一種三級(jí)晶片清洗槽的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，找到一種三級(jí)晶片清洗槽，可以更方便的清洗晶片，并可節(jié)約清洗的液體。包括呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，第一清洗槽高于第二清洗槽，第二清洗槽高于第三清洗槽，第一清洗槽位于第二清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第一出液孔，第二清洗槽位于第三清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第二出液孔。通過實(shí)施本實(shí)用新型可以取得以下有益技術(shù)效果：可以將晶片依次在第三清洗槽、第二清洗槽、第一清洗槽中清洗，無需來回?fù)Q液清洗，使得清洗晶片更方便，同時(shí)達(dá)到節(jié)約清洗液的目的。
【專利說明】
一種三級(jí)晶片清洗槽
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本實(shí)用新型涉及清洗領(lǐng)域，具體涉及一種三級(jí)晶片清洗槽。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片指內(nèi)含集成電路的硅片，體積很小，常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。晶片的需要經(jīng)過多次換液清洗才能達(dá)到需要的清洗效果，現(xiàn)有技術(shù)中的清洗槽均為簡(jiǎn)單的清洗槽，均沒有對(duì)晶片需要多次清洗進(jìn)行針對(duì)性的設(shè)計(jì)，由于清洗時(shí)需要多次換液，非常的不方便，故需要針對(duì)晶片清洗設(shè)計(jì)一種專用的清洗槽。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，找到一種三級(jí)晶片清洗槽，可以更方便的清洗晶片，并可節(jié)約清洗的液體。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本實(shí)用新型一種三級(jí)晶片清洗槽，包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽高于第二清洗槽，第二清洗槽高于第三清洗槽，所述第一清洗槽位于第二清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第一出液孔，所述第二清洗槽位于第三清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第二出液孔。
[0005]優(yōu)選的，所述第一出液孔設(shè)置在第一清洗槽側(cè)板的上端部，所述第二出液孔設(shè)置在第二清洗槽側(cè)板的上端部。這樣的結(jié)構(gòu)便于制作，且第一出液孔和第二出液孔的大小對(duì)出液效果基本不影響。
[0006]優(yōu)選的，所述第一出液孔設(shè)置在第一清洗槽側(cè)板的中部，所述第二出液孔設(shè)置在第二清洗槽側(cè)板的中部。可以將較臟的液體通過第一出液孔排到第二清洗槽，可以將較臟的液體通過第二出液孔排到第三清洗槽。
[0007]優(yōu)選的，所述第一出液孔的大小和形狀與第二出液孔的大小和形狀均相同。這樣結(jié)構(gòu)，第一出液孔和第二出液孔起到相近排量的排液效果。
[0008]優(yōu)選的，所述第一出液孔與第一清洗槽側(cè)板頂部的距離和第二出液孔與第二清洗槽側(cè)板頂部的距離相同。這樣結(jié)構(gòu)，第一出液孔和第二出液孔起到相近排量的排液效果。
[0009]優(yōu)選的，所述第一清洗槽遠(yuǎn)離第二清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有進(jìn)液孔。這樣的結(jié)構(gòu)便于第一清洗槽進(jìn)液。
[0010]通過實(shí)施本實(shí)用新型可以取得以下有益技術(shù)效果:可以將晶片依次在第三清洗槽、第二清洗槽、第一清洗槽中清洗，無需來回?fù)Q液清洗，使得清洗晶片更方便，同時(shí)達(dá)到節(jié)約清洗液的目的。
【附圖說明】

[0011]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1俯視的局部剖視圖；
[0013]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例2的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明:
[0015]實(shí)施例1:
[0016]如圖1和圖2所示，一種三級(jí)晶片清洗槽，包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽1、第二清洗槽2和第三清洗槽3，第一清洗槽I高于第二清洗槽2，第二清洗槽高于第三清洗槽3，第一清洗槽I位于第二清洗槽2—側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第一出液孔11，第二清洗槽2位于第三清洗槽3—側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第二出液孔21，第一清洗槽I遠(yuǎn)離第二清洗槽2—側(cè)的側(cè)板上設(shè)有進(jìn)液孔12?？梢詫⒕来卧诘谌逑床?、第二清洗槽2和第一清洗槽I中清洗，無需來回?fù)Q液清洗，使得清洗晶片更方便，同時(shí)起到節(jié)約清洗液的目的。
[0017]作為一種優(yōu)選結(jié)構(gòu)，第一出液孔11設(shè)置在第一清洗槽I側(cè)板的中部，第二出液孔21設(shè)置在第二清洗槽2側(cè)板的中部?？梢詫⑤^臟的液體通過第一出液孔11排到第二清洗槽2，將較臟的液體通過第二出液孔21排到第三清洗槽3 ο第一出液孔11的大小和形狀與第二出液孔21大小和形狀均相同，第一出液孔11與第一清洗槽I側(cè)板頂部的距離和第二出液孔21與第二清洗槽2側(cè)板頂部的距離相同。這樣結(jié)構(gòu)，第一出液孔11和第二出液孔21起到相近排量的排液效果。
[0018]實(shí)施例2:
[0019]如圖1和圖3所示，與實(shí)施例1的區(qū)別在于:第一出液孔11設(shè)置在第一清洗槽I側(cè)板的上端部，第二出液孔21設(shè)置在第二清洗槽2側(cè)板的上端部。這樣的結(jié)構(gòu)便于制作，且第一出液孔11和第二出液孔21的大小對(duì)出液效果基本不影響。
[0020]以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，但本實(shí)用新型的技術(shù)特征并不局限于此，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型的領(lǐng)域內(nèi)，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實(shí)用新型的專利范圍之中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:包括相互呈階梯狀排列的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽高于第二清洗槽，第二清洗槽高于第三清洗槽，所述第一清洗槽位于第二清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第一出液孔，所述第二清洗槽位于第三清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有第二出液孔。2.如權(quán)利要求1所述的一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:所述第一出液孔設(shè)置在第一清洗槽側(cè)板的上端部，所述第二出液孔設(shè)置在第二清洗槽側(cè)板的上端部。3.如權(quán)利要求1所述的一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:所述第一出液孔設(shè)置在第一清洗槽側(cè)板的中部，所述第二出液孔設(shè)置在第二清洗槽側(cè)板的中部。4.如權(quán)利要求3所述的一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:所述第一出液孔的大小和形狀與第二出液孔的大小和形狀均相同。5.如權(quán)利要求4所述的一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:所述第一出液孔與第一清洗槽側(cè)板頂部的距離和第二出液孔與第二清洗槽側(cè)板頂部的距離相同。6.如權(quán)利要求1所述的一種三級(jí)晶片清洗槽，其特征在于:所述第一清洗槽遠(yuǎn)離第二清洗槽一側(cè)的側(cè)板上設(shè)有進(jìn)液孔。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK205723453SQ201620452218
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年5月17日
【發(fā)明人】伊利平, 徐興華, 陳康, 徐天云, 鮑旭偉
【申請(qǐng)人】金華市創(chuàng)捷電子有限公司