本實(shí)用新型涉及一種清洗裝置，尤其涉及一種新型硅片清洗裝置。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，我國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，我國的太陽能電池年生產(chǎn)量在全球排名第一。太陽能電池根據(jù)所用材料的不同分為硅太陽能電池、多元化合物薄膜太陽能電池、聚合物多層修飾電極型太陽能電池、納米晶太陽能電池、有機(jī)太陽能電池，其中硅太陽能電池是目前發(fā)展最成熟的，在應(yīng)用中居主導(dǎo)地位。

太陽能硅片在經(jīng)過切片、倒角、研磨、拋光等加工過程中，表面會受到不同程度的污染，比如顆粒、金屬及有機(jī)物。顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。金屬污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，它們在硅片上主要以共價鍵、范德華引力和電子轉(zhuǎn)移等三種形式存在，這種污染會破壞極薄的氧化層的完整性，增加漏電流密度，結(jié)果導(dǎo)致形成微結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。如果沒有處理好這些污染的話，器件性能會受到很大程度的影響。因此，硅片在進(jìn)行擴(kuò)散工序前需要清洗，消除各類污染物，硅片清洗的潔凈程度直接影響著太陽能電池的成品率、性能和可靠性。

現(xiàn)在人們已研制出了很多種可用于硅片清洗的工藝方法和技術(shù)，常見的有：化學(xué)清洗法、超聲清洗法和真空高溫處理法。這些方法和技術(shù)廣泛應(yīng)用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗?，F(xiàn)有的硅片清洗裝置在清洗過程中硅片表面水噴淋不均勻，導(dǎo)致硅片表面有大量的藥液殘留，清洗效果不佳。鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，需要提供一種噴水均勻且清洗效果好的硅片清洗裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供了一種新型硅片清洗裝置，包括與外部水源連通的供水管和設(shè)置在供水管上的至少一個噴水組件，每個噴水組件包括供水支管、集水槽、噴水條和控制閥，所述供水支管的一端與所述供水管連接，另一端與所述集水槽連接，所述控制閥設(shè)置在所述供水支管上，所述噴水條與所述集水槽連接，所述噴水條上安裝有多個噴淋頭，多個噴淋頭均勻分布在噴水條上。

進(jìn)一步地，所述噴淋頭凸出于所述噴水條。

進(jìn)一步地，所述噴淋頭上開設(shè)有多個噴淋孔，多個噴淋孔均勻分布在噴淋頭上。

優(yōu)選地，所述噴淋孔的直徑為0.1～1mm。

進(jìn)一步地，所述噴水條上設(shè)有多個凹槽，多個凹槽均勻分布在噴水條上，每兩個相鄰凹槽之間安裝有一個噴淋頭。

進(jìn)一步地，所述凹槽用于引導(dǎo)所述集水槽中的水流入所述噴淋孔，所述噴淋孔用于向待清洗的硅片表面上噴水，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗。

進(jìn)一步地，所述裝置還包括蓋板，所述蓋板覆蓋所述噴水組件的全部集水槽。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果：

本實(shí)用新型硅片清洗裝置的噴水條上設(shè)有均勻分布的噴淋頭，噴淋頭上設(shè)有均勻分布的噴淋孔，供水管管路中的水通過噴淋孔均勻噴淋在待清洗的硅片表面上，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗，解決了現(xiàn)有的硅片清洗裝置在清洗過程中硅片表面水噴淋不均勻問題，使清洗更加完全、徹底，提高了硅片的成品率，實(shí)現(xiàn)了較好的清洗效果。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型硅片清洗裝置的正面示意圖。

圖2是本實(shí)用新型硅片清洗裝置的側(cè)面示意圖。

圖中：1-供水管，2-控制閥，3-供水支管，4-蓋板，5-集水槽，6-噴水條，7-噴淋頭，8-凹槽。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

實(shí)施例1：

參見圖1和圖2，圖1為本實(shí)用新型硅片清洗裝置的正面示意圖，圖2為本實(shí)用新型硅片清洗裝置的側(cè)面示意圖。本實(shí)用新型提供了一種新型硅片清洗裝置，包括與外部水源連通的供水管1和設(shè)置在供水管1上的至少一個噴水組件，每個噴水組件包括供水支管3、集水槽5、噴水條6和控制閥2，所述供水支管3的一端與所述供水管1連接，另一端與所述集水槽5連接，所述控制閥2設(shè)置在所述供水支管3上，所述噴水條6與所述集水槽5連接，所述噴水條6上安裝有多個噴淋頭7，多個噴淋頭7均勻分布在噴水條6上。

