本實用新型涉及一種防偏移頂針系統(tǒng),屬于半導體封裝技術領域。
背景技術:
目前機臺關于頂針系統(tǒng)的結構中有一種使用磁性針的設計方式(參見圖1),針底有凸出部分防止飛針情況發(fā)生,此種結構能防止頂針飛針,但是,若頂針在膜下一步位移前還未及時落回磁鐵底座上,膜會帶動頂針水平方向的移動,使頂針產(chǎn)生橫向偏移,致使頂針對應與芯片的位置與著力點偏移,容易使芯片頂起時產(chǎn)生傾斜的現(xiàn)象,造成吸晶不良。
并且這種磁性頂針方式還存在以下缺點:
1、頂針針尾凸臺結構面積極小,磁鐵對頂針的吸引力仍舊很?。?/p>
2、磁性頂針座的材料成本較高,且硬度相對不銹鋼較低,易損壞。
技術實現(xiàn)要素:
本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現(xiàn)有技術提供一種防偏移頂針系統(tǒng),它能夠很好的控制頂針只沿上下方向移動,使頂針始終在頂針座的導向孔中上下移動,不會因頂針不及時落回磁鐵底座,被藍膜帶動而使頂針產(chǎn)生偏移;另一方面工藝參數(shù)方面不用變更,不增加改善成本。
本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為:一種防偏移頂針系統(tǒng),它包括頂針座、至少一個十字型頂針和頂針帽,所述頂針座包括頂針基座,所述頂針基座上設置有至少一個導向孔,所述十字型頂針包括頂針上部、頂針凸臺和頂針下部,所述十字型頂針的頂針下部插裝于導向孔內,所述頂針凸臺在頂針座與頂針帽之間活動,所述頂針帽上對應頂針設置有針孔。
所述導向孔直徑略大于頂針下部的直徑。
所述導向孔為錐形沉孔。
所述頂針上部長度大于頂針脫膜高度。
所述頂針上部長度小于頂針系統(tǒng)初始狀態(tài)下的頂針座與頂針帽之間的距離。
所述頂針下部長度大于頂針上部長度。
所述頂針下部長度大于頂針系統(tǒng)初始狀態(tài)下的頂針座與頂針帽之間的距離。
所述頂針帽直徑大于頂針上部直徑,所述頂針帽直徑小于頂針凸臺直徑。
與現(xiàn)有技術相比,本實用新型的優(yōu)點在于:
1、本實用新型可有效的控制頂針的偏移量,避免芯片被頂針頂起時產(chǎn)生傾斜的現(xiàn)象,有效解決吸晶不良的問題;
2、本實用新型結構簡單,系統(tǒng)和工藝不變,節(jié)省耗品頂針的生產(chǎn)成本。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有頂針系統(tǒng)的示意圖。
圖2為本實用新型一種防偏移頂針系統(tǒng)頂針上頂至最高點的示意圖。
圖3為本實用新型一種防偏移頂針系統(tǒng)頂針下落至最低點的示意圖。
圖4為圖2中頂針基座的結構示意圖。
其中:
頂針座1
頂針基座1.1
導向孔1.2
十字型頂針2
頂針帽3
膜4
針孔5。
具體實施方式
以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。
如圖2~4所示,本實施例中的一種防偏移頂針系統(tǒng),它包括頂針座1、至少一個十字型頂針2和頂針帽3,所述頂針座1包括頂針基座1.1,所述頂針基座1.1上設置有至少一個導向孔1.2,所述十字型頂針2包括頂針上部、頂針凸臺和頂針下部,所述十字型頂針2的頂針下部插裝于導向孔1.2內,所述頂針凸臺在頂針座1與頂針帽3之間活動,所述頂針帽3上對應頂針設置有針孔5,所述十字型頂針2的頂針上部透過頂針帽3上設置的針孔5頂起膜4上的芯片;
所述頂針座1上移連帶十字型頂針2向上頂起膜4上的芯片時為最高點,此時頂針頂起高度為脫膜高度,頂針座1上移連帶十字型頂針2下移到頂針座1復位時為最低點,此時頂針位置處在初始位置,所述十字型頂針2上下移動時所有過程頂針下部都在頂針基座1.1的導向孔1.2內;
所述導向孔1.2直徑略大于頂針下部的直徑;
所述導向孔1.2為錐形沉孔,便于安裝十字型頂針2;
所述頂針上部長度大于頂針脫膜高度;
所述頂針上部長度小于頂針系統(tǒng)初始狀態(tài)下的頂針座1與頂針帽3之間的距離;
所述頂針下部長度大于頂針上部長度;
所述頂針下部長度大于頂針系統(tǒng)初始狀態(tài)下的頂針座1與頂針帽3之間的距離;
所述頂針帽3上針孔5直徑大于頂針上部直徑,所述頂針帽3上針孔5直徑小于頂針凸臺直徑。
所述頂針系統(tǒng)工作時:頂針座向上頂起頂針使頂針露出頂針帽,頂針帽始終固定不動,頂針頂起高度達到脫膜條件停下頂起操作,膜上芯片被吸取之后,頂針座落回初始位置,理想狀態(tài)下頂針也會落回導向孔內,但是個別頂針會被膜包裹。之后膜會平移一個單位,過程中由于頂針的凸起部結構使頂針避免抽離頂針座,并且頂針下端部分始終在導向孔內不易發(fā)生左右偏移,相當于藍膜相對于頂針在做移動,藍膜與頂針之間的摩擦最終使頂針與膜分離,分離后的頂針由于導向孔的導向作用落回初始位置,實現(xiàn)頂針復位。之后重復上述動作完成芯片吸取和頂針座及頂針復位操作。
除上述實施例外,本實用新型還包括有其他實施方式,凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案,均應落入本實用新型權利要求的保護范圍之內。