本發(fā)明屬于光伏生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備以及清洗方法。

背景技術(shù)：

太陽能光伏發(fā)電是新能源和可再生能源的重要組成部分，被認為是當前世界上最有發(fā)展前景的新能源技術(shù)。太陽能電池的制備過程一般為：前道化學預處理、擴散制備PN結(jié)、去邊結(jié)處理、去磷硅玻璃、鍍氮化硅薄膜、絲網(wǎng)印刷與燒結(jié)處理，其中前道化學預處理工藝包括硅片清洗工藝和制絨工藝。硅片清洗的好壞對后期制絨影響極大。好的絨面能提高太陽能電池對入射光的吸收效率，提高太陽能電池的發(fā)電效率，反之亦然。因此，硅片清洗的好壞對太陽能電池性能有著極大的影響。

由于硅片在切割的過程中，硅片表面會帶入油污、手指印、粉塵等異物，這些異物在硅片制絨時，比較難去除的。這些異物一方面會造成電池表面有痕跡，另外一方面會對電池片效率造成影響。在硅片清洗時，需要在清洗液中添加添加劑，以增強清洗效果。此外，還需要對清洗液進行加熱。

傳統(tǒng)工藝需要消耗大量的水源，并且鹽酸和氫氟酸對操作者帶來傷害和對周邊環(huán)境會帶來污染，也使硅片無法在凈化室內(nèi)進行清洗，很難提高硅片的清潔度。更重要的是如果未對硅片上的鹽酸、氫氟酸徹底洗凈，日久之后會對硅電池產(chǎn)生延遲性腐蝕，影響太陽能電池的使用壽命。傳統(tǒng)的制作工藝能耗高、污染嚴重、污水處理及空氣凈化復雜，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的一個問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問題，提出了一種用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備以及清洗方法，該清洗設(shè)備結(jié)合清洗與干燥兩種功能，清洗液的洗凈程度高，利于提高光伏組件的使用壽命。

本發(fā)明的目的可通過下列技術(shù)方案來實現(xiàn)：

用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備，包括縱橫排列的第一清洗室、第二清洗室、第三清洗室、第四清洗室、第五清洗室、第六清洗室、第七清洗室、第八清洗室、第九清洗室、第一干燥室、第二干燥室、第三干燥室和第四干燥室；每個清洗室都包括上室體和下室體，其中上室體具有一組隔板一、一組隔板二和一組隔板三，隔板一包圍出清洗槽，隔板二包圍在隔板一的外側(cè)，隔板二與隔板一之間形成進液腔，隔板三包圍在隔板二的外側(cè)，隔板三構(gòu)成上室體的外壁，隔板三與隔板二之間形成加熱腔，加熱腔內(nèi)設(shè)有電加熱器；隔板一具有至少兩個帶開關(guān)閥的入液口，清洗槽內(nèi)還設(shè)有至少兩組噴淋管，每組噴淋管兩兩相對地固定在隔板一的內(nèi)壁上，每個噴淋管上開設(shè)有若干個噴淋孔，且噴淋孔呈間隔地上下分布；每組噴淋管依次首尾相連，每組噴淋管的第一個噴淋管的進口固接入液管，入液管與隔板一的一個入液口連接，入液管和入液口之間還設(shè)有密封塞；進液腔的底部具有帶開關(guān)閥的進液口，進液管穿設(shè)下室體并與進液口相連，進液管和進液口之間設(shè)有密封塞；清洗槽的底部具有帶開關(guān)閥的出液口，排液管穿設(shè)下室體并與出液口相連，排液管和出液口之間設(shè)有密封塞；第二清洗室的進液口連接進液管二，進液管二與去離子水罐相連，第二清洗室的出液口連接排液管二，排液管二與廢液池相連，進液管二和排液管二上均設(shè)有液泵；第四清洗室的進液口連接進液管四，進液管四與酸性溶液儲液罐一相連，第四清洗室的出液口連接排液管四，排液管四與廢液池相連，進液管四和排液管四上均設(shè)有液泵；第五清洗室的進液口連接進液管五，進液管五與去離子水罐相連，第五清洗室的出液口連接排液管五，排液管五與廢液池相連，進液管五和排液管五上均設(shè)有液泵；第六清洗室的進液口連接進液管六，進液管六與堿性溶液儲液罐相連，第六清洗室的出液口連接排液管六，排液管六與廢液池相連，進液管六和排液管六上均設(shè)有液泵；第七清洗室的進液口連接進液管七，進液管七與去離子水罐相連，第七清洗室的出液口連接排液管七，排液管七依次穿設(shè)第三干燥室、第八清洗室和第四干燥室，并延伸至第一清洗室，排液管七與第一清洗室的進液口相連，進液管七和排液管七上均設(shè)有液泵；第一清洗室的出液口連接排液管一，排液管一依次穿設(shè)第一干燥室和第三清洗室，并與廢液池相連，排液管一上設(shè)有液泵；第八清洗室的進液口連接進液管八，進液管八與酸性溶液儲液罐二相連，第八清洗室的出液口連接排液管八，排液管八穿設(shè)第四干燥室并延伸至第三清洗室，排液管八與第三清洗室的進液口相連，進液管八和排液管八上均設(shè)有液泵；第三清洗室的出液口連接排液管三，排液管三與廢液池相連，排液管三上設(shè)有液泵；第九清洗室的進液口連接進液管九，進液管九與去離子水罐相連，第九清洗室的出液口連接排液管九，排液管九依次穿設(shè)第四干燥室、第一清洗室和第二干燥室并延伸至第五清洗室，排液管九與第五清洗室的進液口相連，進液管九和排液管九上均設(shè)有液泵。

