本發(fā)明涉及硅片的制絨結構及其應用，尤其涉及一種包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片及其在太陽能電池中的應用，屬于太陽能電池技術領域。

背景技術：

硅基太陽能電池是工業(yè)界生產最為廣泛的太陽能電池，其中存在的重要的技術問題在于硅表面的反射率較高。為解決這個技術問題，將具有絨面結構的硅片應用到太陽能電池中是降低太陽能電池成本并進一步提高光電轉化效率的有效途徑之一，自1998年被發(fā)現(xiàn)以來，廣受研究者和工業(yè)界的重視。

常見的絨面結構，包括不規(guī)則的凸起、多孔硅表面以及金字塔和倒金字塔形狀表面的絨面結構。之前研究較熱的多孔硅表面絨面結構雖然具有極低的反射率，一般可以做到3％以下，但是由于其較大的比表面積在后續(xù)太陽能電池工藝很難匹配，從而導致太陽能電池效率低下。

另外，對于金字塔或倒金字塔結構的絨面結構，普遍認為倒金字塔結構的絨面結構性能更為優(yōu)異。所謂倒金字塔結構即為棱邊邊長與底邊邊長相等的倒正四棱錐，即其高與底邊邊長的比為通常是由(100)面開始刻蝕，最終形成由(111)面圍落而成的倒金字塔結構，通過刻蝕作用隨機形成在硅片的表面，該結構能夠對太陽光進行三次反射，理論上反射率可以降低至5％～15％。

現(xiàn)有技術中的倒金字塔結構的多晶硅片絨面結構研究較多。

例如專利CN105047734A和CN105428434A獲得了多晶硅片上的倒金字塔結構，多晶硅硅片表面有若干個倒金字塔結構，每個倒金字塔結構在多晶硅硅片的表面顯示為方形開口，沿方形開口的四個邊分別向多晶硅片內部傾斜延伸，四個錐形平面連接形成倒金字塔結構的錐形；倒金字塔結構的方形開口的邊長為100-1000納米、垂直深度為50-800納米，其傾斜的錐形平面法線與多晶硅硅片上表面法線間的夾角為20-65度；在多晶硅硅片表面上，倒金字塔結構是隨機分布的，并相互之間有疊加。

然而由于倒金字塔結構的形狀是固定的，僅是尺寸不同而已，對太陽光的反射角度是固定的，對減反的作用以及硅片電池效率也很難有更進一步的提升；因此，現(xiàn)有技術中，需要提供能夠進一步提高硅片電池效率的絨面結構。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的第一方面是提供了一種包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片，所述硅片表面隨機分布有倒四棱錐組，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長的比為0.7-6：1的倒四棱錐；所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形。

在目前現(xiàn)有技術中，對于具有倒四棱錐絨面結構的硅片來說，其均是典型的倒金字塔結構，即棱邊邊長與底邊邊長相等的倒正四棱錐，即其高與底邊邊長的比為通常是由(100)面開始刻蝕，最終形成由晶面族{111}的四個面圍落而成的倒金字塔結構。在實際獲得的具有倒金字塔絨面結構的硅片來說，倒四棱錐的高與底邊邊長的比一般在0.7-0.9：1之間。

在一個實施方案中，所述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片，其表面隨機分布有倒四棱錐組，所述倒四棱錐組包括一種或多種高與底邊邊長的比為1.2-4.4：1的倒四棱錐；所述倒四棱錐選自下列倒四棱錐中的一種或多種：

1)一種高與底邊邊長的比為1.2-1.5：1之間的倒四棱錐；

2)和/或一種高與底邊邊長的比為1.9-2.3：1之間的倒四棱錐；

3)和/或一種高與底邊邊長的比為2.5-3.1：1之間的倒四棱錐；

4)和/或一種高與底邊邊長的比為3.2-3.7：1之間的倒四棱錐；

5)和/或一種高與底邊邊長的比為4.0-4.4：1之間的倒四棱錐。

在又一個具體地實施方案中，所述高與底邊邊長的比在1.2-1.5：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在100nm-600nm之間。

在又一個具體地實施方案中，所述高與底邊邊長的比在1.9-2.3：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-450nm之間。

在又一個具體地實施方案中，所述高與底邊邊長的比在2.5-3.1：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-500nm之間。

在又一個具體地實施方案中，所述高與底邊邊長的比在3.2-3.7：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在70nm-500nm之間。

