本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，具體涉及一種耐高溫的微腔OLED屏體及其生產(chǎn)工藝。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱(chēng)為Organic Light Emitting Device，簡(jiǎn)稱(chēng)為OLED)作為下一代照明技術(shù)，具有面發(fā)光、低散熱、低能耗、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)。更重要的是，我國(guó)每年照明用電量約為6000億度，占全國(guó)年度電量的12％，每年照明排放5.98億噸二氧化碳。若采用OLED照明代替現(xiàn)有照明，每年可節(jié)約用電4000億度，減少二氧化碳排放3.99億噸，因而具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

然而，由于OLED器件所用材料多為有機(jī)材料，其對(duì)大氣中的污染物、氧氣及水汽都很敏感，容易被水氧侵蝕，因此OLED器件對(duì)封裝性能的要求很高?，F(xiàn)有的OLED封裝技術(shù)通常采用封裝蓋進(jìn)行封裝，也即是在器件基板上罩上內(nèi)附有干燥劑的封裝蓋，再利用密封膠將基板與封裝蓋密封即可。完成封裝后的OLED器件在使用過(guò)程中常出現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換不完全的現(xiàn)象，致使一部分能量轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃?，如果熱量不能及時(shí)散出去的話將對(duì)OLED器件產(chǎn)生損傷，進(jìn)而影響器件的使用壽命。為此，現(xiàn)有技術(shù)提出可以在封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部設(shè)置散熱層以減弱熱量對(duì)OLED器件的損傷，但由于散熱層位于封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)，導(dǎo)致其散熱效果并不理想。另外，由于OLED器件的光輻射存在多種模式，造成器件的光取出效率較低，成為制約OLED器件進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于克服現(xiàn)有的OLED屏體所存在的屏體效率低、散熱效果差的問(wèn)題，進(jìn)而提供一種屏體出光效率高且散熱效果好的耐高溫微腔OLED屏體及其生產(chǎn)工藝。

為此，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案為：

一種耐高溫的微腔OLED屏體，包括基板及其上依次連接設(shè)置的陽(yáng)極、發(fā)光層、陰極和封裝蓋，還包括金屬層，所述金屬層夾設(shè)于所述陽(yáng)極與所述基板之間，所述金屬層具有延伸出所述封裝蓋的部分。

優(yōu)選地，所述金屬層的導(dǎo)熱系數(shù)不小于100W/(m·K)。

進(jìn)一步地，所述金屬層的反射率在85％以上。

優(yōu)選地，所述金屬層延伸出所述封裝蓋的部分環(huán)繞于所述封裝蓋的四周。

優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為1nm-100nm。

優(yōu)選地，所述金屬層的材質(zhì)為金、銀、銅或鋁。

更優(yōu)選地，所述金屬層延伸出所述封裝蓋的部分具有非平面結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述非平面結(jié)構(gòu)包括若干凸起部和/或凹陷部。

優(yōu)選地，所述非平面結(jié)構(gòu)為波浪形曲面。

一種耐高溫的微腔OLED屏體的生產(chǎn)工藝，包括如下步驟：

S1、提供一基板，在所述基板上依次成型金屬層、陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，所述陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極的面積均小于所述金屬層的面積；

S2、真空條件下將封裝蓋與所述基板壓合，使得所述陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極均完全位于所述封裝蓋的內(nèi)部而所述金屬層不全位于所述封裝蓋內(nèi)；

S3、對(duì)位于所述封裝蓋外的所述金屬層進(jìn)行表面處理以形成非平面結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，步驟S3中采用濕法刻蝕或干法刻蝕的方式進(jìn)行所述表面處理。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)：

1、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體，包括基板及其上依次連接設(shè)置的陽(yáng)極、發(fā)光層、陰極和封裝蓋，還包括夾設(shè)于陽(yáng)極與基板之間的金屬層，該金屬層具有延伸出封裝蓋的部分。本發(fā)明所述的OLED屏體中的金屬層有部分延伸出封裝蓋，這樣在封裝完成后這部分金屬層便暴露于開(kāi)放環(huán)境中以有利于及時(shí)散熱，從而增強(qiáng)了屏體的散熱效果，使得本發(fā)明所述的OLED屏體具有耐高溫的優(yōu)點(diǎn)。

2、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體，通過(guò)采用導(dǎo)熱系數(shù)不小于100W/(m·K)的金屬制成金屬層，有利于進(jìn)一步提高散熱效果。

3、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體，通過(guò)在陽(yáng)極與基板之間設(shè)置反射率在85％以上金屬層，由此可在陰陽(yáng)極之間形成微腔結(jié)構(gòu)，利用微腔結(jié)構(gòu)所具備的微腔效應(yīng)(即光強(qiáng)度增大、發(fā)射峰光譜變窄)能夠有效提升屏體效率，使得本發(fā)明所述的OLED屏體具有出光效率高的優(yōu)點(diǎn)。

