本發(fā)明涉及OLED顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種量子點(diǎn)彩膜顯示面板及其制作方法。

背景技術(shù)：

在信息社會(huì)的當(dāng)代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進(jìn)一步加強(qiáng)，為了在未來占據(jù)主導(dǎo)地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質(zhì)量的趨勢(shì)發(fā)展。

量子點(diǎn)材料是指粒徑在1-100nm之間的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體納米晶粒，于電子和空穴被量子限域，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級(jí)結(jié)構(gòu)，受激后可以發(fā)射熒光。由于其分立能級(jí)結(jié)構(gòu)，光譜半波寬較窄，因此發(fā)射的光色純度較高，能夠明顯提高顯示面板的色域。另外，可以簡(jiǎn)單的通過調(diào)整量子點(diǎn)尺寸的大小來調(diào)節(jié)發(fā)射光的波長(zhǎng)，因此提供使用光致發(fā)光量子點(diǎn)來提高顯示面板的顯示效果成為各大顯示器廠商的有效選擇。

目前，光致發(fā)光量子點(diǎn)已廣泛應(yīng)用于液晶顯示的背光領(lǐng)域，在OLED顯示技術(shù)方面，其也可以作為CF，提高顯示色域，簡(jiǎn)化OLED面板的制備工藝，但目前量子點(diǎn)作為CF的制作工藝都較為復(fù)雜，有待簡(jiǎn)化和改善。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)的量子點(diǎn)彩膜顯示面板及其制作方法。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法，包括以下步驟：

在基板上設(shè)置像素電極層，該像素電極層包括紅光像素區(qū)、綠光像素區(qū)、藍(lán)光像素區(qū)以及設(shè)置于發(fā)光區(qū)之間的間隔部；

在像素電極層上形成發(fā)光層，該發(fā)光層包括位于紅光像素區(qū)上的第一發(fā)光區(qū)，位于綠光像素區(qū)上的第二發(fā)光區(qū)，位于藍(lán)光像素區(qū)上的第三發(fā)光區(qū)，以及位于間隔部上的遮光區(qū)；

在發(fā)光層上形成公共電極層，該公共電極層包括位于第一發(fā)光區(qū)上的第一公共電極區(qū)，位于第二發(fā)光區(qū)上的第二公共電極區(qū)，位于第三發(fā)光區(qū)上的第三公共電極區(qū)，以及位于遮光區(qū)上的第四公共電極區(qū)；

在公共電極層上形成量子點(diǎn)層，該量子點(diǎn)層包括位于第一公共電極區(qū)上的紅光量子點(diǎn)層，位于第二公共電極區(qū)上的綠光量子點(diǎn)層，以及位于第四公共電極區(qū)上的金屬遮光層，其中，紅光量子點(diǎn)層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的紅光顯示區(qū)，綠光量子點(diǎn)層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的綠光顯示區(qū)，第三公共電極區(qū)上的區(qū)域?qū)?yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的藍(lán)光顯示區(qū)，金屬遮光層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的非顯示區(qū)。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述在公共電極層上形成量子點(diǎn)層的步驟，包括：

在公共電極層上設(shè)置綠光量子點(diǎn)材料層；

在綠光量子點(diǎn)材料層上設(shè)置紅光量子點(diǎn)材料層；

將藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層去除，以在第一公共電極區(qū)上形成紅光量子點(diǎn)層，在第二公共電極層上形成綠光量子點(diǎn)層；

在第四公共電極層上沉積金屬遮光層，所述金屬遮光層與所述公共電極層電連接。

本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述將藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層去除的步驟，包括：

對(duì)藍(lán)光顯示區(qū)以非顯示區(qū)域的量子點(diǎn)材料層全曝光，對(duì)綠光顯示區(qū)上的量子點(diǎn)材料層半曝光，以形成曝光區(qū)；