第二清洗室通入去離子水清洗硅片，第四清洗室通入酸性溶液清洗硅片，第五清洗室通入去離子水清洗硅片，第六清洗室通入堿性溶液清洗硅片，第七清洗室通入去離子水清洗硅片，第八清洗室通入酸性溶液清洗硅片，第九清洗室通入去離子水清洗硅片，第二清洗室、第四清洗室、第五清洗室和第六清洗室清洗后所形成的廢液都排入廢液池，第七清洗室清洗后所形成的廢液排入第一清洗室供下一批硅片清洗之用，第八清洗室清洗后所形成的廢液排入第三清洗室供下一批硅片清洗之用，第九清洗室的廢液排入第五清洗室供下一批硅片清洗之用，清洗液得到循環(huán)利用，且在清洗液的循環(huán)過程中，由于穿設(shè)了干燥室和其它清洗室，能充分利用余溫，降低能耗。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，排液管三依次穿設(shè)第一干燥室和第四清洗室，并與廢液池相連；進液管四依次穿設(shè)第三清洗室和第一干燥室，并延伸至第四清洗室，排液管四依次穿設(shè)第二干燥室和第六清洗室，并與廢液池相連；進液管五依次穿設(shè)第四清洗室、第二干燥室，并延伸至第五清洗室，排液管五依次穿設(shè)第二干燥室、第六清洗室、第三干燥室和第七清洗室，并與廢液池相連；進液管六依次穿設(shè)第五清洗室和第二干燥室，并延伸至第六清洗室，排液管六依次穿設(shè)第三干燥室和第八清洗室，并與廢液池相連；進液管七依次穿設(shè)第六清洗室、第三干燥室，并延伸至第七清洗室；進液管八依次穿設(shè)第七清洗室和第三干燥室，并延伸至第八清洗室；進液管九依次穿設(shè)第八清洗室和第四干燥室，并延伸至第九清洗室。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，每個清洗室還包括一個低液位感應(yīng)器、一個高液位感應(yīng)器和一個溫度感應(yīng)器，低液位感應(yīng)器和高液位感應(yīng)器分別固設(shè)在隔板一內(nèi)壁的預設(shè)高度，溫度感應(yīng)器固設(shè)在低液位感應(yīng)器和高液位感應(yīng)器之間，隔板一的入液口高于高液位感應(yīng)器。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，隔板一還開設(shè)有溢流口，溢流口處于高液位感應(yīng)器和溫度感應(yīng)器之間，溢流口連接溢流管，溢流管和溢流口之間設(shè)有密封塞。溢流管穿設(shè)進液腔和下室體，并與廢液池相連。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，隔板三采用隔熱材料，隔板二采用導熱材料，隔板一采用保溫材料。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，隔板一的內(nèi)壁還水平凸設(shè)至少一對支撐架，硅片架放置在支撐架上，硅片架內(nèi)承載硅片，兩支撐架的間距小于硅片架的寬度，上室體還具有蓋板。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，每個清洗室還設(shè)有超聲波組件，超聲波組件包括超聲波發(fā)生器、超聲波振板以及超聲波反射板，超聲波發(fā)生器固設(shè)在下室體內(nèi)，超聲波振板與超聲波發(fā)生器電連接，超聲波振板處于清洗槽內(nèi)，清洗槽的底部固設(shè)有向上凸起的支撐塊，超聲波振板放置在支撐塊上；超聲波反射板為上下開口結(jié)構(gòu)，且超聲波反射板的內(nèi)徑自下開口向上開口逐漸增大，超聲波振板容置于超聲波反射板內(nèi)，超聲波反射板和清洗槽之間設(shè)有彈簧，彈簧的一端固定在超聲波反射板的底部，彈簧的另一端固定在清洗槽的底部，支撐塊穿設(shè)彈簧以及超聲波反射板的下開口；超聲波反射板的內(nèi)壁呈不規(guī)則的波浪形。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，每個干燥室都具有上干燥室和下加熱室，其中上干燥室具有隔板蓋板、一組圍板一和一組圍板二，圍板一包圍出容置硅片的干燥腔；圍板二包圍在圍板一的外側(cè)，圍板二與圍板一之間形成氣流腔，圍板二構(gòu)成上干燥室的外壁，隔板蓋板蓋設(shè)在圍板一和圍板二的上端部；圍板一間隔地開設(shè)有若干個通氣孔，通氣孔連通氣流腔和干燥腔；下加熱室容置加熱液體，并插入有電加熱棒，下加熱室內(nèi)還設(shè)有高液位傳感器和低液位傳感器，高液位傳感器和低液位傳感器固設(shè)在下加熱室內(nèi)壁的預設(shè)高度；上干燥室還設(shè)有多組噴氣管，噴氣管連接氮氣罐，硅片干燥時，通過噴氣管向硅片噴吹氮氣；進液管或者排液管從下加熱室的一側(cè)穿入，并從下加熱室的另一側(cè)穿出。

