本發(fā)明實(shí)施方式涉及手機(jī)天線技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置及方法。
背景技術(shù):
隨著手機(jī)的不斷發(fā)展,手機(jī)中的天線也由外置天線轉(zhuǎn)變?yōu)榱藘?nèi)置天線。內(nèi)置天線的性能相對較難調(diào)試,特別是帶有金屬邊框的手機(jī)。不過金屬邊框的質(zhì)感相比塑膠好,能贏得市場的青睞,目前的智能手機(jī)絕大部分為金屬邊框,這就給天線調(diào)試帶來了很大的不便。
目前現(xiàn)有的天線調(diào)試方案通常分為兩大部分,一種是通過調(diào)試天線自身的結(jié)構(gòu)形狀來達(dá)到較好的輻射,比如在fpc或lds上改變輻射體的形狀(如開槽,寄生等),或者利用金屬邊框作為天線的一部分。但是這種方法通常會改變輻射體的結(jié)構(gòu)形狀,對于工藝已經(jīng)成熟的天線而言,改變結(jié)構(gòu)形狀則意味著需要增加更多的生產(chǎn)成本。
另一種是通過拉寬頻天線匹配的方法進(jìn)行調(diào)試。該方法通??梢杂靡粋€雙l型匹配網(wǎng)絡(luò),這種匹配網(wǎng)絡(luò)可以在800mhz到2.7ghz的頻段中使用,基本可以實(shí)現(xiàn)天線的低回波損耗。這種網(wǎng)絡(luò)在天線調(diào)試中經(jīng)常用到,基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。圖1中每個l型電路中均可以包括串聯(lián)的電感和電容。然而該方法在調(diào)試天線時也會存在缺陷:有時候在低頻或者高頻部分回波損耗依然較大,從而導(dǎo)致天線調(diào)試失敗。
應(yīng)該注意,上面對技術(shù)背景的介紹只是為了方便對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的說明,并方便本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解而闡述的。不能僅僅因?yàn)檫@些方案在本發(fā)明的背景技術(shù)部分進(jìn)行了闡述而認(rèn)為上述技術(shù)方案為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
針對上述問題,本發(fā)明實(shí)施方式的目的在于提供一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置及方法,能夠在調(diào)試天線時減小低頻和高頻部分的回波損耗。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明實(shí)施方式提供一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置,所述裝置包括測試天線以及與所述測試天線相連的雙l型天線網(wǎng)絡(luò),其中,所述雙l型天線網(wǎng)絡(luò)中的第一級l型電路與所述測試天線相連,所述第一級l型電路中包括串聯(lián)的第一元件、第二元件及第三元件,其中,所述第一元件和所述第二元件的電抗相反。
進(jìn)一步地,所述雙l型天線網(wǎng)絡(luò)中的第二級l型電路包括串聯(lián)的第五元件和第四元件。
進(jìn)一步地,所述第五元件的一端連接于所述第二元件和所述第三元件之間,所述第五元件的另一端通過所述第四元件接地。
進(jìn)一步地,所述第三元件的一端與所述第二元件相連,所述第三元件的另一端接地。
進(jìn)一步地,所述第一元件為電感,所述第二元件為電容。
進(jìn)一步地,所述第一元件為電容,所述第二元件為電感。
進(jìn)一步地,所述第三元件為電容或電感,所述第四元件為電容或電感,所述第五元件為電容或電感。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請實(shí)施方式還提供一種減小手機(jī)天線回波損耗的方法,所述方法包括:將待測天線與第一元件相串聯(lián),使得高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照第一預(yù)設(shè)方向運(yùn)動時,產(chǎn)生長度不同的路徑,以縮小所述高頻信道點(diǎn)與所述低頻信道點(diǎn)之間的距離;通過繼續(xù)與第二元件相串聯(lián),使得高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照第二預(yù)設(shè)方向運(yùn)動時,再次產(chǎn)生長度不同的路徑,以再次縮小所述高頻信道點(diǎn)與所述低頻信道點(diǎn)之間的距離;其中,所述第一預(yù)設(shè)方向與所述第二預(yù)設(shè)方向相反。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述第一元件為電容時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照逆時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑小于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑;當(dāng)所述第二元件為電感時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照順時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑大于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑。
