本發(fā)明涉及晶圓芯片調(diào)整方法，具體為基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法。

背景技術(shù)：

DRAM前端晶圓測試，由于工藝變化，各晶圓晶片的tWR、tRP、tRCD等時(shí)間參數(shù)在晶圓上呈非均勻分布，而時(shí)間參數(shù)不滿足條件的晶圓晶片，會(huì)被拋棄，從而導(dǎo)致晶圓芯片良品率的降低?，F(xiàn)有的解決方案是，對晶圓進(jìn)行監(jiān)控測試，得到tWR時(shí)間參數(shù)的工藝分布，然后，基于tWR時(shí)間參數(shù)的工藝分布，對晶圓上的每個(gè)晶片進(jìn)行單片獨(dú)立調(diào)整以使得tWR滿足產(chǎn)品規(guī)格要求。因此在對每一片晶圓晶片，都需要先進(jìn)行監(jiān)控測試，才能調(diào)整tWR時(shí)間參數(shù)。其它時(shí)間參數(shù)調(diào)整也是如此，這樣會(huì)導(dǎo)致測試時(shí)間的大幅增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，能夠?qū)A晶片上不符合要求的時(shí)間參數(shù)進(jìn)行快速調(diào)整，方法簡單，操作方便，測試效率高。

本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，包括如下步驟，

步驟1，從晶圓廠或首次晶圓測試獲取晶圓位置的工藝分布，得到該晶圓上所有晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布；

步驟2，根據(jù)晶圓晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布，得到需要調(diào)整的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果，并將測試結(jié)果與規(guī)格要求值進(jìn)行比較，確定目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

步驟3，在前端測試中，將目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量通過熔斷對應(yīng)晶圓晶片中CHIPID模塊自定義字段的FUSE進(jìn)行賦值，從而將目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量內(nèi)置在CHIPID模塊的自定義字段中；

步驟4，在前端測試中，讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量，根據(jù)得到的預(yù)設(shè)調(diào)整量熔斷目標(biāo)時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的FUSE，完成目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的調(diào)整。

優(yōu)選的，還包括在后端測試中對目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整，具體步驟如下；

a.通過后端測試得到目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果；

b.讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

c.結(jié)合測試結(jié)果和預(yù)設(shè)調(diào)整量得到目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整量；

d.根據(jù)得到的二次調(diào)整量熔斷目標(biāo)時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的EFUSE，完成目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整。

基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，包括如下步驟，

步驟1，從晶圓廠或首次晶圓測試獲取晶圓位置的工藝分布，得到該晶圓上所有晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布；

步驟2，根據(jù)晶圓晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布，得到需要調(diào)整的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果，并將測試結(jié)果與規(guī)格要求值進(jìn)行比較，確定目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

步驟3，在前端測試中，將目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量通過熔斷對應(yīng)晶圓晶片中CHIPID模塊自定義字段的FUSE進(jìn)行賦值，從而將目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量內(nèi)置在CHIPID模塊的自定義字段中；

步驟4，在后端測試中，讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；根據(jù)得到的預(yù)設(shè)調(diào)整量熔斷目標(biāo)時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的EFUSE，完成目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的調(diào)整。

進(jìn)一步，所述的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)為tWR時(shí)間參數(shù)、tRP時(shí)間參數(shù)和tRCD時(shí)間參數(shù)中的至少一種。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益的技術(shù)效果：

本發(fā)明利用每一片晶圓的每一片晶片中內(nèi)置的CHIPID(CHIP Identity,芯片序列號)模塊，通過CHIPID模塊中的自定義字段的設(shè)置，對目標(biāo)時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量進(jìn)行直接賦值寫入，能夠在前端測試或是后端測試前，就確定所有晶圓中每個(gè)晶片中需要進(jìn)行調(diào)整的時(shí)間參數(shù)，以及調(diào)整量；因此對一個(gè)晶圓只需要根據(jù)晶圓廠提供的工藝分布，或者是進(jìn)行一次監(jiān)控測試得到的晶圓分布，利用CHIPID模塊中自定義字段的賦值一次，就能夠在后續(xù)的前端測試或是后端測試時(shí)，直接對所需要的時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，節(jié)省了對每個(gè)晶片進(jìn)行監(jiān)控測試的時(shí)間，極大的提高了工作效率，同時(shí)避免了多次監(jiān)測帶來的調(diào)整偏差，降低測試成本，提高晶圓芯片良品率。

進(jìn)一步的，利用后端測試中對EFUSE(電可編程熔絲)的二次操作，能夠?qū)η岸藴y試中的FUSE(電阻熔絲)的操作進(jìn)行更改和再次調(diào)整，使得調(diào)整方式靈活，操作方便穩(wěn)定可靠。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)例1所述的調(diào)整方法的流程圖。

圖2是本發(fā)明實(shí)例2所述的調(diào)整方法的流程圖。

圖3是本發(fā)明實(shí)例3所述的調(diào)整方法的流程圖。

圖4是本發(fā)明實(shí)例中所述的晶圓工藝分布圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體的實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)說明，所述是對本發(fā)明的解釋而不是限定。

本發(fā)明所述的方法原理如下。

每一片晶圓的每一片晶片，都內(nèi)置CHIPID模塊，CHIPID模塊包括多個(gè)字段，每個(gè)字段含多位FUSE；所述的字段包括：晶圓廠代號、設(shè)計(jì)廠商代號、產(chǎn)品類型、產(chǎn)品容量、晶片坐標(biāo)等強(qiáng)制字段，以及一些自定義字段。缺省情況，F(xiàn)USE未熔斷，每個(gè)字段信息為全“0”，熔斷相應(yīng)字段的FUSE，可對相應(yīng)字段賦值。