對(duì)曝光區(qū)顯影，以去除藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述綠光量子點(diǎn)材料層為含綠光量子點(diǎn)的光阻薄膜層，紅光量子點(diǎn)材料層為含有紅光量子點(diǎn)的光阻薄膜。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述金屬遮光層由高導(dǎo)金屬或者高導(dǎo)金屬的合金制成。

本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述公共電極層由透明導(dǎo)電金屬氧化物或者透明導(dǎo)電金屬薄膜制成。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法中，所述在像素電極層上形成發(fā)光層的步驟包括：

在像素電極層上形成空穴注入層；

在空穴注入層上沉積形成空穴傳輸層；

在空穴傳輸層上沉積形成電子阻擋層；

在電子阻擋層上沉積形成光發(fā)射層；

在光發(fā)射層上沉積形成空穴阻擋層；

在空穴阻擋層上沉積形成電子傳輸層；

在電子傳輸層上沉積形成電子注入層。

本發(fā)明提供一種量子點(diǎn)彩膜顯示面板，包括：

基板；

像素電極層，其設(shè)置于基板上，包括紅光像素區(qū)、綠光像素區(qū)、藍(lán)光像素區(qū)以及設(shè)置于發(fā)光區(qū)之間的間隔部；

發(fā)光層，其設(shè)置于像素電極層上，包括位于紅光像素區(qū)上的第一發(fā)光區(qū)，位于綠光像素區(qū)上的第二發(fā)光區(qū)，位于藍(lán)光像素區(qū)上的第三發(fā)光區(qū)，以及位于間隔部上的遮光區(qū)；

公共電極層，其設(shè)置于發(fā)光層上，包括位于第一發(fā)光區(qū)上的第一公共電極區(qū)，位于第二發(fā)光區(qū)上的第二公共電極區(qū)，位于第三發(fā)光區(qū)上的第三公共電極區(qū)，以及位于遮光區(qū)上的第四公共電極區(qū)；

量子點(diǎn)層，其設(shè)置在公共電極層上，包括位于第一公共電極區(qū)上的紅光量子點(diǎn)層，位于第二公共電極區(qū)上的綠光量子點(diǎn)層，以及位于第四公共電極區(qū)上的金屬遮光層。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板中，所述金屬遮光層由高導(dǎo)金屬或者高導(dǎo)金屬的合金制成。

在本發(fā)明所述的量子點(diǎn)彩膜顯示面板中，所述發(fā)光層包括：

空穴注入層，其設(shè)置在像素電極層上；

空穴傳輸層，其設(shè)置在空穴注入層上；

電子阻擋層，其設(shè)置在空穴傳輸層上；

光發(fā)射層，其設(shè)置在電子阻擋層上；

空穴阻擋層，其設(shè)置在光發(fā)射層上；

電子傳輸層，其設(shè)置在空穴阻擋層上；

電子注入層，其設(shè)置在電子傳輸層上。

相較于現(xiàn)有的量子點(diǎn)彩膜顯示面板及其制作方法，本發(fā)明通過在基板上設(shè)置像素電極層；在像素電極層上形成發(fā)光層；在發(fā)光層上形成公共電極層；在公共電極區(qū)的第一公共電極區(qū)上形成紅光量子點(diǎn)層，在第二公共電極區(qū)上形成綠光量子點(diǎn)層，在第四公共電極區(qū)上形成金屬遮光層。本發(fā)明在公共電極層上設(shè)置金屬遮光層，不僅起到遮光作用，還提高彩膜下端光源的電極的導(dǎo)電性，進(jìn)而有效提高光源的出光率，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。

附圖說明

圖1為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中量子點(diǎn)彩膜顯示面板的第一種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中量子點(diǎn)彩膜顯示面板的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中量子點(diǎn)彩膜顯示面板的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中量子點(diǎn)彩膜顯示面板中發(fā)光層的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中量子點(diǎn)彩膜顯示面板的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6為本發(fā)明的量子點(diǎn)彩膜顯示面板制作方法的優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的模塊是以相同標(biāo)號(hào)表示。

