本公開(kāi)的實(shí)施例涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板。

背景技術(shù)：

通常，薄膜晶體管被用作顯示面板的驅(qū)動(dòng)元件。薄膜晶體管中的有源層受到光照射后會(huì)產(chǎn)生光生載流子，導(dǎo)致薄膜晶體管的漏電流增加，從而影響顯示面板的顯示畫(huà)面的質(zhì)量，例如會(huì)產(chǎn)生串?dāng)_、殘像等現(xiàn)象。

公開(kāi)內(nèi)容

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，包括：襯底基板；以及設(shè)置于所述襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極，其中所述薄膜晶體管還包括設(shè)置在所述有源層周?chē)膿豕鈱印?/p>

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層與所述源漏電極層可以同層且同材料設(shè)置；或者所述擋光層與所述有源層可以同層且同材料設(shè)置。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)連接，且與所述源電極和所述漏電極中的一個(gè)間隔開(kāi)。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，在所述擋光層與所述有源層同層設(shè)置的情形下，所述擋光層與所述有源層間隔開(kāi)。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以包括絕緣材料。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離大于或等于所述有源層的遠(yuǎn)離所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離；和/或所述擋光層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離小于或等于所述有源層的靠近所述襯底基板的表面至所述襯底基板的距離。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，所述擋光層可以包括多個(gè)彼此分離的分部，該多個(gè)分部設(shè)置為在平行于所述襯底基板的方向上所述有源層被所述擋光層遮擋。

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板包括上述任一的薄膜晶體管。

例如，本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板，還可以包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，其中，所述多條柵線和所述多條數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)所述子像素區(qū)域包括所述薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的所述柵電極與對(duì)應(yīng)的所述柵線電連接，所述源電極與對(duì)應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線電連接，且所述漏電極與所述像素電極電連接；并且每個(gè)所述子像素區(qū)域包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，所述擋光層位于每個(gè)所述子像素區(qū)域的所述非顯示區(qū)域。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述擋光層的一端與所述數(shù)據(jù)線連接，另一端與所述漏電極間隔開(kāi)。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的陣列基板中，所述擋光層可以設(shè)置在所述薄膜晶體管周?chē)?/p>

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種顯示面板，包括上述任一的陣列基板和與所述陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)置基板。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的顯示面板中，所述對(duì)置基板和所述陣列基板之間可以設(shè)置有隔墊物，所述隔墊物與所述陣列基板上的薄膜晶體管在垂直于所述陣列基板的方向上相對(duì)設(shè)置，并且所述隔墊物可以包括遮光材料。

例如，在本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供的顯示面板中，所述遮光材料可以包括為炭黑和/或黑色樹(shù)脂。

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，包括：提供襯底基板；以及在所述襯底基板上形成柵電極、柵絕緣層、有源層和源漏電極層，所述源漏電極層包括源電極和漏電極；其中所述方法還包括在所述有源層周?chē)纬蓳豕鈱印?/p>

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而非對(duì)本發(fā)明的限制。

圖1a為一種陣列基板的子像素區(qū)域的俯視示意圖；

圖1b為圖1a所示子像素區(qū)域中的薄膜晶體管沿A-B方向的截面示意圖；

圖2a為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的俯視圖；

圖2b為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的截面示意圖；

圖2c為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的另一截面示意圖；

圖3(a)至圖3(c)為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的擋光層的示意圖；

圖4為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中的擋光層的另一示意圖；

圖5為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種陣列基板中的子像素區(qū)域的俯視圖；

圖6為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種顯示面板的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

1-柵線；2-數(shù)據(jù)線；100-襯底基板；110-柵電極；120-柵絕緣層；130-有源層；140-源漏電極層；141-源電極；142-漏電極；150擋光層；151-第一分部；152第二分部；153-第三分部；154-第四分部；155-第五分部；156-第六分部；160-鈍化層；170-間隙；200-像素電極；300-對(duì)置基板；400-隔墊物；500-液晶層。

具體實(shí)施方式

為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于所描述的本公開(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。

除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。

圖1a為一種陣列基板的子像素區(qū)域的俯視示意圖。如圖1a所示，柵線1和數(shù)據(jù)線2彼此交叉限定出子像素區(qū)域，子像素區(qū)域包括薄膜晶體管和像素電極200，薄膜晶體管與像素電極200連接。薄膜晶體管的有源層130受到光照后會(huì)產(chǎn)生大量的光生載流子，導(dǎo)致薄膜晶體管在關(guān)態(tài)下的漏電流增加，由此導(dǎo)致包括該陣列基板的顯示裝置產(chǎn)生殘像、串?dāng)_等不良。

