本實用新型涉及系統(tǒng)級封裝領(lǐng)域，尤其是一種埋入式芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

半導體封裝行業(yè)中所采用的晶圓級或面板級型封裝可實現(xiàn)更大面積整體封裝，進一步增加封裝效率，降低封裝成本，有望成為本領(lǐng)域未來的封裝趨勢。而埋入式型封裝可進一步地增加封裝密度，使封裝內(nèi)互連長度大大減小，從而在整體上提高封裝性能，降低封裝引入的電氣損耗。

目前的無源器件與有源器件的集成封裝結(jié)構(gòu)中，一般采用硅晶圓作為載板，預先在硅晶圓上形成空腔，將需要封裝的芯片，器件等埋入空腔內(nèi)，通過硅晶圓正面制作再布線層實現(xiàn)芯片間互連，并通過再布線上的焊球?qū)崿F(xiàn)與外部電連接。

但是，目前現(xiàn)有無源器件與有源器件的集成封裝結(jié)構(gòu)中，僅僅將硅晶圓用作為載板，不同芯片或器件間通過硅晶圓正面的再布線層實現(xiàn)互連，互連密度低，載板本體僅作為物理支撐，浪費了較大區(qū)域。另外，目前主流模塊是將有源芯片成品和無源器件成品貼合到一起，無源器件原有的封裝會占據(jù)較大的面積，不利于封裝結(jié)構(gòu)進一步小型化。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本實用新型提供一種無源器件與有源器件的集成封裝結(jié)構(gòu)，能夠提高封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的互連密度，并通過在基板內(nèi)部直接集成無源器件進一步節(jié)省封裝結(jié)構(gòu)的整體面積。本實用新型采用的技術(shù)方案是：

一種無源器件與有源器件的集成封裝結(jié)構(gòu)，包括基板，還包括以下結(jié)構(gòu)：

所述基板內(nèi)部存在填充有導電材料的通孔和空腔；

若干位于空腔內(nèi)的芯片，所述芯片正面具有金屬焊盤；

位于基板背面的第一導電布線層和覆蓋第一導電布線層的第一介質(zhì)層；

位于基板正面的第二導電布線層和覆蓋第二導電布線層的第二介質(zhì)層；

位于第二導電布線層之上的正面焊球；

芯片的金屬焊盤和填充有導電材料的通孔通過第二導電布線層電連接；填充有導電材料的通孔通過第一導電布線層電連接；第二導電布線層與正面焊球電連接。

進一步地，填充有導電材料的通孔、第一導電布線層中用于連接通孔的線路，以及第二導電布線層中一端直接連接通孔的線路構(gòu)成三維電感結(jié)構(gòu)。

進一步地，芯片通過粘片膠貼于空腔底部。

更進一步地，粘片膠可以是導電膠，非導電膠。

進一步地，基板背面的第一導電布線層上制作有背面焊盤，背面焊盤通過第一介質(zhì)層上的開口露出第一介質(zhì)層。

進一步地，填充有導電材料的通孔為圓柱形或方柱形。

進一步地，空腔向基板正面開口。

進一步地，芯片包括有源芯片和/或無源芯片。

進一步地，第一導電布線層與第二導電布線層材料是銅，鎳，錫，銀，金或合金。

進一步地，第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層是聚合物介質(zhì)。

本實用新型的優(yōu)點在于：本實用新型通過在基板上制作三維無源器件的同時嵌入有源芯片，能夠提高封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部的互連密度，大幅降低無源器件與有源器件的集成模組厚度。

1）基板正背面都具有導電布線層，可以提高封裝體內(nèi)部互連密度。

2）在基板內(nèi)部可利用填充有導電材料的通孔和基板正背面的導電布線層制作無源器件，提高集成度，減少分立無源器件的使用，進一步節(jié)省封裝結(jié)構(gòu)的整體面積。

附圖說明

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)組成示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

如圖1所示，本實用新型提出的無源器件與有源器件的集成封裝結(jié)構(gòu)，包括以下結(jié)構(gòu)：

一塊基板1，所述基板1內(nèi)部存在填充有導電材料的通孔2和空腔101；

若干位于空腔101內(nèi)的芯片6，所述芯片6正面具有金屬焊盤601；芯片6通過粘片膠5貼于空腔101底部；

位于基板1背面的第一導電布線層3和覆蓋第一導電布線層的第一介質(zhì)層4；

位于基板1正面的第二導電布線層7和覆蓋第二導電布線層的第二介質(zhì)層8；

位于第二導電布線層7之上的正面焊球9；

芯片的金屬焊盤601和填充有導電材料的通孔2通過第二導電布線層7電連接；圖1中兩個填充有導電材料的通孔2通過第一導電布線層3電連接；第二導電布線層7與正面焊球9電連接。填充有導電材料的通孔2、第一導電布線層3中用于連接通孔2的線路，以及第二導電布線層7中一端直接連接通孔2的線路可以構(gòu)成三維電感結(jié)構(gòu)。

具體地，基板1可以是硅、玻璃或其他材料。

具體地，填充有導電材料的通孔2可以是圓柱形，方柱形或其他形狀；其填充材料可以是銅，鎳，錫，銀，金或其他金屬、合金等導電材料。

具體地，空腔101向基板1正面開口，形狀可以是長方體或其他形狀。

具體地，芯片6可以是有源芯片，無源芯片或其他芯片；金屬焊盤601材料可以是銅，鎳，錫，銀，金或其他金屬、合金等導電材料。

具體地，粘片膠5可以是導電膠，非導電膠，或是具有粘貼功能的其他材料。

具體地，第一導電布線層3與第二導電布線層7材料可以是銅，鎳，錫，銀，金或其他金屬、合金等導電材料。

具體地，第一介質(zhì)層4和第二介質(zhì)層8可以是聚合物介質(zhì)或其他介質(zhì)。

具體地，正面焊球9材料可以是銅，鎳，錫，銀，金或其他金屬、合金等導電材料。

工作原理：位于基板正背面的導電布線層可以用作芯片間的電連接，實現(xiàn)封裝體內(nèi)部的高密度互連。另外，可以利用位于基板內(nèi)部的填充有導電材料的通孔2和基板正背面的導電布線層制作無源器件，提高集成度，減少分立無源器件的使用，進一步節(jié)省封裝結(jié)構(gòu)的整體面積。例如，圖1中的兩個通孔2通過基板背面的第一導電布線層3互連，可形成電感（無源器件）。

進一步地，基板1背面的第一導電布線層3上可制作背面焊盤301，背面焊盤301通過第一介質(zhì)層4上的開口露出第一介質(zhì)層4；通過第一導電布線層3上的背面焊盤301，可貼裝其他芯片，實現(xiàn)三維芯片集成。