本實用新型涉及半導體發(fā)光二極管芯片制造技術領域，尤其是涉及一種ITO結構LED芯片。

背景技術：

發(fā)光二極管具有高光效、低能耗、長壽命、多波段等優(yōu)勢，是一種有廣闊應用前景的新光源，目前AlGaInP發(fā)光二極管已大量應用于高效固態(tài)照明領域中，如顯示屏、汽車用燈、背光源、交通信號燈、景觀照明等。

作為AlGaInP發(fā)光二極管首選的半導體GaAs襯底材料，其化學性質穩(wěn)定，具有與AlGaInP材料晶格匹配性佳、導電性、導熱性好、制造的晶體質量高、大批量制造成本低等明顯優(yōu)勢。對于GaAs襯底的AlGaInP LED芯片，一般采用精密切割機系統(tǒng)，預先編程設定切割路徑條件，利用高速旋轉（30000-45000r/min）的超薄鉆石刀片（厚度為10-25μm）對AlGaInP LED芯片進行切割，使AlGaInP LED芯片分割成為單個的芯粒。摻錫氧化銦（IndiumTinOxide），一般簡稱為ITO，由于GaAs襯底材料屬于硬脆材料，特別是對于常規(guī)ITO結構的AlGaInP LED芯片而言，在芯片制造過程中會在外延片上表面生長一層ITO薄膜層，然后再進行制作金屬電極層，這使得AlGaInP LED芯片本身的應力增加，而且ITO薄膜層與外延層的結合力遠小于外延片內部的各個外延層之間的結合力，再加上切割時超薄鉆石刀片直接接觸ITO薄膜層、外延層和GaAs襯底，這就使得AlGaInP LED芯片加工時極其容易造成不同程度的物理損傷，特別是在AlGaInP LED芯片的正面周圍、邊緣容易產(chǎn)生外延層和GaAs襯底材料的崩角、崩邊、裂紋、裂紋等問題，從而影響AlGaInP LED芯片的外觀質量和可靠性，產(chǎn)品合格率低。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種外觀質量好、可靠性高的ITO結構LED芯片。

本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的：

一種ITO結構LED芯片，包括GaAs襯底，在GaAs襯底的上面依次設有外延生長緩沖層、n-AIGaInP限制層、多量子阱（multiple quantum well，MQW）有源層、p-AIGaInP限制層和p-GaP窗口層，在p-GaP窗口層上設有ITO薄膜層，在GaAs襯底的下面設有背電極，特征是：在ITO薄膜層上設有圖形化的鉆石刀片切割走道，在圖形化的ITO薄膜層上設有金屬電極層。

鉆石刀片切割走道的寬度大于刀片厚度4-6μm。

本實用新型具有AlGaInP LED芯片的外觀質量好、便于生產(chǎn)、可靠性高、合格率高等優(yōu)點，解決了ITO薄膜和GaP層在刀片切割時直接接觸容易伴隨碎屑附著和產(chǎn)生的崩角、崩邊、裂紋等問題，極大地提升了產(chǎn)品的外觀質量、可靠性和成品良率。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例并對照附圖對本實用新型作進一步詳細說明。

一種ITO結構LED芯片，包括GaAs襯底100，在GaAs襯底100的上面依次設有外延生長緩沖層101、n-AIGaInP限制層102、多量子阱有源層103、p-AIGaInP限制層104和p-GaP窗口層105，在p-GaP窗口層105上設有ITO薄膜層106，在ITO薄膜層106上設有圖形化的鉆石刀片切割走道109，在圖形化的ITO薄膜層106上設有金屬電極層107；在GaAs襯底100的下面設有背電極201。

鉆石刀片切割走道的寬度大于刀片厚度4-6μm。