圖1b為圖1a所示子像素區(qū)域中的薄膜晶體管沿A-B方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1b所示，設(shè)置在有源層130下方的柵極110可以阻擋從有源層130的下方入射到有源層130上的光。另外，可以在有源層130上方設(shè)置黑矩陣(未示出)以阻擋從有源層130的上方入射到有源層130上的光。然而，如圖1b所示，由于柵絕緣層120和鈍化層160通常為透明材料，有源層130側(cè)表面仍然會(huì)受到光(以圖1b中箭頭表示)的照射。因此，在圖1a和圖1b所示的薄膜晶體管中仍不能防止光對(duì)有源層側(cè)表面的照射，從而仍然會(huì)有大量的光生載流子產(chǎn)生。

本公開(kāi)至少一實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板以解決上述問(wèn)題。該薄膜晶體管包括襯底基板以及設(shè)置于該襯底基板上的柵電極、柵絕緣層、有源層、和源漏電極層，該源漏電極層包括源電極和漏電極，其中該薄膜晶體管還包括設(shè)置在有源層周?chē)膿豕鈱?。通過(guò)設(shè)置擋光層，可以阻擋照射到有源層的側(cè)表面上的光，從而可以有效地減小由光生載流子引起的漏電流。

需要說(shuō)明的是，在本公開(kāi)的所有實(shí)施例中，對(duì)各個(gè)方向的指定是以薄膜晶體管中的襯底基板為參考的。示例性的，以有源層為例，其“上表面”為遠(yuǎn)離襯底基板的表面，其“下表面”為靠近襯底基板的表面，其“側(cè)表面”為夾設(shè)在上表面和下表面之間的表面。另外，以有源層為例，其“側(cè)向”的方向?yàn)槠叫杏谝r底基板表面，其“上方”和“下方”的方向?yàn)榇怪庇谝r底基板的表面方向，且“上方”為有源層的遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè)方向，“下方”為有源層的靠近襯底基板的一側(cè)方向。

本公開(kāi)的一實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管，圖2a為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)俯視圖。例如，如圖2a所示，薄膜晶體管包括有源層130、源漏電極層140和擋光層150，源漏電極層140包括分別與有源層130電連接的源電極141和漏電極142，擋光層150設(shè)置于有源層130的周?chē)宰钃豕庹丈涞接性磳?30的側(cè)表面上。

需要說(shuō)明的是，在本公開(kāi)實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括襯底基板、柵電極、柵絕緣層等結(jié)構(gòu)；此外，上述實(shí)施例中的擋光層的設(shè)置可以適用于底柵型的薄膜晶體管也可以適用于頂柵型的薄膜晶體管，只要擋光層可以阻擋光線入射到薄膜晶體管的有源層的側(cè)表面上即可。為便于理解本公開(kāi)實(shí)施例中的技術(shù)方案，在本公開(kāi)的實(shí)施例中，以底柵型薄膜晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明。

需要說(shuō)明的是，設(shè)置擋光層150以阻擋光照射到有源層130的側(cè)表面上包括：擋光層150設(shè)置為使得有源層130的一部分側(cè)表面不被光照射；或者擋光層150設(shè)置為使得有源層130的全部側(cè)表面不被光照射。

需要說(shuō)明的是，擋光層150除了阻擋光照射到有源層130的側(cè)表面上也可以阻擋光照射到有源層130的上表面和/或下表面上。

擋光層150可以由任何具有擋光功能的材料形成。例如，擋光層150可以由具有擋光功能的絕緣材料形成，例如黑色樹(shù)脂。例如，擋光層可以由具有擋光功能的導(dǎo)電材料(例如，金屬)或半導(dǎo)體材料形成。

