本發(fā)明涉及OLED封裝的技術(shù)領(lǐng)域，具體是涉及一種OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。

背景技術(shù)：

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)具有自發(fā)光、全固態(tài)、寬視角、響應(yīng)快等諸多優(yōu)點(diǎn)，并且在平板顯示中有著巨大的應(yīng)用前景，OLED被認(rèn)為是繼LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、PDP(Plasma Display Panel，等離子顯示板)之后的新一代平板顯示產(chǎn)品和技術(shù)。目前OLED在顯示和照明領(lǐng)域都已經(jīng)有了廣泛的應(yīng)用。

在現(xiàn)有技術(shù)中，OLED器件的薄膜封裝普遍使用的是一層無機(jī)層，一層有機(jī)層的疊層結(jié)構(gòu)，其中無機(jī)層一般采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)、ALD(Atomic layer deposition--原子層沉積)、PLD(Plasma layer deposition–等離子層沉積)等技術(shù)，在無機(jī)層成膜的過程中會(huì)使用Mask(掩膜板)，如圖1所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)中OLED保護(hù)膜形成過程中掩膜板與玻璃基板配合結(jié)構(gòu)的剖視圖；受掩膜板1設(shè)計(jì)影響，掩膜板1覆蓋到玻璃基板4上后，會(huì)與玻璃基板4間形成間隙(GAP)3。

請(qǐng)一并參閱圖2，圖2是現(xiàn)有技術(shù)中OLED保護(hù)膜形成后的局部結(jié)構(gòu)示意圖；當(dāng)使用PECVD等方法對(duì)OLED器件2形成保護(hù)膜5時(shí)，保護(hù)膜5就會(huì)向間隙3延伸，進(jìn)而會(huì)影響到對(duì)整個(gè)OLED板的切割位置以及會(huì)使OLED發(fā)光面邊緣黑框加寬，對(duì)窄邊框顯示設(shè)計(jì)不利。注：圖1中標(biāo)注10為掩膜板的鏤空區(qū)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中在對(duì)OLED形成保護(hù)膜時(shí)，保護(hù)膜會(huì)向玻璃基板與掩膜板之間的間隙延伸的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)包括掩膜板以及設(shè)有OLED器件的玻璃基板；所述掩膜板上設(shè)有與所述OLED器件尺寸相對(duì)應(yīng)的鏤空區(qū)，所述掩膜板上的非鏤空區(qū)與所述玻璃基板之間形成有空隙，所述玻璃基板在對(duì)應(yīng)所述空隙的位置處設(shè)有凹槽，所述掩膜板在相對(duì)所述玻璃基板的一側(cè)設(shè)有立柱，所述掩膜板與所述玻璃基板對(duì)位貼合時(shí)，所述立柱插入所述凹槽內(nèi)；OLED器件上形成保護(hù)膜時(shí)，所述立柱用以對(duì)所述保護(hù)膜進(jìn)行阻擋。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述掩膜板上的立柱通過在所述掩膜板沉積無機(jī)材料層，然后經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕工藝形成。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述掩膜板上的立柱的截面為梯形；所述玻璃基板上的凹槽形狀與所述立柱形狀相適應(yīng)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述玻璃基板上的凹槽沿所述OLED器件的環(huán)周設(shè)置，所述凹槽的深度為10um～20um。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述立柱的高度小于所述OLED器件的厚度與所述玻璃基板上凹槽的深度之和，以使所述立柱插入所述凹槽配合時(shí)，所述掩膜板貼緊所述OLED器件。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供一種OLED保護(hù)膜的封裝方法，所述封裝方法包括步驟：

在設(shè)有OLED器件的玻璃基板上形成凹槽；

在設(shè)有鏤空區(qū)的掩膜板上形成立柱結(jié)構(gòu)，所述鏤空區(qū)的尺寸與所述OLED器件的尺寸相對(duì)應(yīng)；

將所述設(shè)有凹槽的玻璃基板與所述設(shè)有立柱結(jié)構(gòu)的掩膜板貼緊配合，所述立柱插入所述凹槽內(nèi)，所述掩膜板貼緊所述OLED器件，所述掩膜板上的非鏤空區(qū)與所述玻璃基板之間形成有空隙；

通過所述鏤空區(qū)在OLED器件上形成保護(hù)膜；

其中，所述立柱用以對(duì)所述保護(hù)膜進(jìn)行阻擋。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述掩膜板上的立柱通過在所述掩膜板沉積無機(jī)材料層，然后經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕工藝形成。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述掩膜板上的立柱的截面為梯形；所述玻璃基板上的凹槽形狀與所述立柱形狀相適應(yīng)。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述玻璃基板上的凹槽沿所述OLED器件的環(huán)周設(shè)置，所述凹槽的深度為10um～20um。