在上述的用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備中，第二清洗室處于第一橫列；第四清洗室、第一干燥室和第三清洗室處于第二橫列，且第一干燥室處于第四清洗室和第三清洗室之間；第五清洗室、第二干燥室、第一清洗室、第四干燥室和第九清洗室處于第三橫列，且第二干燥室處于第五清洗室和第一清洗室之間，第四干燥室處于第一清洗室和第九清洗室之間；第六清洗室、第三干燥室和第八清洗室處于第四橫列，且第三干燥室處于第六清洗室和第八清洗室之間；第七清洗室處于第五橫列；第五清洗室處于第一縱列；第四清洗室、第二干燥室和第六清洗室處于第二縱列，且第二干燥室處于第四清洗室和第六清洗室之間；第二清洗室、第一干燥室、第一清洗室、第三干燥室和第七清洗室處于第三縱列，且第一干燥室處于第二清洗室和第一清洗室之間，第三干燥室處于第一清洗室和第七清洗室之間；第三清洗室、第四干燥室和第八清洗室處于第四縱列，且第四干燥室處于第三清洗室和第八清洗室之間；第九清洗室處于第五縱列。

一種光伏硅片清洗方法，采用上述清洗設(shè)備，包括以下步驟：

1)將承載有硅片的硅片架傳送至第二清洗室內(nèi)，開啟第二清洗室的進液口和入液口，進液管二向進液腔輸入去離子水，噴淋管將去離子水噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第二清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管二排入廢液池，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

2)將承載有硅片的硅片架從第二清洗室提出，并將其傳送至第一干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第一干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的去離子水；

3)將承載有硅片的硅片架從第一干燥室提出，并將其傳送至第四清洗室內(nèi)，開啟第四清洗室的進液口和入液口，進液管二向進液腔輸入酸性溶液，同時將加熱腔內(nèi)的電加熱器通電，進液腔內(nèi)酸性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將酸性溶液噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于酸性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第四清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管四排入廢液池，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴酸性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

4)將承載有硅片的硅片架從第四清洗室提出，并將其傳送至第二干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第二干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的酸性溶液；

5)將承載有硅片的硅片架從第二干燥室提出，并將其傳送至第五清洗室內(nèi)，開啟第五清洗室的進液口和入液口，進液管五向進液腔輸入去離子水，進液腔內(nèi)去離子水高度到達入液口處時，噴淋管將去離子水噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第二清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管五排入廢液池，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

6)將承載有硅片的硅片架從第五清洗室提出，并將其傳送至第二干燥室內(nèi)，以去除硅片和硅片架附著的去離子水；

7)將承載有硅片的硅片架從第二干燥室提出，并將其傳送至第六清洗室內(nèi)，開啟第六清洗室的進液口和入液口，進液管六向進液腔輸入堿性溶液，同時將加熱腔內(nèi)的電加熱器通電，進液腔內(nèi)堿性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將堿性溶液噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于堿性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第六清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管六排入廢液池，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴堿性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

8)將承載有硅片的硅片架從第六清洗室提出，并將其傳送至第三干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第三干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的堿性溶液；

9)將承載有硅片的硅片架從第三干燥室提出，并將其傳送至第七清洗室內(nèi)，開啟第七清洗室的進液口和入液口，進液管七向進液腔輸入去離子水，進液腔內(nèi)去離子水高度到達入液口處時，噴淋管將去離子水噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第七清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管七排入第一清洗室，用于下一批硅片清洗，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

10)將承載有硅片的硅片架從第七清洗室提出，并將其傳送至第三干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第三干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的去離子水；

11)將承載有硅片的硅片架從第三干燥室提出，并將其傳送至第八清洗室內(nèi)，開啟第八清洗室的進液口和入液口，進液管八向進液腔輸入酸性溶液，同時將加熱腔內(nèi)的電加熱器通電，進液腔內(nèi)酸性溶液高度到達入液口處時，噴淋管將酸性溶液噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于酸性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第八清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管八排入第三清洗室，用于下一批硅片清洗，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴酸性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

12)將承載有硅片的硅片架從第八清洗室提出，并將其傳送至第四干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第四干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的酸性溶液；

13)將承載有硅片的硅片架從第四干燥室提出，并將其傳送至第九清洗室內(nèi)，開啟第九清洗室的進液口和入液口，進液管九向進液腔輸入去離子水，進液腔內(nèi)去離子水高度到達入液口處時，噴淋管將去離子水噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽內(nèi)的液體浸沒硅片時，關(guān)閉進液口和入液口，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第九清洗室的清洗槽內(nèi)的廢液通過排液管九排入第五清洗室，用于下一批硅片清洗，清洗槽內(nèi)液面下降時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口，再次通過噴淋管向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口；

