本實用新型涉及一種上蠟機，特別涉及一種用于LED晶片減薄程序上蠟用上蠟機。

背景技術(shù)：

在LED晶片加工過程中，為利于晶片減薄工序的順利進行，利用蠟加熱后融化，冷卻后凝固的特性，將晶片固定在陶瓷盤上，因晶片存在曲翹，背面成拱狀凸起約160μm，故需通過施加一定壓力，將其平整固定在加工盤上。

現(xiàn)有加壓流程為：上蠟機臺通過調(diào)整電子加壓閥來調(diào)整內(nèi)置橫膈膜的壓力，橫膈膜推動加壓板及固定在加壓板上的硅膠墊，從而對晶片施加壓力，將晶片壓平，因加壓板為完整一塊，存在以下問題：（1）局部硅膠墊出現(xiàn)滲蠟、形變或不平整，無法均一將力傳遞到晶片上，使晶片無法完全被壓平，導致晶片在經(jīng)過減薄加工及下蠟后出現(xiàn)局部偏薄的現(xiàn)象，造成損失；

（2）當加工盤加工多片晶片時，因晶片本身厚度不一致或彼此厚度不一致，造成加壓板傾斜，導致晶片固定在加工盤上發(fā)生傾斜，不利于減薄工序進行。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種上蠟機，具有實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度的特點，實現(xiàn)晶片平整固定在加工盤上，利于后續(xù)減薄工序的良好進行。

本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的方案是：一種上蠟機，包括加工盤和加壓裝置，加工盤的平整度小于10微米，加壓裝置包括加壓系統(tǒng)和加壓板，加壓系統(tǒng)和加壓板之間設置電磁閥，加壓板為分塊式壓塊。

壓塊呈幾何分布，包含但不限于矩陣分布、圓形分布和離散分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

加壓系統(tǒng)的加壓方式包含但不限于氣壓、液壓和機械加壓，通過設置在加壓系統(tǒng)和加壓板之間的電磁閥實現(xiàn)加壓板對晶片的加壓控制。

對本實用新型進一步的改進是加工盤上安裝著厚度偵測器，用于實時監(jiān)控加工盤上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

對本實用新型進一步的改進也可以是加壓板上安裝著厚度偵測器，用于實時監(jiān)控加工盤上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

厚度偵測器的偵測方式包含但不限于紅外線、激光和超聲波。

厚度偵測器呈幾何分布包含但不限于矩陣分布、圓形分布和離散分布，均勻分布在加工盤或加壓板上，實現(xiàn)實時監(jiān)控加工盤上晶片的厚度及蠟層厚度。

對本實用新型再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

控制系統(tǒng)包括輸入端和控制端。

輸入端連接著厚度偵測器，厚度偵測器將實時監(jiān)控的晶片厚度和蠟層厚度數(shù)據(jù)反饋到輸入端激活控制系統(tǒng)，控制端連接著電磁閥，控制端接受控制系統(tǒng)發(fā)出的指令調(diào)控電磁閥實現(xiàn)對壓塊的獨立壓力控制，實現(xiàn)對晶片的局部加壓或加壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

本實用新型的有益效果是：

1、本實用新型的上蠟機中加壓板采用的是分塊式的壓塊，壓塊呈幾何分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度；

2、本實用新型的上蠟機的進一步改進是在加工盤或加壓板上安裝厚度偵測器，用于實時監(jiān)控加工盤上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度；

3、本實用新型的上蠟機再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

附圖說明

圖1~圖2為實施例1的上蠟機示意圖；

圖3~圖5為本實用新型的壓塊分布示意圖；

圖6為實施例2的上蠟機示意圖。

圖中標示：1、加壓系統(tǒng)；2、加壓板；3、加工盤；4、厚度偵測器。

具體實施方式

實施例1

參看圖1和圖2一種上蠟機，包括加工盤3和加壓裝置，加工盤3的平整度小于10微米，加壓裝置包括加壓系統(tǒng)1和加壓板2，加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間設置電磁閥，加壓板2為分塊式壓塊。

壓塊呈矩陣分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

加壓系統(tǒng)1的加壓方式是氣壓，通過設置在加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間的電磁閥實現(xiàn)加壓板2對晶片的加壓控制。

對本實用新型進一步的改進是加工盤3上安裝著厚度偵測器4，用于實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤3上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

厚度偵測器4的偵測方式是紅外線。

厚度偵測器4呈矩陣分布，均勻分布在加工盤3或加壓板2上，實現(xiàn)實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度。

對本實用新型再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

控制系統(tǒng)包括輸入端和控制端。

輸入端連接著厚度偵測器4，厚度偵測器4將實時監(jiān)控的晶片厚度和蠟層厚度數(shù)據(jù)反饋到輸入端激活控制系統(tǒng)，控制端連接著電磁閥，控制端接受控制系統(tǒng)發(fā)出的指令調(diào)控電磁閥實現(xiàn)對壓塊的獨立壓力控制，實現(xiàn)對晶片的局部加壓或加壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