4、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體，通過(guò)限定金屬層的厚度為1nm-100nm，在確保金屬層高反射率的同時(shí)也能夠提升其散熱效果。

5、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體，通過(guò)將位于封裝蓋外的金屬層設(shè)置為非平面結(jié)構(gòu)以增大其散熱面積，從而起到更好的散熱作用。

6、本發(fā)明所述的耐高溫的微腔OLED屏體的生產(chǎn)工藝，通過(guò)在基板上依次成型金屬層及比金屬層面積小的陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極，而后在真空條件下將封裝蓋與基板壓合，并確保陽(yáng)極、發(fā)光層和陰極均完全位于封裝蓋內(nèi)而金屬層不全位于封裝蓋內(nèi)，最后再對(duì)位于封裝蓋外的金屬層進(jìn)行涂層化處理以形成非平面結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的生產(chǎn)工藝采用先封裝后涂層化處理的方式，可一舉實(shí)現(xiàn)封裝蓋內(nèi)的金屬層平坦化和封裝蓋外的金屬層非平面化。因此，本發(fā)明的生產(chǎn)工藝簡(jiǎn)便、可操作性強(qiáng)，適于大規(guī)模生產(chǎn)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施方式中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1提供的耐高溫的微腔OLED屏體的截面圖；

圖2為圖1的俯視圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例3提供的耐高溫的微腔OLED屏體的截面圖；

其中附圖標(biāo)記如下：

1-基板；2-封裝蓋；3-陽(yáng)極；4-發(fā)光層；5-陰極；6-金屬層；7-電子注入層；8-電子傳輸層；9-空穴傳輸層；10-空穴注入層。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，下面所描述的本發(fā)明不同實(shí)施方式中所涉及的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互結(jié)合。

實(shí)施例1

如圖1所示，本實(shí)施例提供的耐高溫的微腔OLED屏體包括：

基板1及其上依次連接設(shè)置的陽(yáng)極3、發(fā)光層4、陰極5和封裝蓋2；

厚度為1nm的金屬層6夾設(shè)于所述陽(yáng)極3與所述基板1之間，且金屬層6具有延伸出封裝蓋2的部分；請(qǐng)參見(jiàn)圖2，在本實(shí)施例中金屬層6延伸出封裝蓋2的部分僅位于封裝蓋2的一側(cè)，金屬層6由金屬鋁制成。

實(shí)施例2

如圖3所示，本實(shí)施例提供的耐高溫的微腔OLED屏體包括：

基板1及其上依次連接設(shè)置的陽(yáng)極3、空穴注入層10、空穴傳輸層9、發(fā)光層4、電子傳輸層8、電子注入層7、陰極5和封裝蓋2；

厚度為10nm的金屬層6夾設(shè)于所述陽(yáng)極3與所述基板1之間，所述金屬層6具有延伸出封裝蓋2的部分，這部分金屬層環(huán)繞于所述封裝蓋的四周且具有非平面結(jié)構(gòu)。

在本實(shí)施例中，金屬層6由金屬銀制成，其反射率為98.8％、導(dǎo)熱系數(shù)為429W/(m·K)，金屬層6延伸出封裝蓋2的部分為波浪形曲面。

本實(shí)施例所述的OLED屏體通過(guò)在陽(yáng)極與基板之間設(shè)置高反射率的金屬層，由此可在陰陽(yáng)極之間形成微腔結(jié)構(gòu)，從而利用微腔結(jié)構(gòu)所具備的微腔效應(yīng)(光強(qiáng)度增大、發(fā)射峰光譜變窄)可有效提升屏體效率；并且本實(shí)施例的OLED屏體中的金屬層延伸出封裝蓋的部分環(huán)繞于封裝蓋的四周且具有波浪形曲面，這樣在封裝完成后這部分金屬層便暴露于開(kāi)放環(huán)境中以有利于及時(shí)散熱，從而增強(qiáng)了屏體的散熱效果。

本實(shí)施例還提供了一種生產(chǎn)上述耐高溫的微腔OLED屏體的工藝，包括如下步驟：

S1、提供一基板1，在所述基板1上依次成型金屬層6、陽(yáng)極3、發(fā)光層4和陰極5，所述陽(yáng)極3、發(fā)光層4和陰極5的面積均小于所述金屬層6的面積；

S2、在真空度為1×10^-3Pa的條件下將封裝蓋2與所述基板1壓合，使得所述陽(yáng)極3、發(fā)光層4和陰極5均完全位于所述封裝蓋2的內(nèi)部而所述金屬層6不全位于所述封裝蓋2內(nèi)；

S3、采用干法刻蝕的方式對(duì)位于所述封裝蓋2外的所述金屬層6進(jìn)行表面處理，從而形成具有波浪形曲面的非平面結(jié)構(gòu)。

上述生產(chǎn)工藝通過(guò)采用先封裝后涂層化處理的方式，可一舉實(shí)現(xiàn)封裝蓋內(nèi)的金屬層平坦化和封裝蓋外的金屬層非平面化。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明所作的舉例，而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之中。