示例性的，擋光層150與有源層130由相同的材料形成且同層設(shè)置，或者擋光層150與源漏電極層140由相同的材料形成且同層設(shè)置。這樣一來(lái)，可以通過(guò)同一構(gòu)圖工藝同時(shí)形成有源層130和擋光層150或者通過(guò)同一構(gòu)圖工藝同時(shí)形成源漏電極層140和擋光層150，如此在薄膜晶體管中設(shè)置擋光層150并不會(huì)增加薄膜晶體管的制備工藝步驟，可以節(jié)省成本。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，擋光層150與有源層130為同層且同材料設(shè)置。在此情形下，與有源層130同材料制備的擋光層150在光的照射下會(huì)產(chǎn)生光生載流子，因此需要將擋光層150與有源層130間隔開(kāi)以避免擋光層150中產(chǎn)生的光生載流子運(yùn)動(dòng)到有源層130中。例如，擋光層150的厚度和有源層130的厚度是一樣的，由此可以容易地通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成擋光層150和有源層130。例如，擋光層150的厚度大于有源層130的厚度，如此不僅能阻擋平行于襯底基板的光照射到有源層130的側(cè)表面而且還可以阻擋相對(duì)于襯底基板以傾斜方向入射的光照射到有源層130的側(cè)表面上，以進(jìn)一步提高對(duì)有源層130的遮光效果。例如，可以采用雙色調(diào)掩模板(例如，半色調(diào)掩模板或者灰色調(diào)掩模板)對(duì)用于形成有源層130的半導(dǎo)薄膜進(jìn)行圖案化以同時(shí)形成擋光層150和有源層130且擋光層150的厚度大于有源層130的厚度。例如，形成半導(dǎo)體薄膜；在半導(dǎo)體薄膜上涂覆光刻膠，并采用雙色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影以得到光刻膠完全保留部分、光刻膠部分保留部分和光刻膠完全去除部分，光刻膠完全保留部分對(duì)應(yīng)于要形成擋光層150的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于要形成有源層130的區(qū)域，光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于其他區(qū)域；進(jìn)行第一次刻蝕，以去除光刻膠完全去除部分的半導(dǎo)體薄膜；進(jìn)行灰化工藝，以去除光刻膠部分保留部分的光刻膠并使光刻膠完全保留部分的光刻膠減??；進(jìn)行第二次刻蝕，以去除光刻膠部分保留部分的一部分半導(dǎo)體薄膜，得到有源層130；去除光刻膠完全保留部分的光刻膠以得到擋光層150。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，擋光層150與源漏電極層140為同層且同材料設(shè)置。例如，源漏電極層140和擋光層150由金屬形成。例如，擋光層150的厚度和有源層130的厚度是一樣的。例如，擋光層150的厚度大于有源層130的厚度，如此不僅能阻擋平行于襯底基板的光照射到有源層130的側(cè)表面而且還可以阻擋相對(duì)于襯底基板以傾斜方向入射的光照射到有源層130的側(cè)表面上，以進(jìn)一步提高對(duì)有源層130的遮光效果。在擋光層150與源漏電極層140為同層且同材料設(shè)置的情形下，由于擋光層150和有源層130分開(kāi)制備，因此采用單色調(diào)掩模板即可得到厚度大于有源層130的擋光層150而無(wú)需采用雙色調(diào)掩模板，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制作工藝。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，在擋光層150與源漏電極層140同層且同材料設(shè)置的情形下，擋光層150與源電極141和漏電極142二者間隔開(kāi)。例如，在擋光層150與源漏電極層140同層且同材料設(shè)置的情形下，擋光層150不能與源電極141和漏電極142二者均連接，以防止擋光層將源電極和漏電極連通。例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，擋光層150與源漏電極層140所包括的源電極141和漏電極142中的一個(gè)間隔開(kāi)而與另一個(gè)連接；在此情形下，由于擋光層150與源電極141和漏電極142中的一個(gè)連接，所以擋光層150可以與源電極141和漏電極142中的一個(gè)一體形成以進(jìn)一步簡(jiǎn)化制作工藝，并且擋光層150可以和與其連接的源電極141或漏電極142相配合以更好地阻擋光照射到有源層130上。例如如圖2a所示，擋光層150與源電極141連接或者一體形成，而與漏電極142斷開(kāi)；在此情形下，在擋光層150和源電極141之間沒(méi)有間隙，從而可以更好地阻擋光照射到有源層130的側(cè)表面上。如圖2a所示，擋光層150與漏電極142斷開(kāi)，使得擋光層150與漏電極142之間具有間隙170，光可能會(huì)通過(guò)該間隙170入射到有源層130上；因此需要將該間隙170的寬度制作得盡可能小，例如該間隙170的寬度為幾個(gè)微米。

