈60°夾角的3Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值100安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬2毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間5秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)120秒。

      (4)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈45°夾角的3Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值100安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬2毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間5秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)120秒。

      (5)通過(guò)器件向鍵合界面施加與鍵合界面呈30°夾角的3Mpa壓力;然后,在鍵合界面施加周期性脈沖電流,幅值100安培,每個(gè)周期包括兩個(gè)同幅反向電流脈沖,脈寬2毫秒,頻率100赫茲,持續(xù)施加時(shí)間5秒;斷開(kāi)電流后在上述壓力狀態(tài)下持續(xù)120秒,完成兩個(gè)器件的鍵合。

      以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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