在又一個具體地實施方案中，所述高與底邊邊長的比在4.0-4.4：1之間的倒四棱錐，其底邊邊長在80nm-550nm之間。

本發(fā)明的第二方面是提供一種所述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片的制備方法，其包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在室溫下進行蝕刻，清洗去除金屬離子；去離子水清洗即得。

在一個實施方案中，所述酸性制絨液中包含0.5-10mmol/L的銀離子、10-200mmol/L的銅離子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H₂O₂。

在一個具體地實施方案中，在所述酸性制絨液中，銀離子和銅離子的摩爾比為1：5-100。

在一個更具體地實施方案中，所述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片的制備方法，其包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子；去離子水清洗即得。

本發(fā)明的第三方面是提供將上述包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片在太陽能電池中的應用。

附圖說明

圖1：顯示了未經堿液修飾的包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片SEM圖，從圖中標注處可以看出硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在48°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在1.2-1.5：1之間；倒四棱錐的底邊邊長在100nm-600nm左右；其高度在140nm-840nm左右。

圖2：顯示了未經堿液修飾的包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片SEM圖，從圖中標注處可以看出硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在40°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在1.9-2.3：1之間；倒四棱錐的底邊邊長在80nm-450nm左右；其高度在170nm-1050nm左右。

圖3：顯示了未經堿液修飾的包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片SEM圖，從圖中標注處可以看出硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在32°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在2.5-3.1：1之間；倒四棱錐的底邊邊長在80nm-500nm左右；其高度在220nm-1550nm左右。

圖4：顯示了未經堿液修飾的包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片SEM圖，從圖中標注處可以看出硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在28°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在3.2-3.7：1之間；倒四棱錐的底邊邊長在70nm-500nm左右；其高度在170nm-1800nm左右。

具體實施方式

還可進一步通過實施例來理解本發(fā)明，其中所述實施例說明了一些制備或使用方法。然而，要理解的是，這些實施例不限制本發(fā)明?，F(xiàn)在已知的或進一步開發(fā)的本發(fā)明的變化被認為落入本文中描述的和以下要求保護的本發(fā)明范圍之內。

在目前現(xiàn)有技術中，對于典型的倒金字塔結構來說，其棱邊邊長與底邊邊長相等的倒正四棱錐，即其高與底邊邊長的比為在實際獲得的具有倒金字塔絨面結構的硅片來說，倒四棱錐的高與底邊邊長的比一般在0.7-0.9：1之間。

雖然在現(xiàn)有技術中倒金字塔絨面結構有效降低了多晶硅片的反射率并且通過該類型硅片制備的太陽能電池效率也較正金字塔結構多晶硅片電池有所提高，但是其制備的太陽能電池的電池效率也僅在17.0-18.5％之間。

而本發(fā)明所得到的倒四棱錐結構，不僅具有較低的反射率，更為重要的是結構為亞微米級，由于倒四棱錐獨特的結構特性，使在絲網印刷時漿料可以更好地填充于該結構中，獲得更優(yōu)異的電極接觸，有效降低了電池的串聯(lián)電阻、提高了填充因子。總之，倒四棱錐結構低反射、低復合、易填充的特性，使得電池效率有了明顯提高。

在本發(fā)明中，所述倒四棱錐的頂部是指倒四棱錐深處的細小部分，頂部以上的部分為倒四棱錐的錐體部分，而倒四棱錐的方形面開口部分為倒四棱錐的底部。

從本發(fā)明的附圖1-4可以看出，多晶硅片的絨面結構呈現(xiàn)出典型倒四棱錐結構，其底部以下為錐形，隨著蝕刻條件的不同，倒四棱錐尺寸規(guī)格也發(fā)生了改變，例如，高度變深，底邊邊長尺寸擴大。

出人意料地發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的多晶硅片絨面結構，可以不經任何修飾即可直接進行制備太陽能電池，由其制備的太陽能電池效率較現(xiàn)有技術大幅提高，具體可達18.9％以上。與現(xiàn)有技術典型地具有倒金字塔結構的多晶硅片(例如，專利CN201610898676公開的具有倒金字塔絨面結構的多晶硅片)相比，電池效率可以提高0.5％以上。

本發(fā)明的包含倒四棱錐絨面結構的多晶硅片可以通過本領域已知的多種方法進行制備。本領域技術人員能夠選用現(xiàn)有的制絨方法，依照上述結構的設定進行制備，已知的方法包括但不限于化學刻蝕、機械刻槽、光刻、反應離子刻蝕、電子束刻蝕等等。