圖2b為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的截面示意圖。如圖2b所示，薄膜晶體管可以包括襯底基板100以及依次設(shè)置在襯底基板100上的柵電極110、柵絕緣層120、有源層130、源漏電極層(圖中2b中未示出)、擋光層150和鈍化層160。

圖2c為圖2a所示薄膜晶體管沿C-D方向的另一截面示意圖。例如，在本公開(kāi)實(shí)施例中，如圖2b和圖2c所示，擋光層150的遠(yuǎn)離襯底基板100的表面至襯底基板100的距離大于或等于有源層130的遠(yuǎn)離襯底基板100的表面至襯底基板100的距離；和/或擋光層150的靠近襯底基板100的表面至襯底基板100的距離小于或等于有源層130的靠近襯底基板100的表面至襯底基板100的距離。如此一來(lái)，可以更有效地阻擋光照射到有源層130上。如圖2b所示，擋光層150設(shè)置為與柵極110重疊；如圖2c所示，擋光層150設(shè)置為不與柵極110重疊。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，擋光層150的圖案形狀可以有多種類型。示例性的，例如擋光層150的平行于襯底基板100的截面的形狀可以包括長(zhǎng)條形、L形和圓弧形等中的一種或者組合，只要其可以在不影響薄膜晶體管性能的情況下能夠?qū)τ性磳?30的側(cè)表面進(jìn)行遮光即可。

圖3(a)至圖3(c)為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管中擋光層的示意圖。例如，如圖3(a)至圖3(c)所示，擋光層150的截面形狀可以為長(zhǎng)條形、L形和圓弧形。需要說(shuō)明的是，擋光層150的截面形狀可以為上述多種圖案類型的組合，示例性的，以圖3(a)中的薄膜晶體管中的擋光層150為例，第一分部151為長(zhǎng)條形的同時(shí)，長(zhǎng)條形的第二分部152可以替換為L(zhǎng)形或圓弧形的第二分部152。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的薄膜晶體管中，擋光層150首尾連接形成封閉的圖案，例如“口”字形。例如，在本公開(kāi)的實(shí)施例中擋光層150包括彼此分離的多個(gè)分部，包含該多個(gè)分部的擋光層可以在平行于襯底基板的方向上對(duì)有源層進(jìn)行遮擋；例如，該多個(gè)分部可以設(shè)置為在平行于襯底基板的所有方向上有源層都可以被擋光層遮擋。例如，如圖3(a)所示，該多個(gè)分部在平行于襯底基板100的方向上不重疊。例如，該多個(gè)分部在平行于襯底基板100的方向上重疊設(shè)置，以在平行于襯底基板100的所有方向上有源層130均被擋光層150遮擋。圖4為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的擋光層的另一示意圖。示例性的，如圖4所示，擋光層150在有源層130的一側(cè)包括沿平行于襯底基板100的方向依次重疊設(shè)置的第一分部151和第二分部152，擋光層150在有源層130的另一側(cè)包括沿平行于襯底基板100的方向重疊設(shè)置的第三分部153和第四分部154，第一分部151、第二分部152、第三分部153和第四分部154相互配合以在平行于襯底基板100的所有方向上有源層130均被擋光層150遮擋，從而可以更加有效地防止光照射到有源層130上，尤其是更加有效地防止光照射到有源層130的側(cè)表面上。例如如圖4所示，擋光層150的第一分部151與源電極141連接并且與漏電極142斷開(kāi)，擋光層150的第二分部152與源電極141斷開(kāi)并且與漏電極142連接，第一分部151與第二分部152在平行于襯底基板100的方向上重疊設(shè)置；在此情況下，第一分部151可以遮擋第二分部151與源電極141之間的間隙，第二分部152可以遮擋第一分部151與漏電極142之間的間隙，如此擋光層150可以完全遮擋光對(duì)有源層130側(cè)表面的照射。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板可以包括上述任一實(shí)施例中的薄膜晶體管。

例如，本公開(kāi)實(shí)施例提供的陣列基板還可以包括多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，多條柵線和多條數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個(gè)子像素區(qū)域，每個(gè)子像素區(qū)域包括所述薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵電極與對(duì)應(yīng)的柵線電連接，源電極與對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電連接，且漏電極與像素電極電連接；并且每個(gè)子像素區(qū)域包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，擋光層位于每個(gè)子像素區(qū)域的非顯示區(qū)域。需要說(shuō)明的是，柵線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管可以均位于子像素區(qū)域的非顯示區(qū)域，而像素電極可以位于子像素區(qū)域的顯示區(qū)域。