請(qǐng)參照?qǐng)D1和圖2，該量子點(diǎn)彩膜顯示面板包括基板100、像素電極層10、發(fā)光層20、公共電極層30以及量子點(diǎn)層40。

其中，像素電極層10其設(shè)置在基板100上，可將其作為反射電極，用于反射發(fā)光層20發(fā)射的光。而基板100可以為透明的硬性基板或柔性基板，比如，該基板100可以是玻璃、石英、PI(Polyimide Film，聚酰亞胺纖維)層等?；迳暇哂蠺FT(薄膜晶體管)驅(qū)動(dòng)陣列，用于單獨(dú)驅(qū)動(dòng)各發(fā)光器件，實(shí)現(xiàn)圖像顯示。

在一些實(shí)施例中，如圖1所示，像素電極層10可包括紅光像素區(qū)11、綠光像素區(qū)12、藍(lán)光像素區(qū)13以及設(shè)置于發(fā)光區(qū)之間的間隔部14。其中，紅光像素區(qū)11、綠光像素區(qū)12、藍(lán)光像素區(qū)13可由具高電導(dǎo)高反射率的金屬制成，如Al、Ag、Cu、Mo、Au等。此外，還可以疊層設(shè)置多種金屬，或者直接使用金屬的合金制成各像素電極區(qū)。而間隔部14可以為PDL(像素定義層)，其作為絕緣層，可由有機(jī)光阻材料制成，用以界定像素電極層中的像素區(qū)。在具體實(shí)施過程中，間隔部14的厚度可等于或大于各發(fā)光區(qū)的厚度。

發(fā)光層20，其為量子點(diǎn)彩膜顯示面板的發(fā)光部分，設(shè)置在像素電極層10上。該發(fā)光層20發(fā)射藍(lán)光，其可以整面沉積在像素電極層10上，而無(wú)需對(duì)其進(jìn)行圖形化操作。參考圖2，該發(fā)光層20可包括位于紅光像素區(qū)11上的第一發(fā)光區(qū)20A，位于綠光像素區(qū)12上的第二發(fā)光區(qū)20B，位于藍(lán)光像素區(qū)13上的第三發(fā)光區(qū)20C，以及位于間隔部14上的遮光區(qū)20D。需要說明的是，該分區(qū)只是便于后續(xù)結(jié)構(gòu)的說明，而非實(shí)際對(duì)發(fā)光層20進(jìn)行劃分。

發(fā)光層20可分為小分子和高分子兩種主要類型，其結(jié)構(gòu)并不相同。無(wú)論是小分子還是高分子，在薄而透明的具有導(dǎo)電性能的氧化銦錫(ITO膜)陰極與金屬陽(yáng)極之間都有一個(gè)有機(jī)發(fā)光材料層。小分子OLED的發(fā)光層為層狀結(jié)構(gòu)，即由空穴傳輸層、發(fā)光層和電子傳輸層三層組成，而高分子OLED的有機(jī)發(fā)光層為單層結(jié)構(gòu)。

以小分子OLED為例，電子和空穴分別先注入到電子傳輸層和空穴傳輸層，然后再注入到發(fā)光層，在發(fā)光層中電子和空穴相遇而復(fù)合，由于能帶的躍遷而發(fā)出可見光。

參考圖3，在一些實(shí)施方式中，發(fā)光層20可以包括空穴注入層21、空穴傳輸層22、電子阻擋層23、光發(fā)射層24、空穴阻擋層25、電子傳輸層26以及電子注入層。其中，空穴注入層21設(shè)置在像素電極層上；空穴傳輸層22設(shè)置在空穴注入層21上；電子阻擋層23設(shè)置在空穴傳輸層22上；光發(fā)射層24設(shè)置在電子阻擋層23上；空穴阻擋層25設(shè)置在光發(fā)射層上24；電子傳輸層26設(shè)置在空穴阻擋層25上；電子注入層27設(shè)置在電子傳輸層26上。

