本實用新型涉及肖特基二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的肖特基二極管的通態(tài)壓降Vf若降低，那么反向耐壓BV也會降低；因此若反向耐壓達(dá)到100V以上，通態(tài)壓降就會大到無法使用。因此在高壓領(lǐng)域中，它的應(yīng)用受到了限制。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
本實用新型的目的是克服現(xiàn)有產(chǎn)品中不足，提供一種肖特基pn結(jié)集成器件。
為了達(dá)到上述目的，本實用新型是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：
本實用新型的一種肖特基pn結(jié)集成器件，包括P基區(qū)、肖特基勢壘金屬層，所述肖特基勢壘金屬層位于在P基區(qū)的頂端，所述P基區(qū)上設(shè)有N基區(qū)、P+陽極發(fā)射區(qū)，所述N基區(qū)位于P基區(qū)的上側(cè)，所述P+陽極發(fā)射區(qū)位于P基區(qū)的下側(cè)，所述N基區(qū)上設(shè)有兩個P+保護(hù)環(huán)、N+發(fā)射區(qū)，所述兩個P+保護(hù)環(huán)、N+發(fā)射區(qū)都位于N基區(qū)的上方，所述兩個P+保護(hù)環(huán)都與肖特基勢壘金屬層相連接，所述肖特基勢壘金屬層為正極A，所述N+發(fā)射區(qū)為負(fù)極，所述P+陽極發(fā)射區(qū)為正極B。
本實用新型所述兩個P+保護(hù)環(huán)為第一P+保護(hù)環(huán)和第二P+保護(hù)環(huán)，所述第二P+保護(hù)環(huán)位于第一P+保護(hù)環(huán)與N+發(fā)射區(qū)之間。
本實用新型所述兩個P+保護(hù)環(huán)、N+發(fā)射區(qū)都位于N基區(qū)的頂端。
本實用新型所述第一P+保護(hù)環(huán)緊貼N基區(qū)的左側(cè)，所述N+發(fā)射區(qū)位于N基區(qū)的右側(cè)。
本實用新型所述肖特基勢壘金屬層位于兩個P+保護(hù)環(huán)的上方。
本實用新型的有益效果如下：本實用新型提高了肖特基二極管的反向耐壓值，并降低通態(tài)壓降，增大了通態(tài)電流。因此，本實用新型保持了超高速開通、低通態(tài)壓降的優(yōu)良特性，并滿足電力電子對肖特基二極管高反向耐壓值的要求。
附圖說明
圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合說明書附圖對本實用新型的技術(shù)方案作進(jìn)一步說明：
如圖1所示，一種肖特基pn結(jié)集成器件，包括P基區(qū)6、肖特基勢壘金屬層2，所述肖特基勢壘金屬層2位于在P基區(qū)6的頂端，所述P基區(qū)6上設(shè)有N基區(qū)5、P+陽極發(fā)射區(qū)7，所述N基區(qū)5位于P基區(qū)6的上側(cè)，所述P+陽極發(fā)射區(qū)7位于P基區(qū)6的下側(cè)，所述N基區(qū)5上設(shè)有兩個P+保護(hù)環(huán)、N+發(fā)射區(qū)4，所述兩個P+保護(hù)環(huán)、N+發(fā)射區(qū)4都位于N基區(qū)5的上方，所述兩個P+保護(hù)環(huán)都與肖特基勢壘金屬層2相連接，所述肖特基勢壘金屬層2為正極A，所述N+發(fā)射區(qū)4為負(fù)極，所述P+陽極發(fā)射區(qū)7為正極B。
本實用新型采用肖特基與pn結(jié)集成的結(jié)構(gòu)，保持了超高速開通、低通態(tài)壓降的優(yōu)良特性，并提高了耐壓，耐壓值可以通過對P基區(qū)、N基區(qū)摻雜濃度和厚度的選擇來調(diào)整。
工作原理：
開通物理機(jī)理：正極A加正偏壓，肖特基勢壘高度降低，N+發(fā)射區(qū)的電子穿越勢壘流入金屬，形成從金屬指向N+發(fā)射區(qū)的電流，肖特基二極管先導(dǎo)通；隨之，P+陽極發(fā)射區(qū)、P基區(qū)和N基區(qū)、N+發(fā)射區(qū)形成的PIN二極管導(dǎo)通，形成從P+陽極發(fā)射區(qū)指向N+發(fā)射區(qū)的電流。這樣，器件內(nèi)部形成兩股電流，同時流向陰極，由此，增大了通態(tài)電流，降低了通態(tài)壓降。
反向阻斷機(jī)理：陽極加反偏壓，器件的反向耐壓由PN結(jié)的耗盡區(qū)來承擔(dān)，它與P基區(qū)、N基區(qū)的摻雜濃度及厚度相關(guān)。所以，耐壓值可以通過對P基區(qū)、N基區(qū)摻雜濃度和厚度的選擇來調(diào)整。
本實用新型提高了肖特基二極管的反向耐壓值，并降低通態(tài)壓降，增大了通態(tài)電流。因此，本實用新型保持了超高速開通、低通態(tài)壓降的優(yōu)良特性，并滿足電力電子對肖特基二極管高反向耐壓值的要求。
需要注意的是，以上列舉的僅是本實用新型的一種具體實施例。顯然，本實用新型不限于以上實施例，還可以有許多變形。
總之，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能從本實用新型公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)認(rèn)為是本實用新型的保護(hù)范圍。