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      顯示器及其制備方法與流程

      文檔序號(hào):11925925閱讀:335來(lái)源:國(guó)知局
      顯示器及其制備方法與流程

      本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種顯示器及其制備方法。



      背景技術(shù):

      顯示器是屬于電腦的I/O設(shè)備,即輸入輸出設(shè)備。它是一種將一定的電子文件通過(guò)特定的傳輸設(shè)備顯示到屏幕上再反射到人眼的顯示工具。對(duì)于傳統(tǒng)的顯示器,由于其生產(chǎn)過(guò)程中顯示屏的制作階段容易發(fā)生蒸鍍偏位,容易導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移,從而產(chǎn)生彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura,即亮度不均勻、造成各種痕跡的現(xiàn)象,影響了顯示器的應(yīng)用。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      基于此,有必要針對(duì)傳統(tǒng)的顯示器存在亮度不均勻現(xiàn)象的問(wèn)題,提供一種亮度均勻的顯示器。

      一種顯示器,包括:

      發(fā)光元件,包括若干個(gè)子像素;

      第一電介質(zhì)層,位于所述子像素的出光側(cè);

      以及金屬膜結(jié)構(gòu),位于所述第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述發(fā)光元件的一側(cè),且所述金屬膜結(jié)構(gòu)與所述子像素對(duì)應(yīng)設(shè)置,所述金屬膜結(jié)構(gòu)可使對(duì)應(yīng)位置的所述子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng)。

      上述顯示器的金屬膜結(jié)構(gòu)靠近第一電介質(zhì)層的表面能夠產(chǎn)生金屬表面等離子激元,當(dāng)顯示器因蒸鍍偏位等原因,導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移時(shí),通過(guò)調(diào)整金屬膜結(jié)構(gòu)的尺寸,利用金屬局域表面等離子激元濾波效應(yīng)和光增強(qiáng)效應(yīng),能夠使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述第一電介質(zhì)層為氮化硅層、氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述金屬膜結(jié)構(gòu)的材質(zhì)為貴金屬。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述金屬膜結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)子金屬膜結(jié)構(gòu),每個(gè)所述子像素上均設(shè)置有至少兩個(gè)相互調(diào)制的子金屬膜結(jié)構(gòu)。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述子金屬膜結(jié)構(gòu)為長(zhǎng)方體或者圓柱體。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述顯示器還包括第二電介質(zhì)層,所述第二電介質(zhì)層位于所述金屬膜結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述發(fā)光元件的一側(cè)。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述第二電介質(zhì)層為氮化硅層、氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,所述顯示器為OLED顯示器。

      此外,還提供一種顯示器的制備方法,包括以下步驟:

      提供發(fā)光元件,所述發(fā)光元件包括若干個(gè)子像素;

      在所述子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層;

      以及在所述第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述發(fā)光元件的一側(cè)形成金屬膜結(jié)構(gòu),所述金屬膜結(jié)構(gòu)與所述子像素對(duì)應(yīng)設(shè)置,所述金屬膜結(jié)構(gòu)可使對(duì)應(yīng)位置的所述子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng)。

      在其中一個(gè)實(shí)施方式中,還包括以下步驟:在所述金屬膜結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離所述發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

      當(dāng)采用本發(fā)明的顯示器的制備方法得到的顯示器因蒸鍍偏位等原因,導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移時(shí),通過(guò)調(diào)整金屬膜結(jié)構(gòu),利用金屬局域表面等離子激元濾波效應(yīng)和光增強(qiáng)效應(yīng),能夠使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      附圖說(shuō)明

      圖1為一實(shí)施方式的顯示器的示意圖;

      圖2為一實(shí)施方式的顯示器中發(fā)光區(qū)域上子金屬膜結(jié)構(gòu)的排列示意圖;

      圖3為另一實(shí)施方的顯示器的示意圖;

      圖4為一實(shí)施方式的顯示器的制備方法的流程圖。

      具體實(shí)施方式

      為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn),因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施方式的限制。

      請(qǐng)參見(jiàn)圖1和圖2,一實(shí)施方式的顯示器100包括依次層疊設(shè)置的TFT(薄膜晶體管)110、發(fā)光元件120、第一電介質(zhì)層130、金屬膜結(jié)構(gòu)140、第二電介質(zhì)層150以及封裝層160。

      本實(shí)施方式的發(fā)光元件120為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode),即,本實(shí)施方式的顯示器為OLED顯示器。OLED包括若干層疊設(shè)置的功能層,均通過(guò)蒸鍍工藝形成,而蒸鍍過(guò)程中極容易發(fā)生蒸鍍偏位,容易導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移而導(dǎo)致彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura現(xiàn)象,OLED的彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura現(xiàn)象嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率。