為便于理解，在本實(shí)施例中，以一個(gè)子像素區(qū)域?yàn)槔龑?duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖5為本公開(kāi)實(shí)施例提供的一種陣列基板中的一個(gè)子像素區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，其為一個(gè)子像素區(qū)域的局部示意圖。例如如圖5所示，該陣列基板的子像素區(qū)域包括彼此交叉設(shè)置的柵線1和數(shù)據(jù)線2、像素電極200、薄膜晶體管(包括有源層130、源漏電極層140)和擋光層150，源漏電極層140包括源電極141和漏電極142，源電極141與數(shù)據(jù)線2電連接，薄膜晶體管的柵電極(圖5中未示出)與柵線1電連接，漏電極142與像素電極200電連接，薄膜晶體管作為開(kāi)關(guān)元件控制像素電極200的開(kāi)關(guān)。

例如，陣列基板的每個(gè)子像素區(qū)域包括顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域，像素電極200設(shè)置在顯示區(qū)域中，薄膜晶體管和擋光層150設(shè)置在非顯示區(qū)域中。

例如，與上述關(guān)于薄膜晶體管的實(shí)施例相同，擋光層150設(shè)置在有源層130的周?chē)?；在此情形下，擋光?50可以設(shè)置為在平行于襯底基板100的方向上僅遮擋有源層130的側(cè)表面而不遮擋源電極141、漏電極142和/或柵電極110的側(cè)表面，換言之，擋光層150可以設(shè)置為僅圍繞有源層130而不圍繞源電極141、漏電極142和/或柵電極110。例如，擋光層150設(shè)置在薄膜晶體管的周?chē)?；在此情形下，擋光?50可以設(shè)置為在平行于襯底基板100的方向上遮擋有源層130、源電極141、漏電極142以及柵電極110的側(cè)表面，換言之，擋光層150可以設(shè)置為圍繞源層130、源電極141、漏電極142以及柵電極110。例如如圖5所示，虛線區(qū)域T表示薄膜晶體管所在區(qū)域，擋光層150可以設(shè)置在區(qū)域T的周?chē)詫?duì)整個(gè)薄膜晶體管的側(cè)表面進(jìn)行遮光。例如如圖5所示的擋光層150的第五分部155和第六分部156位于薄膜晶體管的周?chē)?，以遮擋薄膜晶體管的側(cè)表面，從而也可以遮擋薄膜晶體管中的有源層的側(cè)表面以防止其受到光的照射。

設(shè)置于薄膜晶體管周?chē)膿豕鈱?50的圖案類型可以參考前述實(shí)施例(本公開(kāi)提供的關(guān)于薄膜晶體管的實(shí)施例)中的擋光層的圖案類型，在此不做贅述。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的陣列基板中，擋光層150的一端可以與數(shù)據(jù)線連接，另一端可以與漏電極間隔開(kāi)。示例性的，如圖5所示，以擋光層150的第五分部155為例進(jìn)行說(shuō)明；第五分部155的一端與數(shù)據(jù)線2相連，第五分部155的另一端與薄膜晶體管的漏電極142間隔開(kāi)，如此可以在提高擋光層150遮光效果(第五分部155的與數(shù)據(jù)線2連接的一端與數(shù)據(jù)線2之間無(wú)間隙)的同時(shí)避免將漏電極142與數(shù)據(jù)線2連通。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種顯示面板，該顯示面板包括上述任一實(shí)施例中提供的陣列基板，還可以包括與該陣列基板對(duì)盒設(shè)置的對(duì)置基板。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，該顯示面板可以為液晶顯示面板，例如該液晶顯示面板的陣列基板和對(duì)置基板彼此對(duì)置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對(duì)置基板例如可以為彩膜基板。陣列基板的像素電極與公共電極之間形成的電場(chǎng)對(duì)液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行圖像顯示。例如，公共電極可以設(shè)置在陣列基板或?qū)χ没迳稀?/p>

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，該顯示面板可以為有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示面板，其中，該顯示面板的子像素區(qū)域中可以形成有機(jī)發(fā)光材料，像素電極作為陽(yáng)極或陰極用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光材料發(fā)光以進(jìn)行圖像顯示。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，該顯示裝置可以為電子紙顯示面板，其中，在該顯示面板的陣列基板上可以形成有電子墨水層，像素電極用于施加驅(qū)動(dòng)電子墨水中的帶電微顆粒移動(dòng)以進(jìn)行圖像顯示的電壓。