在一個優(yōu)選地實施方案中，本發(fā)明的倒四棱錐絨面結構通過化學蝕刻方法獲得；將多晶硅片置于酸性制絨液中蝕刻后即可獲得所述的倒四棱錐絨面結構，具體包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在室溫下進行蝕刻，清洗去除金屬離子即得。

具體地講，所述酸性制絨液中包含0.5-10mmol/L的銀離子、10-200mmol/L的銅離子、1-8mol/L的HF和0.1-8mol/L的H₂O₂；進一步地，所述酸性制絨液中包含1-10mmol/L的銀離子、20-180mmol/L的銅離子、2-6mol/L的HF和0.3-5mol/L的H₂O₂。

在所述酸性制絨液中銀離子的濃度可以是0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9或10mmol/L；銅離子的濃度可以是10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190或200mmol/L；HF的濃度可以是1、1.5、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、5.5、6、6.5、7、7.5或8mol/L；H₂O₂的濃度可以是0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.8、1、1.25、1.5、1.75、2、2.25、2.5、2.75、3、3.25、3.5、3.75、4、4.25、4.5、4.75、5、5.5、6、6.5、7、7.5或8mol/L。

本發(fā)明的酸性制絨液采用銅銀共催的方法，其結合銀催化和銅催化各自的特點，使得刻蝕得到的結構既有大的高寬比，又有相對開闊的開口，比如倒四棱錐結構。Ag顆粒主要負責向下刻蝕(挖孔)，銅顆粒輔助橫向刻蝕(擴孔)，因此可以得到倒四棱錐的結構，例如如圖1-4所示出的硅片絨面結構，并且該結構為亞微米結構。

本發(fā)明發(fā)現(xiàn)在所述酸性制絨液中，銀離子和銅離子的最佳摩爾比為1：5-100，進一步地優(yōu)選為10-60。具體地說，銀離子和銅離子的摩爾比可以為1：5、1：10、1：15、1：20、1：25、1：30、1：35、1：40、1：45、1：50、1：55、1：60、1：65、1：70、1：75、1：80、1：85、1：90、1：95或1：100。

在一個具體地實施方案中，所述制備方法包括：將多晶硅片放置于酸性制絨液中，在20℃～35℃下進行蝕刻1～10分鐘，清洗去除硅片表面的金屬離子即得。

具體地說，蝕刻溫度可以為20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34或35℃；蝕刻時間可以為1、2、3、4、5、6、7、8、9或10分鐘。

為了獲得最佳的技術效果，在本發(fā)明的制備方法中，將多晶硅片置入酸性制絨液之前，可以對其進行一定地前處理，例如，將多晶硅片置于HF和HNO₃組成的溶液中反應1-10min；然后用去離子水清洗以去除反應溶劑。上述方法是現(xiàn)有技術已知的，本領域技術人員可以根據(jù)不同情況進行自由選擇。

同樣地，在蝕刻步驟后采用清洗液以去除金屬離子也是現(xiàn)有技術已知的，例如采用HNO₃、HCl或HF中一種或多種試劑制備成一定濃度的水溶液作為清洗液來清洗硅片以去除硅片上的金屬顆?；蚪饘匐x子。

實施例1

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為1mmol/L的AgNO₃+100mmol/L的Cu(NO₃)₂+2.0mol/L的HF+0.4mol/L的H₂O₂，反應溫度為30℃，反應時間在400s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；

將獲得多晶硅片進行電鏡掃描，結果如圖1所示。

所述硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，底部以下為錐形，兩個側面夾角在48°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在1.2-1.5：1之間，倒四棱錐的底邊邊長在100nm-600nm左右；其高度在140nm-840nm左右，所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形。

實施例2

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為1mmol/L的AgNO₃+50mmol/L的Cu(NO₃)₂+2.5mol/L的HF+0.6mol/L的H₂O₂，反應溫度為25℃，反應時間在490s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例1結構類似。

實施例3

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為2mmol/L的AgNO₃+50mmol/L的Cu(NO₃)₂+2.5mol/L的HF+0.6mol/L的H₂O₂，反應溫度為20℃，反應時間在210s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例1結構類似。

實施例4

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為3.5mmol/L的AgNO₃+60mmol/L的Cu(NO₃)₂+3.5mol/L的HF+1.5mol/L的H₂O₂，反應溫度為23℃，反應時間在70s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例1結構類似。