14)將承載有硅片的硅片架從第九清洗室提出，并將其傳送至第四干燥室內(nèi)，硅片和硅片架在第四干燥室內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架附著的去離子水，硅片完成清洗。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有的優(yōu)勢是：

1、每一次清洗完成之后都將硅片放入干燥室內(nèi)進行干燥，通過干燥的方式去除硅片表面殘留的清洗液，使上一步清洗殘留下來的清洗液能夠徹底去除，避免了清洗液混入下一步清洗的清洗液中，能夠保證清洗液的清洗效果，同時清洗后清洗液的殘留低，制成而成的光伏組件的使用壽命高；

2、第七清洗室清洗后所形成的廢液排入第一清洗室供下一批硅片清洗之用，第八清洗室清洗后所形成的廢液排入第三清洗室供下一批硅片清洗之用，第九清洗室的廢液排入第五清洗室供下一批硅片清洗之用，清洗液得到循環(huán)利用，且在清洗液的進出循環(huán)過程中，由于穿設(shè)了干燥室和其它清洗室，能充分利用余溫，降低能耗，減少污染。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的清洗設(shè)備的管路俯視圖。

圖2是本發(fā)明的清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明的清洗設(shè)備的干燥室的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1、第一清洗室；2、第二清洗室；3、第三清洗室；4、第四清洗室；5、第五清洗室；6、第六清洗室；7、第七清洗室；8、第八清洗室；9、第九清洗室；10、第一干燥室；11、第二干燥室；12、第三干燥室；13、第四干燥室；14、隔板一；15、隔板二；16、隔板三；17、清洗槽；18、進液腔；19、加熱腔；20、電加熱器；21、入液口；22、噴淋管；23、進液管；24、排液管；25、進液管二；26、排液管二；27、進液管四；28、排液管四；29、進液管五；30、排液管五；31、進液管六；32、排液管六；33、進液管七；34、排液管七；35、排液管一；36、進液管八；37、排液管八；38、排液管三；39、進液管九；40、排液管九；41、去離子水罐；42、酸性溶液儲液罐一；43、堿性溶液儲液罐；44、酸性溶液儲液罐二；45、低液位感應(yīng)器；46、高液位感應(yīng)器；47、溫度感應(yīng)器；48、溢流口；49、溢流管；50、支撐架；51、硅片架；52、蓋板；53、超聲波發(fā)生器；54、超聲波振板；55、超聲波反射板；56、支撐塊；57、彈簧；58、下加熱室；59、隔板蓋板；60、圍板一；61、圍板二；62、干燥腔；63、氣流腔；64、通氣孔；65、噴氣管。

具體實施方式

以下是本發(fā)明的具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明的技術(shù)方案作進一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實施例。

如圖1至圖3所示，本發(fā)明提供了一種用于光伏組件生產(chǎn)線的清洗設(shè)備，包括縱橫排列的第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8、第九清洗室9、第一干燥室10、第二干燥室11、第三干燥室12和第四干燥室13。

第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8和第九清洗室9用于不同的清洗步驟，第一干燥室10、第二干燥室11、第三干燥室12和第四干燥室13用于硅片的及時干燥，當硅片完成上一步驟的清洗后，需要進入下一步驟清洗前，需要先進行干燥，去除上一步驟殘留的清洗液，避免上一步驟的清洗液攜帶進入下一步驟的清洗液中，避免兩種清洗液混合影響清洗效果。第一清洗室1、第二清洗室2、第三清洗室3、第四清洗室4、第五清洗室5、第六清洗室6、第七清洗室7、第八清洗室8和第九清洗室9的結(jié)構(gòu)一致，僅需根據(jù)清洗步驟的不同進行不同的操作即可。第一干燥室10、第二干燥室11、第三干燥室12和第四干燥室13的結(jié)構(gòu)也一致，僅需根據(jù)干燥步驟的不同進行不同的操作即可。

具體地，每個清洗室都包括上室體和下室體，其中上室體具有一組隔板一14、一組隔板二15和一組隔板三16，隔板三16采用隔熱材料，隔板二15采用導熱材料，隔板一14采用保溫材料。隔板一14包圍出清洗槽17，清洗槽17能夠容納承載硅片的硅片架51進入，硅片在清洗槽17內(nèi)進行清洗步驟。隔板二15包圍在隔板一14的外側(cè)，隔板二15與隔板一14之間形成進液腔18，清洗液先通入進液腔18，然后從進液腔18進入清洗槽17內(nèi)。隔板三16包圍在隔板二15的外側(cè)，隔板三16構(gòu)成上室體的外壁，隔板三16與隔板二15之間形成加熱腔19，加熱腔19內(nèi)設(shè)有電加熱器20；電加熱器20通電后，對加熱腔19內(nèi)的氣體或者液體進行加熱，從而加熱進液腔18，進液腔18內(nèi)的清洗液被加熱升溫，清洗液在一定溫度下清洗硅片，提高了清洗效率，且當硅片浸沒在清洗槽17的清洗液中時，進液腔18仍充滿有一定溫度的清洗液，對清洗槽17起到保溫效果，使清洗槽17內(nèi)溫度維持溫度。