所述新型硅片清洗裝置包括供水管1和3個噴水組件，所述噴水組件中設(shè)有3個控制閥2、3個集水槽5、3個噴水條6和48個噴淋頭7。

所述噴淋頭7凸出于所述噴水條6。

所述噴淋頭7上開設(shè)有多個噴淋孔，多個噴淋孔均勻分布在噴淋頭7上。

所述噴淋孔的直徑為0.1mm。

所述噴水條6上設(shè)有多個凹槽8，多個凹槽8均勻分布在噴水條6上，每兩個相鄰凹槽8之間安裝有一個噴淋頭7。

所述凹槽8用于引導(dǎo)所述集水槽5中的水流入所述噴淋孔，所述噴淋孔用于向待清洗的硅片表面上噴水，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗。

所述裝置還包括蓋板4，所述蓋板4覆蓋所述噴水組件的全部集水槽5。

實(shí)施例2：

參見圖1和圖2，圖1為本實(shí)用新型硅片清洗裝置的正面示意圖，圖2為本實(shí)用新型硅片清洗裝置的側(cè)面示意圖。本實(shí)用新型提供了一種新型硅片清洗裝置，包括與外部水源連通的供水管1和設(shè)置在供水管1上的至少一個噴水組件，每個噴水組件包括供水支管3、集水槽5、噴水條6和控制閥2，所述供水支管3的一端與所述供水管1連接，另一端與所述集水槽5連接，所述控制閥2設(shè)置在所述供水支管3上，所述噴水條6與所述集水槽5連接，所述噴水條6上安裝有多個噴淋頭7，多個噴淋頭7均勻分布在噴水條6上。

所述新型硅片清洗裝置包括供水管1和8個噴水組件，所述噴水組件中設(shè)有8個控制閥2、8個集水槽5、8個噴水條6和128個噴淋頭7。

所述噴淋頭7凸出于所述噴水條6。

所述噴淋頭7上開設(shè)有多個噴淋孔，多個噴淋孔均勻分布在噴淋頭7上。

所述噴淋孔的直徑為1mm。

所述噴水條6上設(shè)有多個凹槽8，多個凹槽8均勻分布在噴水條6上，每兩個相鄰凹槽8之間安裝有一個噴淋頭7。

所述凹槽8用于引導(dǎo)所述集水槽5中的水流入所述噴淋孔，所述噴淋孔用于向待清洗的硅片表面上噴水，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗。

所述裝置還包括蓋板4，所述蓋板4覆蓋所述噴水組件的全部集水槽5。

本實(shí)用新型的工作原理如下：

所述供水管1與外部水源連通，將所述控制閥2打開后，所述供水管1管路中的水通過所述供水支管3流入所述集水槽5，所述蓋板4覆蓋所述噴水組件的全部集水槽5，所述噴水條6與所述集水槽5連接，所述噴水條6上設(shè)有多個凹槽8，多個凹槽8均勻分布在噴水條6上，每兩個相鄰凹槽8之間安裝有一個噴淋頭7，所述噴淋頭7上開設(shè)有多個噴淋孔，多個噴淋孔均勻分布在噴淋頭7上，所述凹槽8引導(dǎo)所述集水槽5中的水通過所述噴淋孔均勻噴淋在待清洗的硅片表面上，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果：

本實(shí)用新型硅片清洗裝置的噴水條上設(shè)有均勻分布的噴淋頭，噴淋頭上設(shè)有均勻分布的噴淋孔，供水管管路中的水通過噴淋孔均勻噴淋在待清洗的硅片表面上，對待清洗的硅片進(jìn)行清洗，解決了現(xiàn)有的硅片清洗裝置在清洗過程中硅片表面水噴淋不均勻問題，使清洗更加完全、徹底，提高了硅片的成品率，實(shí)現(xiàn)了較好的清洗效果。

以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍；凡是根據(jù)本實(shí)用新型內(nèi)容的實(shí)質(zhì)所作出的等效的變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。