      為此,在發(fā)光元件120的子像素的出光側(cè)依次設(shè)置第一電介質(zhì)層130、金屬膜結(jié)構(gòu)140以及第二電介質(zhì)層150。其中,金屬膜結(jié)構(gòu)140與子像素對(duì)應(yīng)設(shè)置,用以使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng)。

      具體的,本實(shí)施方式的顯示器100為頂發(fā)光,發(fā)光元件120的子像素的出光側(cè)為圖1中所示的發(fā)光元件120的上方,故第一電介質(zhì)層130位于發(fā)光元件120的上方。

      本實(shí)施方式的第一電介質(zhì)層130為氮化硅層。由于氮化硅的相對(duì)介電常數(shù)較大,為6~9,而金屬膜結(jié)構(gòu)140位于第一電介質(zhì)層130遠(yuǎn)離發(fā)光元件120的一側(cè),在金屬膜結(jié)構(gòu)140與第一電介質(zhì)層130之間形成了界面。因此,氮化硅層能夠增強(qiáng)金屬膜結(jié)構(gòu)140表面等離子激元的激發(fā)作用,從而有利于增強(qiáng)該區(qū)域內(nèi)每個(gè)子像素的中心波長(zhǎng)的光透射,而減弱偏移波長(zhǎng)范圍的光透射,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      需要說(shuō)明的是,第一電介質(zhì)層130不限于本實(shí)施方式的氮化硅層,亦可為其他介電常數(shù)較大的功能層,例如,還可以為氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。當(dāng)將氧化硅層等介電常數(shù)較大的功能層設(shè)置于金屬膜結(jié)構(gòu)140的一側(cè)時(shí),亦能夠增強(qiáng)金屬膜結(jié)構(gòu)140表面等離子激元的激發(fā)作用。

      本實(shí)施方式的金屬膜結(jié)構(gòu)140的材質(zhì)為貴金屬,具體的,貴金屬為Au(金)。當(dāng)然,金屬膜結(jié)構(gòu)140的材質(zhì)亦可選自其它的貴金屬,例如,Ag(銀)或者Cu(銅)。這些貴金屬表面激發(fā)的等離子激元均可使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng)。

      請(qǐng)參見(jiàn)圖2,本實(shí)施方式的金屬膜結(jié)構(gòu)140包括若干個(gè)子金屬膜結(jié)構(gòu),且每個(gè)子像素上均設(shè)置有至少兩個(gè)相互調(diào)制的子金屬膜結(jié)構(gòu)。

      具體的,R像素上設(shè)置有四個(gè)沿中心對(duì)稱設(shè)置的尺寸相同的第一子金屬膜結(jié)構(gòu)141,且第一子金屬膜結(jié)構(gòu)141為長(zhǎng)方體。G像素上設(shè)置有四個(gè)沿中心對(duì)稱設(shè)置的尺寸相同的第二子金屬膜結(jié)構(gòu)142,且第二子金屬膜結(jié)構(gòu)142為長(zhǎng)方體。B像素上設(shè)置有四個(gè)沿中心對(duì)稱設(shè)置的尺寸相同的第三子金屬膜結(jié)構(gòu)143,且第三子金屬膜結(jié)構(gòu)143為長(zhǎng)方體。

      本實(shí)施方式中的金屬膜結(jié)構(gòu)140的厚度為200nm,即第一子金屬膜結(jié)構(gòu)141、第二子金屬膜結(jié)構(gòu)142以及第三子金屬膜結(jié)構(gòu)143的厚度均為200nm。在此膜層厚度值時(shí),一方面保證了金屬膜結(jié)構(gòu)140表面等離子激元的激發(fā)效率,另一方面保證了光的透過(guò)率。當(dāng)然,金屬膜結(jié)構(gòu)140的厚度不限于此,亦可選自150nm~250nm之間的任意數(shù)值,具體可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)置。

      此外,每個(gè)子金屬膜結(jié)構(gòu)的形狀、尺寸以及位置不限于本實(shí)施方式,子金屬膜結(jié)構(gòu)的形狀亦可為圓柱體等其他形狀,可以對(duì)每個(gè)子像素上的對(duì)應(yīng)設(shè)置的子金屬膜結(jié)構(gòu)的尺寸和位置進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整,以使多個(gè)子金屬膜結(jié)構(gòu)起到相互調(diào)制的作用,從而達(dá)到使該區(qū)域內(nèi)每個(gè)子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱的效果。

      本實(shí)施方式的顯示器100還包括第二電介質(zhì)層150。第二電介質(zhì)層150位于金屬膜結(jié)構(gòu)140遠(yuǎn)離發(fā)光元件120的一側(cè),即圖1中金屬膜結(jié)構(gòu)140的上方。