隔板一14界定出截面為四方形的清洗槽17，清洗槽17具有四個內(nèi)壁，隔板一14具有兩個帶開關(guān)閥的入液口21，清洗槽17內(nèi)還設(shè)有兩組噴淋管22，一組噴淋管22對于一個入液口21，每組噴淋管22兩兩相對地固定在隔板一14的內(nèi)壁上，兩個噴淋管22為一組，兩個噴淋管22對稱設(shè)置，每個噴淋管22上開設(shè)有若干個噴淋孔，且噴淋孔呈間隔地上下分布，增大了噴淋范圍；每組噴淋管22依次首尾相連，每組噴淋管22的第一個噴淋管22的進口固接入液管，入液管和入液口21之間還設(shè)有密封塞，即第一組噴淋管22與隔板一14的第一個入液口21連接，第二組噴淋管22與隔板二15的第二個入液口21連接，兩組噴淋管22可受到不同的控制，可同時開啟，或者只開啟其中一組皆可。進液腔18內(nèi)的清洗液通過噴淋管22噴入清洗槽17內(nèi)，即對硅片先采用噴淋的方式進行清洗，當清洗槽17內(nèi)的清洗液液面上升至覆蓋硅片時，硅片浸沒在清洗液中進行清洗。

具體地，進液腔18的底部具有帶開關(guān)閥的進液口，進液管23穿設(shè)下室體并與進液口相連，進液管23和進液口之間設(shè)有密封塞；清洗槽17的底部具有帶開關(guān)閥的出液口，排液管24穿設(shè)下室體并與出液口相連，排液管24和出液口之間設(shè)有密封塞。

第二清洗室2用去離子水對硅片進行清洗第二清洗室2的進液口連接進液管二25，進液管二25與去離子水罐41相連，第二清洗室2的出液口連接排液管二26，排液管二26與廢液池相連，進液管二25和排液管二26上均設(shè)有液泵。

第四清洗室4用酸性溶液對硅片進行酸洗，酸性溶液可選擇HF溶液。第四清洗室4的進液口連接進液管四27，進液管四27與酸性溶液儲液罐一42相連，進液管四27依次穿設(shè)第三清洗室3和第一干燥室10，并延伸至第四清洗室4，第三清洗室3和第一干燥室10的余溫能用于加熱進液管四27內(nèi)的酸性溶液，第四清洗室4的出液口連接排液管四28，排液管四28依次穿設(shè)第二干燥室11和第六清洗室6，排液管四28與廢液池相連，進液管四27和排液管四28上均設(shè)有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用于第二干燥室11和第六清洗室6。

第五清洗室5用去離子水對硅片進行清洗，同時也能徹底去除第四清洗室4清洗后殘留的酸性溶液。第五清洗室5的進液口連接進液管五29，進液管五29與去離子水罐41相連，進液管五29依次穿設(shè)第四清洗室4、第二干燥室11，并延伸至第五清洗室5，第四清洗室4和第二干燥室11的余溫能用于加熱進液管五29內(nèi)的去離子水，第五清洗室5的出液口連接排液管五30，排液管五30依次穿設(shè)第二干燥室11、第六清洗室6、第三干燥室12和第七清洗室7，并與廢液池相連；進液管五29和排液管五30上均設(shè)有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用于第二干燥室11、第六清洗室6、第三干燥室12和第七清洗室7。

第六清洗室6用堿性溶液對硅片進行清洗，堿性溶液可選擇NaOH或者KOH溶液。第六清洗室6的進液口連接進液管六31，進液管六31與堿性溶液儲液罐43相連，進液管六31依次穿設(shè)第五清洗室5和第二干燥室11，并延伸至第六清洗室6，第五清洗室5和第二干燥室11的余溫能用于加熱進液管六31內(nèi)的堿性溶液，第六清洗室6的出液口連接排液管六32，排液管六32依次穿設(shè)第三干燥室12和第八清洗室8，并與廢液池相連；進液管六31和排液管六32上均設(shè)有液泵；排出的廢棄液所攜帶的熱量能利用于第三干燥室12和第八清洗室8。

第七清洗室7用去離子水對硅片進行清洗，同時也能徹底去除第六清洗室6清洗后殘留的堿性溶液。第七清洗室7的進液口連接進液管七33，進液管七33與去離子水罐41相連，進液管七33依次穿設(shè)第六清洗室6、第三干燥室12，并延伸至第七清洗室7；第六清洗室6、第三干燥室12的余溫能用于加熱進液管七33內(nèi)的去離子水，第七清洗室7的出液口連接排液管七34，排液管七34依次穿設(shè)第三干燥室12、第八清洗室8和第四干燥室13，并延伸至第一清洗室1，排液管七34與第一清洗室1的進液口相連，進液管七33和排液管七34上均設(shè)有液泵；當硅片進入第七清洗室7進行清洗時，硅片表面的雜質(zhì)大部分已經(jīng)被清除，因此第七清洗室7的清洗液內(nèi)所存在的雜質(zhì)較少，排入第一清洗室1后，可循環(huán)利用于下一批的硅片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用于第三干燥室12、第八清洗室8、第四干燥室13和第一清洗室1。