其發(fā)光機(jī)理為：空穴通過空穴注入層21、空穴傳輸層22、電子阻擋層23到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域(即光發(fā)射層24)，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和電子進(jìn)行復(fù)合發(fā)光；電子通過電子注入層25、電子傳輸層26、空穴阻擋層27到達(dá)RGB三色的發(fā)光區(qū)域，在RGB三色的發(fā)光區(qū)域和空穴進(jìn)行復(fù)合發(fā)光。

公共電極層30，其設(shè)置于發(fā)光層20上，其可由透明導(dǎo)電金屬氧化物或者透明導(dǎo)電金屬薄膜制成，以便反射電極(即像素電極層10)反射的光透過該公共電極層30射出。實(shí)際應(yīng)用中，為保證其透光性，可將其厚度設(shè)置為5-25mm。

參考圖2，該公共電極層30包括位于第一發(fā)光區(qū)20A上的第一公共電極區(qū)30A，位于第二發(fā)光區(qū)20B上的第二公共電極區(qū)30B，位于第三發(fā)光區(qū)20C上的第三公共電極區(qū)30C，以及位于遮光區(qū)20D上的第四公共電極區(qū)30D。同樣地，該分區(qū)只是便于后續(xù)結(jié)構(gòu)的說明，而非實(shí)際對(duì)公共電極區(qū)30進(jìn)行劃分。

量子點(diǎn)層40，其設(shè)置在公共電極層30上。參考圖2，其包括位于第一公共電極區(qū)30A上的紅光量子點(diǎn)層41，位于第二公共電極區(qū)30B上的綠光量子點(diǎn)層42，以及位于第四公共電極區(qū)30D上的金屬遮光層43。其中，紅光量子點(diǎn)層42可是含有紅光量子點(diǎn)的光阻薄膜，綠光量子點(diǎn)層42可是含有綠光量子點(diǎn)的光阻薄膜。而第三公共電極區(qū)上無(wú)含量子點(diǎn)的光阻薄膜覆蓋。

本發(fā)明實(shí)施例中，金屬遮光層43可為高導(dǎo)金屬(如Al、Ag、Cu、Mo、Au等)或疊層設(shè)置，還可由各金屬的合金制成。由于金屬遮光層43不透光，因此在量子點(diǎn)層40上，金屬遮光層43可以作為黑矩陣，有效防止不同顏色像素間的顏色串?dāng)_，提高顯示效果。在具體實(shí)施過程中，金屬遮光層43的厚度可設(shè)置大于量子點(diǎn)彩膜的厚度，以更好地起到遮光效果。

此外，由于金屬遮光層43位于量子點(diǎn)彩膜的間隔區(qū)，直接與發(fā)光器件(即發(fā)光層20)的頂部電極(即公共電極30)接觸，加上金屬遮光層43的高導(dǎo)電性，其還可以作為輔助電極使用，有效提高了發(fā)光器件的頂部電極的導(dǎo)電性。

參考圖4，在一些實(shí)施例中，紅光量子點(diǎn)層41可以包括位于第一公共電極區(qū)30A上的綠光量子點(diǎn)材料層411，以及位于綠光量子點(diǎn)材料層411上的紅光量子點(diǎn)材料層412。其中，綠光量子點(diǎn)材料層411可以為含有綠光量子點(diǎn)的光阻薄膜，紅光量子點(diǎn)材料層412可以為含有紅光量子點(diǎn)的光阻薄膜。

在實(shí)際應(yīng)用中，當(dāng)發(fā)光層20發(fā)射的藍(lán)光背光經(jīng)過量子點(diǎn)層40后，藍(lán)光顯示區(qū)藍(lán)光直接透射，綠光顯示區(qū)藍(lán)光經(jīng)綠光量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換成綠光，紅光顯示區(qū)藍(lán)光經(jīng)過紅光量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換成紅光，從而實(shí)現(xiàn)彩色顯示。

