本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種薄型塑封整流橋結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，整流橋行業(yè)進(jìn)入新一輪發(fā)展周期，各類(lèi)整流橋均已往極限封裝上提升和改善，進(jìn)而出現(xiàn)了很多的弊端，如塑封整流橋越薄，焊接及成型應(yīng)力問(wèn)題越發(fā)突出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在減小薄型塑封整流橋焊接及成型的應(yīng)力，滿足日益發(fā)展的極限封裝的要求。

為此，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案為：一種減小焊接及成型應(yīng)力的薄型塑封整流橋，包括塑封體，以及封裝于塑封體內(nèi)的上料片、下料片和芯片，所述上料片由位于同一側(cè)并分別彎折成“Z”形的第一上料片和第二上料片組成，下料片由位于另一側(cè)并分別彎折成“Z”形的第一下料片和第二下料片組成，在上料片與下料片之間通過(guò)凸點(diǎn)焊接有四個(gè)所述芯片，所述上料片、下料片均包括芯片焊接部分和引腳部分，所述上料片、下料片的芯片焊接部分的周向邊緣呈波浪形。

作為上述方案的優(yōu)選，所述上料片、下料片上各設(shè)置有兩個(gè)小圓孔，將相鄰的焊接點(diǎn)隔開(kāi)；小圓孔對(duì)料片的變形具有緩沖作用，使料片受熱后有一定的膨脹空間。

進(jìn)一步，所述第一上料片、第二上料片上各設(shè)置有一個(gè)向下的凸點(diǎn)和一個(gè)小圓孔，所述第一下料片上設(shè)置有兩個(gè)向上的凸點(diǎn)和一個(gè)小圓孔，第二下料片上設(shè)置有一個(gè)小圓孔，優(yōu)化結(jié)構(gòu)布置，使整體結(jié)構(gòu)更為緊湊。

本實(shí)用新型的有益效果：將上料片、下料片的芯片焊接部分的周向邊緣設(shè)置成波浪形，減少焊接及成型應(yīng)力，采用波浪形結(jié)構(gòu)后，浪涌能力可達(dá)到150A以上，可達(dá)到100mil的極限mini橋封裝，滿足薄形塑封整流橋極限封裝的要求。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的俯視圖。

圖2為本實(shí)用新型的主視圖。

圖3為上料片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為下料片的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過(guò)實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明：

結(jié)合圖1—圖4所示，一種減小焊接及成型應(yīng)力的薄型塑封整流橋，由塑封體1，以及封裝于塑封體1內(nèi)的上料片2、下料片3和芯片4組成。上料片2由位于同一側(cè)并分別彎折成“Z”形的第一上料片2a和第二上料片2b組成，下料片3由位于另一側(cè)并分別彎折成“Z”形的第一下料片3a和第二下料片3b組成，上料片2、下料片3均為分體式結(jié)構(gòu)。在上料片2與下料片3之間通過(guò)凸點(diǎn)6焊接有四個(gè)芯片4，每個(gè)凸點(diǎn)6對(duì)應(yīng)一個(gè)芯片4，芯片4通過(guò)凸點(diǎn)6并結(jié)合焊錫膏焊接在上料片2與下料片3之間。上料片2、下料片3均包括芯片焊接部分用于焊接芯片4，以及延伸到塑封體1外的引腳部分。以上所述與現(xiàn)有的塑封整流橋結(jié)構(gòu)一致，在此不再贅述。

區(qū)別在于：上料片2、下料片3的芯片焊接部分的周向邊緣呈波浪形，由于芯片焊接部分的焊接及成型應(yīng)力最大，極易發(fā)生應(yīng)力變形，因此通過(guò)波浪形結(jié)構(gòu)，浪涌能力可達(dá)到150A以上，最大可塑封100mil芯片。

最好是，上料片2、下料片3上各設(shè)置有兩個(gè)小圓孔5，將相鄰的焊接點(diǎn)隔開(kāi)，小圓孔5的直徑優(yōu)選為0.5mm。

另外，第一上料片2a、第二上料片2b上各設(shè)置有一個(gè)向下的凸點(diǎn)6和一個(gè)小圓孔5，第一下料片3a上設(shè)置有兩個(gè)向上的凸點(diǎn)6和一個(gè)小圓孔5，第二下料片3b上設(shè)置有一個(gè)小圓孔5。