第一清洗室1的出液口連接排液管一35，排液管一35依次穿設(shè)第一干燥室10和第三清洗室3，并與廢液池相連，排液管一35上設(shè)有液泵。

第八清洗室8的進液口連接進液管八36，進液管八36與酸性溶液儲液罐二44相連，進液管八36依次穿設(shè)第七清洗室7和第三干燥室12，并延伸至第八清洗室8；第七清洗室7和第三干燥室12的余溫能用于加熱進液管八36內(nèi)的酸性溶液，第八清洗室8的出液口連接排液管八37，排液管八37穿設(shè)第四干燥室13并延伸至第三清洗室3，排液管八37與第三清洗室3的進液口相連，進液管八36和排液管八37上均設(shè)有液泵；第八清洗室8用酸性溶液對硅片進行清洗，主要用于去除硅片表面的氧化物，硅片表面的雜質(zhì)大部分已經(jīng)被清除，因此第八清洗室8的清洗液內(nèi)所存在的雜質(zhì)較少，排入第三清洗室3后，可循環(huán)利用于下一批的硅片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用于第四干燥室13和第三清洗室3。

第三清洗室3的出液口連接排液管三38，排液管三38依次穿設(shè)第一干燥室10和第四清洗室4，排液管三38與廢液池相連，排液管三38上設(shè)有液泵。第三清洗室3清洗硅片時對清洗液進行了加熱，因此清洗液排出時，攜帶有熱量，余溫可利用于第一干燥室10和第四清洗室4。

第九清洗室9的進液口連接進液管九39，進液管九39與去離子水罐41相連，進液管九39依次穿設(shè)第八清洗室8和第四干燥室13，并延伸至第九清洗室9。第八清洗室8和第四干燥室13的余溫能用于加熱進液管九39內(nèi)的去離子水。第九清洗室9的出液口連接排液管九40，排液管九40依次穿設(shè)第四干燥室13、第一清洗室1和第二干燥室11并延伸至第五清洗室5，排液管九40與第五清洗室5的進液口相連，進液管九39和排液管九40上均設(shè)有液泵。第九清洗室9用去離子水對硅片進行最后一步清洗，同時也能徹底去除第八清洗室8清洗后殘留的酸性溶液。第九清洗室9的清洗液潔凈度高，排入第五清洗室5后，可循環(huán)利用于下一批的硅片清洗中。排出的清洗液所攜帶的熱量能利用于第四干燥室13、第一清洗室1、第二干燥室11和第五清洗室5。

進一步地，每個清洗室還包括一個低液位感應(yīng)器45、一個高液位感應(yīng)器46和一個溫度感應(yīng)器47，分別用于檢測清洗槽17內(nèi)清洗液的液面高度以及清洗液溫度，低液位感應(yīng)器45和高液位感應(yīng)器46分別固設(shè)在隔板一14內(nèi)壁的預設(shè)高度，溫度感應(yīng)器47固設(shè)在低液位感應(yīng)器45和高液位感應(yīng)器46之間，隔板一14的入液口21高于高液位感應(yīng)器46。

另一個清洗室的進液管23或者排液管24需穿設(shè)該清洗室時，進液管23或者排液管24都是自該清洗室的下室體穿入到進液腔18內(nèi)，并環(huán)繞隔板一14若干圈后再穿出下室體，從而可以受到進液腔18內(nèi)的余溫加熱。

優(yōu)選地，隔板一14還開設(shè)有溢流口48，溢流口48處于高液位感應(yīng)器46和溫度感應(yīng)器47之間，溢流口48連接溢流管49，溢流管49和溢流口48之間設(shè)有密封塞。溢流管49穿設(shè)進液腔18和下室體，并與廢液池相連。漂浮在清洗液上層的雜質(zhì)物質(zhì)可隨著清洗液流入溢流口48從而向外排出，避免了附著在硅片表面造成再度污染。

隔板一14的內(nèi)壁還水平凸設(shè)至少一對支撐架50，硅片架51放置在支撐架50上，硅片架51內(nèi)承載硅片，兩支撐架50的間距小于硅片架51的寬度，上室體還具有蓋板52。在清洗時，為減少外界雜質(zhì)物，需將硅片架51完全地置于清洗槽17內(nèi)，并蓋上蓋板52。

每個清洗室還設(shè)有超聲波組件，超聲波組件包括超聲波發(fā)生器53、超聲波振板54以及超聲波反射板55，超聲波發(fā)生器53固設(shè)在下室體內(nèi)，超聲波振板54與超聲波發(fā)生器53電連接，超聲波振板54處于清洗槽17內(nèi)，清洗槽17的底部固設(shè)有向上凸起的支撐塊56，超聲波振板54放置在支撐塊56上；超聲波反射板55為上下開口結(jié)構(gòu)，且超聲波反射板55的內(nèi)徑自下開口向上開口逐漸增大，超聲波反射板55呈碗形超聲波振板54容置于超聲波反射板55內(nèi)，超聲波反射板55和清洗槽17之間設(shè)有彈簧57，彈簧57的一端固定在超聲波反射板55的底部，彈簧57的另一端固定在清洗槽17的底部，支撐塊56穿設(shè)彈簧57以及超聲波反射板55的下開口；超聲波反射板55的內(nèi)壁呈不規(guī)則的波浪形。超聲波反射板55用于增大對超聲波的反射，提高清洗效率。