進(jìn)一步地,當(dāng)所述第一元件為電感時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照順時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑大于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑;當(dāng)所述第二元件為電容時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照逆時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑小于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑。
由上可見,本申請實(shí)施方式可以在l型電路中增加一個元件,增加的該元件與l型電路中原先的元件的電抗可以相反。這樣,假設(shè)原先的元件為電容,那么當(dāng)串聯(lián)電容時,高頻信道的容抗小于低頻信道的容抗,表現(xiàn)在史密斯圓圖上就是高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓逆時針走的路徑小于低頻信道點(diǎn)走的路徑,這樣能使高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)的距離縮短;當(dāng)繼續(xù)串聯(lián)電感時,由于高頻信道的感抗大于低頻信道的感抗,因此高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓順時針走的路徑大于低頻信道點(diǎn)所走的路徑,使得高頻信道點(diǎn)和低頻信道點(diǎn)的距離再次縮短。經(jīng)過上述兩次的串聯(lián),阻抗的位置點(diǎn)更加緊湊,從而使得在高頻和低頻部分的回波損耗都變小。同理,先串電感后串電容也是一樣的過程。因此,本申請實(shí)施方式提供的一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置及方法,能夠在調(diào)試天線時減小低頻和高頻部分的回波損耗。
附圖說明
為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖逐一簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中雙l型匹配網(wǎng)絡(luò)的電路示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施方式中減小手機(jī)天線回波損耗的裝置的電路示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施方式中減小手機(jī)天線回波損耗的方法流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明實(shí)施方式的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施方式中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施方式是本發(fā)明一部分實(shí)施方式,而不是全部的實(shí)施方式?;诒景l(fā)明中的實(shí)施方式,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施方式,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
請參閱圖2,本申請實(shí)施方式提供一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置,所述裝置可以包括測試天線1以及與所述測試天線1相連的雙l型天線網(wǎng)絡(luò)2。
在本實(shí)施方式中,所述雙l型天線網(wǎng)絡(luò)2中可以包括第一級l型電路和第二級l型電路。其中,第一級l型電路可以與所述測試天線1相連,所述第一級l型電路中可以包括串聯(lián)的第一元件21、第二元件22及第三元件23。第二級l型電路可以包括串聯(lián)的第五元件24和第四元件25。其中,所述第五元件24的一端連接于所述第二元件22和所述第三元件23之間,所述第五元件24的另一端通過所述第四元件25接地。
在本實(shí)施方式中,為了減小高頻和低頻部分的回波損耗,可以使得所述第一元件21和所述第二元件22的電抗相反。例如,所述第一元件21可以為電容,那么第二元件22便可以為電感。同樣地,所述第一元件21可以為電感,而第二元件22則可以為電容。
在本實(shí)施方式中,所述第三元件23的一端與所述第二元件22相連,所述第三元件23的另一端接地,這樣,第一元件21、第二元件22以及第三元件23便可以構(gòu)成第一級l型電路,第五元件24和第四元件25便可以構(gòu)成第二級l型電路。其中,第三元件23為電容或電感,第四元件25為電容或電感,第五元件24為電容或電感。
在本實(shí)施方式中,上述減小手機(jī)天線回波損耗的裝置工作過程如下:
由于各個電路元件是高頻串聯(lián),所以可以采用史密斯圓圖進(jìn)行分析。具體地,電感的感抗和電容的容抗分別為jwl和-j/wc,其中,w為頻率,l和c分別為電感值和電容值。
在本實(shí)施方式中,當(dāng)待測天線串聯(lián)電容時,高頻信道的容抗小于低頻信道的容抗,表現(xiàn)在史密斯圓圖上就是高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓逆時針走的路徑小于低頻信道點(diǎn)走的路徑,這樣能使高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)的距離縮短;當(dāng)繼續(xù)串聯(lián)電感時,由于高頻信道的感抗大于低頻信道的感抗,因此高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓順時針走的路徑大于低頻信道點(diǎn)所走的路徑,使得高頻信道點(diǎn)和低頻信道點(diǎn)的距離再次縮短。經(jīng)過上述兩次的串聯(lián),阻抗的位置點(diǎn)更加緊湊,從而使得在高頻和低頻部分的回波損耗都變小。同理,先串電感后串電容也是一樣的過程。