所述的晶片的時(shí)間參數(shù)，例如tWR、tRP、tRCD等時(shí)間參數(shù)，均分別有各自對應(yīng)的FUSE和EFUSE。缺省情況，時(shí)間參數(shù)對應(yīng)FUSE/EFUSE未熔斷，不調(diào)整對應(yīng)時(shí)間參數(shù)；時(shí)間參數(shù)對應(yīng)FUSE/EFUSE熔斷后，可調(diào)整對應(yīng)的時(shí)間參數(shù)。

本發(fā)明基于晶圓工藝分布，其晶圓工藝分布如圖4所示，在對應(yīng)的不同位置的晶片的CHIPID模塊的自定義字段中設(shè)定調(diào)整tWR、tRP、tRCD等時(shí)間參數(shù)的FUSE值實(shí)現(xiàn)預(yù)設(shè)調(diào)整量的寫入，后續(xù)按照該設(shè)定的FUSE值熔斷調(diào)整tWR、tRP、tRCD等時(shí)間參數(shù)的FUSE和/或EFUSE，從而調(diào)整對應(yīng)的tWR、tRP、tRCD等目標(biāo)時(shí)間參數(shù)。

實(shí)例1

本發(fā)明基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，如圖1所示，包括如下步驟，

步驟1，從晶圓廠或首次晶圓測試獲取晶圓位置的工藝分布，得到該晶圓上所有晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布；

步驟2，對tWR時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，則其為目標(biāo)時(shí)間參數(shù)；根據(jù)晶圓晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布，得到需要調(diào)整的tWR時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果，并將測試結(jié)果與規(guī)格要求值進(jìn)行比較，確定tWR時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

步驟3，在前端測試中，將tWR時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量通過熔斷對應(yīng)晶圓晶片中CHIPID模塊自定義字段的FUSE進(jìn)行賦值，從而將tWR時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量內(nèi)置在CHIPID模塊的自定義字段中；

步驟4，在前端測試中，讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的tWR時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量，根據(jù)得到的預(yù)設(shè)調(diào)整量熔斷tWR時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的FUSE，完成tWR時(shí)間參數(shù)的調(diào)整。

實(shí)例2

本發(fā)明基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，如圖2所示，包括如下步驟，

步驟1，從晶圓廠或首次晶圓測試獲取晶圓位置的工藝分布，得到該晶圓上所有晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布；

步驟2，對tRP時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，則其為目標(biāo)時(shí)間參數(shù)；根據(jù)晶圓晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布，得到需要調(diào)整的tRP時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果，并將測試結(jié)果與規(guī)格要求值進(jìn)行比較，確定tRP時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

步驟3，在前端測試中，將tRP時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量通過熔斷對應(yīng)晶圓晶片中CHIPID模塊自定義字段的FUSE進(jìn)行賦值，從而將tRP時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量內(nèi)置在CHIPID模塊的自定義字段中；

步驟4，在前端測試中，讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的tRP時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量，根據(jù)得到的預(yù)設(shè)調(diào)整量熔斷tRP時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的FUSE，完成tRP時(shí)間參數(shù)的調(diào)整。

步驟5，在后端測試中對tRP時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整；

5.1.通過后端測試得到tRP時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果；

5.2.讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的tRP時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

5.3.結(jié)合測試結(jié)果和預(yù)設(shè)調(diào)整量得到tRP時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整量；

5.4.根據(jù)得到的二次調(diào)整量熔斷tRP時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的EFUSE，完成tRP時(shí)間參數(shù)的二次調(diào)整。

實(shí)例3

本發(fā)明基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，如圖3所示，包括如下步驟，

步驟1，從晶圓廠或首次晶圓測試獲取晶圓位置的工藝分布，得到該晶圓上所有晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布；

步驟2，對tRCD時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，則其為目標(biāo)時(shí)間參數(shù)；根據(jù)晶圓晶片中時(shí)間參數(shù)的工藝分布，得到需要調(diào)整的tRCD時(shí)間參數(shù)的測試結(jié)果，并將測試結(jié)果與規(guī)格要求值進(jìn)行比較，確定tRCD時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；

步驟3，在前端測試中，將tRCD時(shí)間參數(shù)的調(diào)整量通過熔斷對應(yīng)晶圓晶片中CHIPID模塊自定義字段的FUSE進(jìn)行賦值，從而將tRCD時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量內(nèi)置在CHIPID模塊的自定義字段中；

步驟4，在后端測試中，讀取CHIPID模塊中自定義字段的賦值，獲取步驟2中設(shè)置的tRCD時(shí)間參數(shù)的預(yù)設(shè)調(diào)整量；根據(jù)得到的預(yù)設(shè)調(diào)整量熔斷tRCD時(shí)間參數(shù)對應(yīng)的EFUSE，完成tRCD時(shí)間參數(shù)的調(diào)整。

實(shí)例4

本發(fā)明基于晶圓位置的晶圓晶片時(shí)間參數(shù)調(diào)整方法，能夠同時(shí)對多個(gè)時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整，能夠采用如實(shí)例1-3的任意一個(gè)方法，確認(rèn)多個(gè)目標(biāo)時(shí)間參數(shù)后，分別對其在CHIPID模塊的不同自定義字段中進(jìn)行賦值，然后在前端測試或后端測試中，分別根據(jù)讀取值，對應(yīng)的對不同的目標(biāo)時(shí)間參數(shù)進(jìn)行調(diào)整操作。