實施例2

一種上蠟機，包括加工盤3和加壓裝置，加工盤3的平整度小于10微米，加壓裝置包括加壓系統(tǒng)1和加壓板2，加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間設置電磁閥，加壓板2為分塊式壓塊。

壓塊呈圓形分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

加壓系統(tǒng)1的加壓方式液壓，通過設置在加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間的電磁閥實現(xiàn)加壓板2對晶片的加壓控制。

對本實用新型進一步的改進是加工盤3上安裝著厚度偵測器4，用于實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤3上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

厚度偵測器4的偵測方式是激光。

厚度偵測器4呈圓形分布，均勻分布在加工盤3或加壓板2上，實現(xiàn)實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度。

對本實用新型再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

控制系統(tǒng)包括輸入端和控制端。

輸入端連接著厚度偵測器4，厚度偵測器4將實時監(jiān)控的晶片厚度和蠟層厚度數(shù)據(jù)反饋到輸入端激活控制系統(tǒng)，控制端連接著電磁閥，控制端接受控制系統(tǒng)發(fā)出的指令調(diào)控電磁閥實現(xiàn)對壓塊的獨立壓力控制，實現(xiàn)對晶片的局部加壓或加壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

實施例3

一種上蠟機，包括加工盤3和加壓裝置，加工盤3的平整度小于10微米，加壓裝置包括加壓系統(tǒng)1和加壓板2，加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間設置電磁閥，加壓板2為分塊式壓塊。

壓塊呈離散分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

加壓系統(tǒng)1的加壓方式是機械加壓，通過設置在加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間的電磁閥實現(xiàn)加壓板2對晶片的加壓控制。

對本實用新型進一步的改進是加工盤3上安裝著厚度偵測器4，用于實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤3上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

厚度偵測器4的偵測方式是超聲波。

厚度偵測器4呈離散分布，均勻分布在加工盤3或加壓板2上，實現(xiàn)實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度。

對本實用新型再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

控制系統(tǒng)包括輸入端和控制端。

輸入端連接著厚度偵測器4，厚度偵測器4將實時監(jiān)控的晶片厚度和蠟層厚度數(shù)據(jù)反饋到輸入端激活控制系統(tǒng)，控制端連接著電磁閥，控制端接受控制系統(tǒng)發(fā)出的指令調(diào)控電磁閥實現(xiàn)對壓塊的獨立壓力控制，實現(xiàn)對晶片的局部加壓或加壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

實施例4

一種上蠟機，包括加工盤3和加壓裝置，加工盤3的平整度小于10微米，加壓裝置包括加壓系統(tǒng)1和加壓板2，加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間設置電磁閥，加壓板2為分塊式壓塊。

壓塊呈矩陣分布，在上蠟加壓過程中，多個壓塊均勻分布在晶片上，使壓力均勻作用在晶片上，又可在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

加壓系統(tǒng)1的加壓方式是液壓，通過設置在加壓系統(tǒng)1和加壓板2之間的電磁閥實現(xiàn)加壓板對晶片的加壓控制。

對本實用新型進一步的改進是加壓板上安裝著厚度偵測器4，用于實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度，自動向機臺系統(tǒng)反饋當前加工盤3上晶片的狀態(tài)，使加壓過程可控，實現(xiàn)實時監(jiān)控晶片厚度和精確控制蠟層厚度。

厚度偵測器4的偵測方式是超聲波。

厚度偵測器4呈離散分布，均勻分布在加工盤3或加壓板上，實現(xiàn)實時監(jiān)控加工盤3上晶片的厚度及蠟層厚度。

對本實用新型再進一步的改進是加壓裝置包含控制系統(tǒng)，可統(tǒng)一或獨立控制著壓塊，實現(xiàn)對晶片的整體加壓和在后續(xù)當晶片出現(xiàn)放置不平、晶片自身厚度不一致或晶片彼此厚度不一致的時候通過控制系統(tǒng)實現(xiàn)局部加壓或減壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

控制系統(tǒng)包括輸入端和控制端。

輸入端連接著厚度偵測器4，厚度偵測器4將實時監(jiān)控的晶片厚度和蠟層厚度數(shù)據(jù)反饋到輸入端激活控制系統(tǒng)，控制端連接著電磁閥，控制端接受控制系統(tǒng)發(fā)出的指令調(diào)控電磁閥實現(xiàn)對壓塊的獨立壓力控制，實現(xiàn)對晶片的局部加壓或加壓，實現(xiàn)精準控制蠟層厚度。

上述實施例僅用來進一步說明本實用新型的一種上蠟機，但本實用新型并不局限于實施例，凡是依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實用新型技術(shù)方案的保護范圍內(nèi)。