經(jīng)過實(shí)驗(yàn)測得,采用本申請的減小手機(jī)天線回波損耗的裝置,最終得到的高頻、中頻以及低頻的回波損耗都在值為1.4的等駐波比圓內(nèi);而采用現(xiàn)有技術(shù)中的雙l型匹配網(wǎng)絡(luò),最終得到的高頻、中頻以及低頻中,有些頻段的回波損耗會超出值為1.4的等駐波比圓。由此可見,本申請實(shí)施方式提供的一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置,能夠在調(diào)試天線時減小低頻和高頻部分的回波損耗。
請參閱圖3,本申請實(shí)施方式還提供一種減小手機(jī)天線回波損耗的方法,所述方法包括可以包括以下步驟。
s1:將待測天線與第一元件相串聯(lián),使得高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照第一預(yù)設(shè)方向運(yùn)動時,產(chǎn)生長度不同的路徑,以縮小所述高頻信道點(diǎn)與所述低頻信道點(diǎn)之間的距離;
s2:通過繼續(xù)與第二元件相串聯(lián),使得高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照第二預(yù)設(shè)方向運(yùn)動時,再次產(chǎn)生長度不同的路徑,以再次縮小所述高頻信道點(diǎn)與所述低頻信道點(diǎn)之間的距離;其中,所述第一預(yù)設(shè)方向與所述第二預(yù)設(shè)方向相反。
在本實(shí)施方式中,當(dāng)所述第一元件為電容時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照逆時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑小于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑;
當(dāng)所述第二元件為電感時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照順時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑大于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑。
在本實(shí)施方式中,當(dāng)所述第一元件為電感時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照順時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑大于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑;
當(dāng)所述第二元件為電容時,高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)在史密斯圓圖中的等電阻圓上按照逆時針方向運(yùn)動,并且高頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑小于低頻信道點(diǎn)運(yùn)動的路徑。
由上可見,本申請實(shí)施方式可以在l型電路中增加一個元件,增加的該元件與l型電路中原先的元件的電抗可以相反。這樣,假設(shè)原先的元件為電容,那么當(dāng)串聯(lián)電容時,高頻信道的容抗小于低頻信道的容抗,表現(xiàn)在史密斯圓圖上就是高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓逆時針走的路徑小于低頻信道點(diǎn)走的路徑,這樣能使高頻信道點(diǎn)與低頻信道點(diǎn)的距離縮短;當(dāng)繼續(xù)串聯(lián)電感時,由于高頻信道的感抗大于低頻信道的感抗,因此高頻信道點(diǎn)沿等電阻圓順時針走的路徑大于低頻信道點(diǎn)所走的路徑,使得高頻信道點(diǎn)和低頻信道點(diǎn)的距離再次縮短。經(jīng)過上述兩次的串聯(lián),阻抗的位置點(diǎn)更加緊湊,從而使得在高頻和低頻部分的回波損耗都變小。同理,先串電感后串電容也是一樣的過程。因此,本申請實(shí)施方式提供的一種減小手機(jī)天線回波損耗的裝置及方法,能夠在調(diào)試天線時減小低頻和高頻部分的回波損耗。
本說明書中的各個實(shí)施方式均采用遞進(jìn)的方式描述,各個實(shí)施方式之間相同相似的部分互相參見即可,每個實(shí)施方式重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施方式的不同之處。
最后應(yīng)說明的是:上面對本發(fā)明的各種實(shí)施方式的描述以描述的目的提供給本領(lǐng)域技術(shù)人員。其不旨在是窮舉的、或者不旨在將本發(fā)明限制于單個公開的實(shí)施方式。如上所述,本發(fā)明的各種替代和變化對于上述技術(shù)所屬領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的。因此,雖然已經(jīng)具體討論了一些另選的實(shí)施方式,但是其它實(shí)施方式將是顯而易見的,或者本領(lǐng)域技術(shù)人員相對容易得出。本發(fā)明旨在包括在此已經(jīng)討論過的本發(fā)明的所有替代、修改、和變化,以及落在上述申請的精神和范圍內(nèi)的其它實(shí)施方式。