技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開具有微腔結(jié)構(gòu)的頂發(fā)射QLED場效應(yīng)晶體管及制備方法，依次包括：襯底、第一電極、絕緣層、第二電極、功能層、第三電極，所述第一電極為反射電極，所述第二電極為透明電極，所述第三電極為半反射電極。本發(fā)明對頂發(fā)射QLED場效應(yīng)晶體管電極進(jìn)行結(jié)構(gòu)改進(jìn)和優(yōu)化，在器件中形成光學(xué)微腔。利用光的干涉作用，實現(xiàn)對光的選擇性，增強了光學(xué)微腔腔長對應(yīng)出射光波長的單色性和垂直方向發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：辛征航;向超宇;李樂;張?zhí)?張東華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TCL集團(tuán)股份有限公司
文檔號碼：201611227774
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.05.10