      本實(shí)施方式的第二電介質(zhì)層150為氮化硅層。與第一電介質(zhì)層130起到的作用相同,在金屬膜結(jié)構(gòu)140與第二電介質(zhì)層150之間亦形成了界面,故能夠增強(qiáng)金屬膜結(jié)構(gòu)140表面等離子激元的激發(fā)作用,從而使有利于該區(qū)域內(nèi)每個(gè)子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      本實(shí)施方式中,金屬膜結(jié)構(gòu)140的兩側(cè)分別設(shè)置有第一電介質(zhì)層130和第二電介質(zhì)層150,因此,第一電介質(zhì)層130和第二電介質(zhì)層150起到了協(xié)同的作用,在金屬膜結(jié)構(gòu)140的兩個(gè)表面均能夠激發(fā)等離子激元,更有利于該區(qū)域內(nèi)的特定波段的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      需要說(shuō)明的是,由于第二電介質(zhì)層150遠(yuǎn)離發(fā)光元件120,因此,與第一電介質(zhì)層130相比,第二電介質(zhì)層150起到的作用相對(duì)較弱,即對(duì)金屬膜結(jié)構(gòu)140表面等離子激元的激發(fā)作用較弱,故本發(fā)明的顯示器亦可不設(shè)置第二電介質(zhì)層150。

      此外,第二電介質(zhì)層150不限于本實(shí)施方式的氮化硅層,亦可為其他介電常數(shù)較大的功能層,例如,還可以為氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結(jié)構(gòu)。

      封裝層160用于對(duì)其內(nèi)部的發(fā)光元件120、第一電介質(zhì)層130、金屬膜結(jié)構(gòu)140以及第二電介質(zhì)層150進(jìn)行封裝,起到阻隔水氧的作用,用于保護(hù)其內(nèi)部的功能層,提高顯示器100的壽命。

      此外還需要說(shuō)明的是,本實(shí)施方式的顯示器為OLED顯示器,然而,顯示器的類型不限于此,亦可為L(zhǎng)CD(Liquid Crystal Display,液晶顯示器)等其他存在Mura現(xiàn)象的顯示器。

      此外,顯示器還可以為底發(fā)光,此時(shí),金屬膜結(jié)構(gòu)則位于發(fā)光元件的下方。

      請(qǐng)參見(jiàn)圖3,另一實(shí)施方式的顯示器200包括依次層疊的TFT(薄膜晶體管)210、第二電介質(zhì)層220、金屬膜結(jié)構(gòu)230、第一電介質(zhì)層240、發(fā)光元件250以及封裝層260。

      本實(shí)施方式的顯示器200為底發(fā)光,發(fā)光元件250的子像素的出光側(cè)為圖3中所示的發(fā)光元件250的下方,故第一電介質(zhì)層240位于發(fā)光元件250的下方。

      當(dāng)本發(fā)明的顯示器因蒸鍍偏位等原因,導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移時(shí),通過(guò)調(diào)整金屬膜結(jié)構(gòu)的尺寸,利用金屬局域表面等離子激元濾波效應(yīng)和光增強(qiáng)效應(yīng),能夠使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      請(qǐng)參見(jiàn)圖4,一實(shí)施方式的顯示器的制備方法,包括以下步驟:

      S10、提供發(fā)光元件,發(fā)光元件包括若干個(gè)子像素。

      S20、在子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層。

      可以通過(guò)蒸鍍等工藝在子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層。

      S30、在第一電介質(zhì)層遠(yuǎn)離發(fā)光元件的一側(cè)形成金屬膜結(jié)構(gòu),金屬膜結(jié)構(gòu)與子像素對(duì)應(yīng)設(shè)置,金屬膜結(jié)構(gòu)可使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng)。

      優(yōu)選采用FMM mask(精密金屬遮罩)制作金屬膜結(jié)構(gòu),以調(diào)高金屬膜結(jié)構(gòu)中圖形的制作精度,保障透射增強(qiáng)的波長(zhǎng)不因圖形精度偏差發(fā)生偏移。

      S40、在金屬膜結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

      可以通過(guò)蒸鍍等工藝在在金屬膜結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)離發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

      當(dāng)采用本發(fā)明的顯示器的制備方法得到的顯示器因蒸鍍偏位等原因,導(dǎo)致出射光的波長(zhǎng)發(fā)生偏移時(shí),通過(guò)調(diào)整金屬膜結(jié)構(gòu)的尺寸,利用金屬局域表面等離子激元濾波效應(yīng)和光增強(qiáng)效應(yīng),能夠使對(duì)應(yīng)位置的子像素的中心波長(zhǎng)的光透射增強(qiáng),而使偏移中心波長(zhǎng)范圍的光透射減弱,從而達(dá)到減輕彩斑M(jìn)ura或邊緣Mura的效果,從而使顯示器的亮度保持均勻。

      以上所述實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。

      以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

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