實施例5

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為4mmol/L的AgNO₃+80mmol/L的Cu(NO₃)₂+3mol/L的HF+1.5mol/L的H₂O₂，反應溫度為25℃，反應時間在200s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，結果如圖2所示。

所獲得的多晶硅片上絨面結構呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在40°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在1.9-2.3：1之間，倒四棱錐的底邊邊長在80nm-450nm左右；其高度在170nm-1050nm左右，所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形。

實施例6

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為5mmol/L的AgNO₃+80mmol/L的Cu(NO₃)₂+3.5mol/L的HF+2mol/L的H₂O₂，反應溫度為26℃，反應時間在240s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例5結構類似。

實施例7

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為5.5mmol/L的AgNO₃+110mmol/L的Cu(NO₃)₂+4mol/L的HF+2.5mol/L的H₂O₂，反應溫度為27℃，反應時間在190s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例5結構類似。

實施例8

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為6mmol/L的AgNO₃+150mmol/L的Cu(NO₃)₂+3.8mol/L的HF+3mol/L的H₂O₂，反應溫度為22℃，反應時間在290s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，結果如圖3所示。

所獲得的多晶硅片上絨面結構仍然呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，兩個側面夾角在32°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在2.5-3.1：1之間，倒四棱錐的底邊邊長在80nm-500nm左右；其高度在220nm-1550nm左右；所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形。

實施例9

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為7.5mmol/L的AgNO₃+100mmol/L的Cu(NO₃)₂+4mol/L的HF+3.5mol/L的H₂O₂，反應溫度為23℃，反應時間在220s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例8結構類似。

實施例10

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為8mmol/L的AgNO₃+150mmol/L的Cu(NO₃)₂+5mol/L的HF+3.75mol/L的H₂O₂，反應溫度為24℃，反應時間在210s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例8結構類似。

實施例11

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為8.5mmol/L的AgNO₃+160mmol/L的Cu(NO₃)₂+5mol/L的HF+4.5mol/L的H₂O₂，反應溫度為21℃，反應時間在320s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，結果如圖4所示。

所獲得多晶硅片上絨面結構仍然呈現(xiàn)出典型的倒四棱錐結構，但尺寸有所變小，兩個側面夾角在28°左右，倒四棱錐的高與底邊邊長的比在3.2-3.7：1之間，倒四棱錐的底邊邊長在70nm-500nm左右；其高度在170nm-1800nm左右，所述倒四棱錐結構的開口方向與其對應的晶粒的取向一致，所述倒四棱錐的底部以下為錐形。

實施例12

1)將硅片置于HF+HNO₃溶液中進行化學腐蝕以去除多晶硅表面損傷層溶液溫度為8℃左右，反應時間為3min；將硅片置于去離子水中進行清洗；

2)將清洗后的硅片浸入制絨液中進行刻蝕以在多晶硅表面形成亞微米倒四棱錐絨面結構，制絨液組成為10mmol/L的AgNO₃+200mmol/L的Cu(NO₃)₂+7.5mol/L的HF+5mol/L的H₂O₂，反應溫度為25℃，反應時間在330s；

3)將硅片置于去離子水中進行清洗；將制絨后的硅片浸入HNO₃溶液中進行清洗，去除表面金屬納米顆粒；去離子水清洗；即得。

將獲得的多晶硅片進行電鏡掃描，所獲得的絨面結構與實施例11結構類似。

效果例1

將實施例1-14制備的多晶硅片測定反射率，具體結果如下：

效果例2

將實施例1-12制備的多晶硅片、CN201610898679公開的具有倒金字塔絨面結構的多晶硅片(對比例1)和CN201510398065公開的具有倒金字塔絨面結構的多晶硅片(對比例2)，按照常規(guī)工藝制備成太陽能電池，測定太陽能電池性能，具體結果如下：

需要指出的是，上述實施例1-12制備的多晶硅片，僅需經1-5重量％堿液修飾5-90s；修飾后硅片的電池效率較未經堿液修飾的硅片提高0.4％左右。

本發(fā)明內容僅僅舉例說明了要求保護的一些具體實施方案，其中一個或更多個技術方案中所記載的技術特征可以與任意的一個或多個技術方案相組合，這些經組合而得到的技術方案也在本申請保護范圍內，就像這些經組合而得到的技術方案已經在本發(fā)明公開內容中具體記載一樣。