每個干燥室都具有上干燥室和下加熱室58，其中上干燥室具有隔板蓋板59、一組圍板一60和一組圍板二61，圍板一60包圍出容置硅片的干燥腔62；圍板二61包圍在圍板一60的外側(cè)，圍板二61與圍板一60之間形成氣流腔63，圍板二61構(gòu)成上干燥室的外壁，隔板蓋板5952蓋設(shè)在圍板一60和圍板二61的上端部；圍板一60間隔地開設(shè)有若干個通氣孔64，通氣孔64連通氣流腔63和干燥腔62；下加熱室58容置加熱液體，并插入有電加熱棒，下加熱室58內(nèi)還設(shè)有高液位傳感器和低液位傳感器，高液位傳感器和低液位傳感器固設(shè)在下加熱室58內(nèi)壁的預設(shè)高度。下加熱室58的電加熱棒通電后液體加熱，下加熱室58采用兩種方式使干燥腔62內(nèi)的溫度上升，一是下加熱室58內(nèi)的液體被加熱時，直接作用于干燥腔62的底部進行加熱，二是液體加熱后所產(chǎn)生的蒸汽向上流入氣流腔63內(nèi)，并通過通氣孔64進入到干燥室。上干燥室還設(shè)有多組噴氣管65，噴氣管65連接氮氣罐，硅片干燥時，通過噴氣管65向硅片噴吹氮氣。進液管或者排液管從下加熱室58的一側(cè)穿入，并從下加熱室58的另一側(cè)穿出，從而能夠利用到干燥室的余溫。

可選擇地，清洗室的清洗槽的底部還設(shè)有噴氣管(圖中未示)，干燥室開設(shè)有排氣口，干燥室與清洗室之間通過排氣管連接，排氣管的一端連接干燥室的排氣口，排氣管的另一端連接清洗槽的噴氣管，干燥室排出的帶溫度的氮氣通過排氣管通入噴氣管中，由噴氣管噴至清洗槽的清洗液中，形成鼓泡效果，有利于提高清洗效率。

第二清洗室2處于第一橫列；第四清洗室4、第一干燥室10和第三清洗室3處于第二橫列，且第一干燥室10處于第四清洗室4和第三清洗室3之間；第五清洗室5、第二干燥室11、第一清洗室1、第四干燥室13和第九清洗室9處于第三橫列，且第二干燥室11處于第五清洗室5和第一清洗室1之間，第四干燥室13處于第一清洗室1和第九清洗室9之間；第六清洗室6、第三干燥室12和第八清洗室8處于第四橫列，且第三干燥室12處于第六清洗室6和第八清洗室8之間；第七清洗室7處于第五橫列；第五清洗室5處于第一縱列；第四清洗室4、第二干燥室11和第六清洗室6處于第二縱列，且第二干燥室11處于第四清洗室4和第六清洗室6之間；第二清洗室2、第一干燥室10、第一清洗室1、第三干燥室12和第七清洗室7處于第三縱列，且第一干燥室10處于第二清洗室2和第一清洗室1之間，第三干燥室12處于第一清洗室1和第七清洗室7之間；第三清洗室3、第四干燥室13和第八清洗室8處于第四縱列，且第四干燥室13處于第三清洗室3和第八清洗室8之間；第九清洗室9處于第五縱列。

本發(fā)明還提供一種光伏硅片清洗方法，采用上述清洗設(shè)備，包括以下步驟：

1)將承載有硅片的硅片架51傳送至第二清洗室2內(nèi)，開啟第二清洗室2的進液口和入液口21，進液管二25向進液腔18輸入去離子水，進液腔18內(nèi)去離子水高度到達入液口21處時，噴淋管22將去離子水噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第二清洗室2的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管二26排入廢液池，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

2)將承載有硅片的硅片架51從第二清洗室2提出，并將其傳送至第一干燥室10內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，硅片和硅片架51在第一干燥室10內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的去離子水；

3)將承載有硅片的硅片架51從第一干燥室10提出，并將其傳送至第四清洗室4內(nèi)，開啟第四清洗室4的進液口和入液口21，進液管二25向進液腔18輸入酸性溶液，同時將加熱腔19內(nèi)的電加熱器20通電，進液腔18內(nèi)酸性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將酸性溶液噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于酸性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第四清洗室4的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管四28排入廢液池，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴酸性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

4)將承載有硅片的硅片架51從第四清洗室4提出，并將其傳送至第二干燥室11內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，硅片和硅片架51在第二干燥室11內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的酸性溶液；

5)將承載有硅片的硅片架51從第二干燥室11提出，并將其傳送至第五清洗室5內(nèi)，開啟第五清洗室5的進液口和入液口21，進液管五29向進液腔18輸入去離子水，進液腔18內(nèi)去離子水高度到達入液口21處時，噴淋管22將去離子水噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第二清洗室2的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管五30排入廢液池，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

6)將承載有硅片的硅片架51從第五清洗室5提出，并將其傳送至第二干燥室11內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，硅片和硅片架51在第二干燥室11內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的去離子水；