參考圖5，該量子點(diǎn)彩膜顯示面板還可以包括封裝層50。該封裝層50可為薄膜晶體管陣列，其設(shè)置在量子點(diǎn)層40上，與公共電極層30形成包覆空間。其中，該包覆空間包覆量子點(diǎn)層40。

本優(yōu)選實(shí)施例的量子點(diǎn)彩膜顯示面板，包括包括基板100、像素電極層10、發(fā)光層20、公共電極層30以及量子點(diǎn)層40。本發(fā)明在公共電極層40上設(shè)置金屬遮光層43，不僅起到遮光作用，還提高彩膜下端光源的電極的導(dǎo)電性，進(jìn)而有效提高光源的出光率，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。

請(qǐng)參照?qǐng)D6，圖6為本發(fā)明的量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法的流程示意圖。該量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法包括以下流程：

S601、在基板上設(shè)置像素電極層，該像素電極層包括紅光像素區(qū)、綠光像素區(qū)、藍(lán)光像素區(qū)以及設(shè)置于發(fā)光區(qū)之間的間隔部。

S602、在像素電極層上形成發(fā)光層，該發(fā)光層包括位于紅光像素區(qū)上的第一發(fā)光區(qū)，位于綠光像素區(qū)上的第二發(fā)光區(qū)，位于藍(lán)光像素區(qū)上的第三發(fā)光區(qū)，以及位于間隔部上的遮光區(qū)。

S603、在發(fā)光層上形成公共電極層，該公共電極層包括位于第一發(fā)光區(qū)上的第一公共電極區(qū)，位于第二發(fā)光區(qū)上的第二公共電極區(qū)，位于第三發(fā)光區(qū)上的第三公共電極區(qū)，以及位于遮光區(qū)上的第四公共電極區(qū)。

S604、在公共電極層上形成量子點(diǎn)層，該量子點(diǎn)層包括位于第一公共電極區(qū)上的紅光量子點(diǎn)層，位于第二公共電極區(qū)上的綠光量子點(diǎn)層，以及位于第四公共電極區(qū)上的金屬遮光層，其中，紅光量子點(diǎn)層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的紅光顯示區(qū)，綠光量子點(diǎn)層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的綠光顯示區(qū)，第三公共電極區(qū)上的區(qū)域?qū)?yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的藍(lán)光顯示區(qū)，金屬遮光層對(duì)應(yīng)量子點(diǎn)彩膜顯示面板的非顯示區(qū)。

以下將結(jié)合圖2和圖4對(duì)以上量子點(diǎn)彩膜顯示面板的制作方法步驟進(jìn)行詳細(xì)描述。

在步驟S601中，紅光像素區(qū)11、綠光像素區(qū)12、藍(lán)光像素區(qū)13可由具高電導(dǎo)高反射率的金屬制成，如Al、Ag、Cu、Mo、Au等。而間隔部14可以為PDL(像素定義層)，其作為絕緣層，可由有機(jī)光阻材料制成，用以界定像素電極層中的像素區(qū)?；?00可以為透明的硬性基板或柔性基板，例如玻璃或者石英等材料。

比如，首先對(duì)基板100進(jìn)行清潔預(yù)處理，在基板100上沉積金屬，再對(duì)其圖形化處理，得到多個(gè)間隔設(shè)置在基板100上的像素電極，然后在各個(gè)像素電極之間的間隔區(qū)域沉積有機(jī)光阻材料，以得到間隔部14。也即，在基板100上設(shè)置像素電極層10的步驟包括：

采用CVD、黃光、刻蝕等方式在基板100上形成像素電極層10。

在步驟S202中，發(fā)光層22為量子點(diǎn)彩膜顯示面板的發(fā)光部分。其中，發(fā)光層22的制備，具體包括依次在像素電極層10表面制備形成空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層，其均可采用蒸鍍方式制備，無(wú)需對(duì)其進(jìn)行圖形化操作。

