技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種基于Ga2O3材料的復(fù)合型雙柵高速PMOS器件及其制備方法。該方法包括：選取N型半絕緣襯底，采用分子束外延生長(zhǎng)N型β?Ga2O3層；采用干法刻蝕形成臺(tái)面，在臺(tái)面兩側(cè)位置處采用離子注入工藝形成源區(qū)和漏區(qū)；在N型β?Ga2O3襯底位于源區(qū)和漏區(qū)的兩個(gè)斜面位置處形成源電極和漏電極；在N型β?Ga2O3臺(tái)面另外兩個(gè)斜面處利用磁控濺射工藝在靠近源區(qū)側(cè)形成第一柵介質(zhì)層；在N型β?Ga2O3襯底另外兩個(gè)斜面處利用磁控濺射工藝在靠近漏區(qū)側(cè)形成第二柵介質(zhì)層以形成復(fù)合型雙柵介質(zhì)層；在復(fù)合型雙柵介質(zhì)層表面形成柵電極。本發(fā)明基于Ga2O3材料，通過(guò)采用兩種不同介電常數(shù)的材料作為復(fù)合型柵氧化層以傳輸空穴阻擋電子提高傳輸速率。

技術(shù)研發(fā)人員：元磊;張弘鵬;賈仁需;張玉明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611124459
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.08
技術(shù)公布日：2017.02.22