技術總結
本實用新型提供了一種便于串聯(lián)使用的大功率IGBT模塊，包括功率子單元、金屬電極板和外部管殼；金屬電極板設置在外部管殼的底部；外部管殼包括兩列方形框架；兩列方形框架之間留有空間形成一個條狀框架；功率子單元設置在方形框架內(nèi)且與金屬電極板緊密接觸，其包括金屬端蓋、柵極PCB板、輔助柵極PCB板和多個功率半導體芯片；輔助柵極PCB板設置在條狀框架內(nèi)；金屬端蓋、金屬電極板和柵極PCB板分別與功率半導體芯片的集電極、發(fā)射極和柵極電氣連接。與現(xiàn)有技術相比，本實用新型提供的一種便于串聯(lián)使用的大功率IGBT模塊，既有利于功率半導體器件的串聯(lián)，同時不需要太大的鉗位壓力，降低了功率半導體器件在實際應用過程中對機械結構的要求。

技術研發(fā)人員：唐新靈;莫申楊;崔翔;趙志斌;張朋;李金元;溫家良
受保護的技術使用者：華北電力大學;全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;國家電網(wǎng)公司
文檔號碼：201620356491
技術研發(fā)日：2016.04.25
技術公布日：2017.05.03