技術總結
本發(fā)明公開了一種直接生長在泡沫鎳基底上的二硫化三鎳薄膜電極及其制備方法，以泡沫鎳為基底和鎳源，以硫脲作為硫化劑，以乙二醇作為溶劑，通過簡單的溶劑熱法獲得直接生長在泡沫鎳表面的二硫化三鎳薄膜電極。該制備方法具有工藝簡單、成本低等優(yōu)點，適合大規(guī)模工業(yè)化生產。本發(fā)明還公開了所述二硫化三鎳電極的應用，所述二硫化三鎳薄膜電極呈現(xiàn)多孔納米結構，有利于材料與電解質充分接觸；二硫化三鎳以泡沫鎳作為鎳源生長，與基底結合非常牢固，有利于電荷的快速傳遞，因此得到的二硫化三鎳具有很好的倍率性能和優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性，是理想的超級電容器電極材料。

技術研發(fā)人員：肖婷;李錦;譚新玉;向鵬;姜禮華
受保護的技術使用者：三峽大學
文檔號碼：201611122791
技術研發(fā)日：2016.12.08
技術公布日：2017.05.17