7)將承載有硅片的硅片架51從第二干燥室11提出，并將其傳送至第六清洗室6內(nèi)，開啟第六清洗室6的進液口和入液口21，進液管六31向進液腔18輸入堿性溶液，同時將加熱腔19內(nèi)的電加熱器20通電，進液腔18內(nèi)堿性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將堿性溶液噴向硅片，同時關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于堿性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第六清洗室6的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管六32排入廢液池，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴堿性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

8)將承載有硅片的硅片架51從第六清洗室6提出，并將其傳送至第三干燥室12內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，硅片和硅片架51在第三干燥室12內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的堿性溶液；

9)將承載有硅片的硅片架51從第三干燥室12提出，并將其傳送至第七清洗室7內(nèi)，開啟第七清洗室7的進液口和入液口21，進液管七33向進液腔18輸入去離子水，進液腔18內(nèi)去離子水高度到達入液口21處時，噴淋管22將去離子水噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第七清洗室7的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管七34排入第一清洗室1，用于下一批硅片清洗，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

10)將承載有硅片的硅片架51從第七清洗室7提出，并將其傳送至第三干燥室12內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，硅片和硅片架51在第三干燥室12內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的去離子水；

11)將承載有硅片的硅片架51從第三干燥室12提出，并將其傳送至第八清洗室8內(nèi)，開啟第八清洗室8的進液口和入液口21，進液管八36向進液腔18輸入酸性溶液，同時將加熱腔19內(nèi)的電加熱器20通電，進液腔18內(nèi)酸性溶液高度到達入液口21處時，噴淋管22將酸性溶液噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于酸性溶液中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第八清洗室8的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管八37排入第三清洗室3，用于下一批硅片清洗，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴酸性溶液，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

12)將承載有硅片的硅片架51從第八清洗室8提出，并將其傳送至第四干燥室13內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，硅片和硅片架51在第四干燥室13內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的酸性溶液；

13)將承載有硅片的硅片架51從第四干燥室13提出，并將其傳送至第九清洗室9內(nèi)，開啟第九清洗室9的進液口和入液口21，進液管九39向進液腔18輸入去離子水，進液腔18內(nèi)去離子水高度到達入液口21處時，噴淋管22將去離子水噴向硅片，同時開啟出液口，噴淋3min后，關(guān)閉出液口，當清洗槽17內(nèi)的液體到達高液位感應(yīng)器46時，關(guān)閉進液口和入液口21，開啟超聲波發(fā)生器53，硅片浸沒于去離子水中進行清洗，清洗完成后，開啟出液口，將第九清洗室9的清洗槽17內(nèi)的廢液通過排液管九40排入第五清洗室5，用于下一批硅片清洗，清洗槽17內(nèi)液面下降到低液位感應(yīng)器45時，保持開啟出液口的同時，開啟進液口和入液口21，再次通過噴淋管22向硅片噴去離子水，去除硅片表面附著的雜質(zhì)，當廢液被全部排出時，關(guān)閉入液口21；

14)將承載有硅片的硅片架51從第九清洗室9提出，并將其傳送至第四干燥室13內(nèi)，開啟噴氣管65，向硅片噴吹氮氣，同時將其下加熱室58的電加熱棒接通電源，硅片和硅片架51在第四干燥室13內(nèi)被干燥，以去除硅片和硅片架51附著的去離子水，硅片完成清洗。

本文中所描述的具體實施例僅僅是對本發(fā)明精神作舉例說明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對所描述的具體實施例做各種各樣的修改或補充或采用類似的方式替代，但并不會偏離本發(fā)明的精神或者超越所附權(quán)利要求書所定義的范圍。

盡管本文較多地使用了第一清洗室1；第二清洗室2；第三清洗室3；第四清洗室4；第五清洗室5；第六清洗室6；第七清洗室7；第八清洗室8；第九清洗室9；第一干燥室10；第二干燥室11；第三干燥室12；第四干燥室13；隔板一14；隔板二15；隔板三16；清洗槽17；進液腔18；加熱腔19；電加熱器20；入液口21；噴淋管22；進液管23；排液管24；進液管二25；排液管二26；進液管四27；排液管四28；進液管五29；排液管五30；進液管六31；排液管六32；進液管七33；排液管七34；排液管一35；進液管八36；排液管八37；排液管三38；進液管九39；排液管九40；去離子水罐41；酸性溶液儲液罐一42；堿性溶液儲液罐43；酸性溶液儲液罐二44；低液位感應(yīng)器45；高液位感應(yīng)器46；溫度感應(yīng)器47；溢流口48；溢流管49；支撐架50；硅片架51；蓋板52；超聲波發(fā)生器53；超聲波振板54；超聲波反射板55；支撐塊56；彈簧57；下加熱室58；隔板蓋板59；圍板一60；圍板二61；干燥腔62；氣流腔63；通氣孔64；噴氣管65等術(shù)語，但并不排除使用其它術(shù)語的可能性。使用這些術(shù)語僅僅是為了更方便地描述和解釋本發(fā)明的本質(zhì)；把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發(fā)明精神相違背的。