根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例，所述立柱的高度小于所述OLED器件的厚度與所述玻璃基板上凹槽的深度之和，以使所述立柱插入所述凹槽配合時(shí)，所述掩膜板貼緊所述OLED器件。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，通過在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱結(jié)構(gòu)，立柱可以在OLED形成保護(hù)膜時(shí)，阻擋保護(hù)膜向玻璃基板和掩膜板之間延伸，該OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)可以使OLED發(fā)光面邊緣黑框變窄，有利于推動(dòng)窄邊框顯示技術(shù)的發(fā)展。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中OLED保護(hù)膜形成過程中掩膜板與玻璃基板配合結(jié)構(gòu)的剖視圖；

圖2是現(xiàn)有技術(shù)中OLED保護(hù)膜形成后的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明OLED保護(hù)膜封裝結(jié)構(gòu)一優(yōu)選實(shí)施例中掩膜板與玻璃基板分開狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3實(shí)施例中掩膜板與玻璃基板貼緊配合狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)形成保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6是本發(fā)明OLED保護(hù)膜的封裝方法一優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。特別指出的是，以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，但不對(duì)本發(fā)明的范圍進(jìn)行限定。同樣的，以下實(shí)施例僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例而非全部實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)一并參閱圖3和圖4，圖3是本發(fā)明OLED保護(hù)膜封裝結(jié)構(gòu)一優(yōu)選實(shí)施例中掩膜板與玻璃基板分開狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是圖3實(shí)施例中掩膜板與玻璃基板貼緊配合狀態(tài)的結(jié)構(gòu)示意圖。該封裝結(jié)構(gòu)包括掩膜板100以及玻璃基板200。

具體而言，該玻璃基板200上設(shè)有OLED器件210，掩膜板100上設(shè)有與OLED器件210尺寸相對(duì)應(yīng)的鏤空區(qū)110，掩膜板100上的非鏤空區(qū)120與玻璃基板200之間形成有空隙300，玻璃基板200在對(duì)應(yīng)空隙300的位置處設(shè)有凹槽220，掩膜板100在相對(duì)玻璃基板200的一側(cè)設(shè)有立柱130，掩膜板100與玻璃基板200對(duì)位貼合時(shí)，立柱130插入凹槽220內(nèi)。

請(qǐng)進(jìn)一步參閱圖5，圖5是OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)形成保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖。OLED器件210上形成保護(hù)膜400時(shí)，掩膜板100上的立柱130用以對(duì)保護(hù)膜400進(jìn)行阻擋，進(jìn)而限制保護(hù)膜400向空隙300內(nèi)過度延伸，保護(hù)膜400只能夠延伸到立柱130位置處(圖中立柱130的右側(cè))，這樣的話，很大程度上限制了保護(hù)膜400的延伸長度及延伸位置。

優(yōu)選地，該掩膜板100上的立柱130是通過在掩膜板100沉積無機(jī)材料層，然后經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕工藝形成。關(guān)于形成立柱130結(jié)構(gòu)過程中的曝光、顯影、刻蝕等工藝在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。其中，無機(jī)材料可以為SiN、或者SiO、SiON等。此處亦不再一一列舉。

在本實(shí)施例中，掩膜板100上的立柱130的截面為梯形；玻璃基板200上的凹槽220形狀與立柱130形狀相適應(yīng)。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，掩膜板100上立柱130的截面形狀也可以為其他形狀。

進(jìn)一步優(yōu)選地，玻璃基板200上的凹槽220可以沿OLED器件210的環(huán)周設(shè)置，凹槽的深度為10um～20um。玻璃基板上確定OLED器件210的位置大小等信息后，利用蝕刻技術(shù)在各OLED器件210四周的玻璃基板上面制作深度為10um～20um的倒梯形凹槽220。

進(jìn)一步地，為了使立柱130插入凹槽220配合時(shí)，掩膜板100貼緊OLED器件210，設(shè)計(jì)為立柱130的高度H小于OLED器件210的厚度T與玻璃基板200上凹槽220的深度D之和。

在本實(shí)施例中可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)技術(shù)形成保護(hù)膜400，該保護(hù)膜400優(yōu)先采用無機(jī)材料組成，譬如SiN、或者SiO、SiON等。

PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。PECVD具有的優(yōu)點(diǎn)為：基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂等。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)，通過在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱結(jié)構(gòu)，立柱可以在OLED形成保護(hù)膜時(shí)，阻擋保護(hù)膜向玻璃基板和掩膜板之間延伸，該OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)可以使OLED發(fā)光面邊緣黑框變窄，有利于推動(dòng)窄邊框顯示技術(shù)的發(fā)展。

進(jìn)一步地，本發(fā)明實(shí)施例還提供OLED保護(hù)膜的封裝方法，請(qǐng)參閱圖6，圖6是本發(fā)明OLED保護(hù)膜的封裝方法一優(yōu)選實(shí)施例的流程示意圖，該封裝方法包括但不限以下步驟。

步驟S610，在設(shè)有OLED器件的玻璃基板上形成凹槽。

在步驟步驟S610中，玻璃基板上的凹槽可以沿OLED器件的環(huán)周設(shè)置，凹槽的深度為優(yōu)選為10um～20um。玻璃基板上確定OLED器件的位置大小等信息后，利用蝕刻技術(shù)在各OLED器件四周的玻璃基板上面制作深度為10um～20um的倒梯形凹槽。

步驟S620，在設(shè)有鏤空區(qū)的掩膜板上形成立柱結(jié)構(gòu)。

在該步驟中，鏤空區(qū)的尺寸與OLED器件的尺寸相對(duì)應(yīng)。掩膜板上的立柱的截面為梯形；玻璃基板上的凹槽形狀與立柱形狀相適應(yīng)，也為梯形。當(dāng)然在其他實(shí)施例中，掩膜板上立柱的截面形狀也可以為其他形狀，只要其與凹槽形狀相適應(yīng)配合即可。

該掩膜板上的立柱是通過在掩膜板沉積無機(jī)材料層，然后經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕工藝形成。關(guān)于形成立柱結(jié)構(gòu)過程中的曝光、顯影、刻蝕等工藝在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍內(nèi)，此處不再詳述。其中，無機(jī)材料可以為SiN、或者SiO、SiON等。此處亦不再一一列舉。

需要說明的是，本實(shí)施例中步驟S610與步驟S620的順序可以對(duì)調(diào)，即在玻璃基板上形成凹槽與在掩膜板上形成立柱結(jié)構(gòu)的步驟不分先后，哪一步驟在先均可。

步驟S630，將設(shè)有凹槽的玻璃基板與設(shè)有立柱結(jié)構(gòu)的掩膜板貼緊配合；此時(shí)，立柱插入凹槽內(nèi)，掩膜板貼緊OLED器件，掩膜板上的非鏤空區(qū)與玻璃基板之間形成有空隙。

進(jìn)一步地，為了使立柱插入凹槽配合時(shí)，掩膜板貼緊OLED器件，設(shè)計(jì)為立柱的高度H小于OLED器件的厚度T與玻璃基板上凹槽的深度D之和。詳見圖3。

步驟S640，通過鏤空區(qū)在OLED器件上形成保護(hù)膜。

在步驟S640中，立柱用以對(duì)保護(hù)膜進(jìn)行阻擋。具體請(qǐng)參閱圖5，圖5是OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)在形成保護(hù)膜的結(jié)構(gòu)示意圖。OLED器件上形成保護(hù)膜時(shí)，立柱限制了保護(hù)膜向空隙內(nèi)過度延伸，保護(hù)膜只能夠延伸到立柱位置處(圖中立柱的右側(cè))，這樣的話，很大程度上限制了保護(hù)膜的延伸長度及延伸位置。

在該步驟中可以采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition--等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)技術(shù)形成保護(hù)膜，該保護(hù)膜優(yōu)先采用無機(jī)材料組成，譬如SiN、或者SiO、SiON等。

PECVD是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)。PECVD具有的優(yōu)點(diǎn)為：基本溫度低；沉積速率快；成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂等。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的OLED保護(hù)膜的封裝方法，通過在玻璃基板和掩膜板上形成相互配合的凹槽以及立柱結(jié)構(gòu)，立柱可以在OLED形成保護(hù)膜時(shí)，阻擋保護(hù)膜向玻璃基板和掩膜板之間延伸，該OLED保護(hù)膜的封裝結(jié)構(gòu)可以使OLED發(fā)光面邊緣黑框變窄，有利于推動(dòng)窄邊框顯示技術(shù)的發(fā)展。

以上所述僅為本發(fā)明的部分實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效裝置或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。