在步驟S603中，公共電極層30可通過在發(fā)光層20的表面沉積透明導(dǎo)電金屬氧化物制備，或者在發(fā)光層20的表面依次貼敷多層透明導(dǎo)電金屬薄膜制成。反射電極(即像素電極層10)反射的光透過該公共電極層30射出。實(shí)際應(yīng)用中，為保證其透光性，可將其厚度設(shè)置為5-25mm。

在步驟S604中，可以在公共電極層30上沉積一層含綠光量子點(diǎn)的光阻薄膜，然后在含綠光量子點(diǎn)的光阻薄膜上沉積一層含紅光量子點(diǎn)的光阻薄膜，再對(duì)光阻薄膜進(jìn)行曝光。其中，第三公共電極區(qū)30C以及第四公共電極區(qū)30D上的形成的光阻薄膜全曝光，第二公共電極區(qū)30B上形成的光阻薄膜半曝光，第一公共電極區(qū)30A上形成的光阻薄膜不曝光，再對(duì)曝光區(qū)顯影，去除第三公共電極區(qū)30C以及第四公共電極區(qū)30D上的形成的光阻薄膜，以及第二公共電極區(qū)30B上形成的含紅光量子點(diǎn)的光阻薄膜，形成圖案化的量子點(diǎn)彩膜。在第四公共電極區(qū)30D上沉積金屬，以制作金屬遮光層作為黑矩陣。也即，在公共電極層上形成量子點(diǎn)層的步驟，包括：

在公共電極層上設(shè)置綠光量子點(diǎn)材料層；

在綠光量子點(diǎn)材料層上設(shè)置紅光量子點(diǎn)材料層；

將藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層去除，以在第一公共電極區(qū)上形成紅光量子點(diǎn)層，在第二公共電極層上形成綠光量子點(diǎn)層；

在第四公共電極層上沉積金屬遮光層，所述金屬遮光層與所述公共電極層電連接。

其中，金屬遮光層43位于量子點(diǎn)彩膜的間隔區(qū)，直接與發(fā)光器件(即發(fā)光層20)的頂部電極(即公共電極30)接觸，加上金屬遮光層43的高導(dǎo)電性，其還可以作為輔助電極使用，有效提高了發(fā)光器件的頂部電極的導(dǎo)電性。

在一些實(shí)施例中，將藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層去除的步驟，可以包括：

對(duì)藍(lán)光顯示區(qū)以及第四電極層上的量子點(diǎn)材料層全曝光，對(duì)綠光顯示區(qū)上的量子點(diǎn)材料層半曝光，以形成曝光區(qū)；

對(duì)曝光區(qū)顯影，以去除藍(lán)光顯示區(qū)、非顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層和綠光量子點(diǎn)材料層，以及綠光顯示區(qū)的紅光量子點(diǎn)材料層。

在一些實(shí)施例中，還可以在量子點(diǎn)層40上形成封裝層，采用CVD、Sputter工藝、黃光、刻蝕等方式，在量子點(diǎn)層40表面，以及公共電極層30未被覆蓋的部分，形成厚度均勻的封裝層。

本優(yōu)選實(shí)施例的量子點(diǎn)彩膜顯示面板制作方法，在基板上設(shè)置像素電極層；在像素電極層上形成發(fā)光層；在發(fā)光層上形成公共電極層；在公共電極區(qū)的第一公共電極區(qū)上形成紅光量子點(diǎn)層，在第二公共電極區(qū)上形成綠光量子點(diǎn)層，在第四公共電極區(qū)上形成金屬遮光層。本發(fā)明在公共電極層上設(shè)置金屬遮光層，不僅起到遮光作用，還提高彩膜下端光源的電極的導(dǎo)電性，進(jìn)而有效提高光源的出光率，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的圖像顯示。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。