在本公開(kāi)提供的實(shí)施例中，薄膜晶體管的有源層130的上方(遠(yuǎn)離襯底基板的一側(cè))仍有可能受到光照影響。例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的顯示面板中，對(duì)置基板和陣列基板之間可以設(shè)置有隔墊物，隔墊物與陣列基板上的薄膜晶體管在垂直于陣列基板的方向上相對(duì)設(shè)置，并且隔墊物可以包括遮光材料。例如隔墊物可以設(shè)置為覆蓋整個(gè)的薄膜晶體管所在區(qū)域，也可以設(shè)置為至少覆蓋薄膜晶體管中的有源層130，如此隔墊物可以遮擋從上方對(duì)薄膜晶體管的有源層130進(jìn)行照射的光。

圖6為本公開(kāi)一實(shí)施例提供的一種顯示面板的橫截面結(jié)構(gòu)示意圖，該顯示面板例如為液晶顯示面板。例如如圖6所示，對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和對(duì)置基板300之間設(shè)置有液晶層500以形成液晶盒，隔墊物400設(shè)置于陣列基板和對(duì)置基板300之間，隔墊物400與薄膜晶體管重疊設(shè)置并包括遮光材料，因此隔墊物400可以遮擋從薄膜晶體管的有源層130的上方對(duì)有源層130進(jìn)行照射的光。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例提供的顯示面板中，隔墊物所包括的遮光材料可以為炭黑和/或黑色樹(shù)脂等可以擋光的材料。

例如，在本公開(kāi)實(shí)施例中，如圖6所示，對(duì)置基板300上可以設(shè)置有公共電極，公共電極和像素電極200之間可以形成驅(qū)動(dòng)液晶層500旋轉(zhuǎn)的電場(chǎng)。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備方法，該方法包括：提供襯底基板；在襯底基板上形成柵電極、柵絕緣層、有源層和源漏電極層，該源漏電極層包括源電極和漏電極；在所述有源層周?chē)纬蓳豕鈱印?/p>

為便于理解本公開(kāi)實(shí)施例中的技術(shù)方案，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管的制備過(guò)程作為示例。例如，在本公開(kāi)實(shí)施例的一個(gè)示例中，制備薄膜晶體管的方法可以包括以下步驟。

S1：提供襯底基板，并在該襯底基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)對(duì)該柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵電極。

例如，該襯底基板可以為玻璃基板等。

例如，在本示例中，該柵電極的材料可以為銅基金屬，例如，銅(Cu)、銅鉬合金(Cu/Mo)、銅鈦合金(Cu/Ti)、銅鉬鈦合金(Cu/Mo/Ti)、銅鉬鎢合金(Cu/Mo/W)、銅鉬鈮合金(Cu/Mo/Nb)等；該柵電極的材料也可以為鉻基金屬，例如，鉻鉬合金(Cr/Mo)、鉻鈦合金(Cr/Ti)、鉻鉬鈦合金(Cr/Mo/Ti)等；該柵電極的材料還可以為鋁或鋁合金等。

在本公開(kāi)所有實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝?yán)缈梢詾楣饪虡?gòu)圖工藝，其例如可以包括：在需要被構(gòu)圖的結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層，使用掩膜板對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光的光刻膠層進(jìn)行顯影以得到光刻膠圖案，使用光刻膠圖案作為掩模對(duì)結(jié)構(gòu)層進(jìn)行蝕刻，然后可選地去除光刻膠圖案。

S2：在形成有柵電極的襯底基板上沉積柵絕緣層。

例如，在本示例中，柵絕緣層的材料可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)或其他適合的材料等。

S3：在柵絕緣層上沉積半導(dǎo)體薄膜并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成有源層。

例如，在本示例提供的制備方法中，擋光層可以與有源層同層且同材料形成。示例性的，例如，在襯底基板上沉積有源層薄膜后，對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以同時(shí)形成有源層和擋光層。例如，擋光層形成在有源層的周?chē)苑乐褂性磳拥膫?cè)表面受到光的照射。

例如，在本示例中，有源層的材料可以包括非晶硅、多晶硅、以及氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎵鋅(GZO)等金屬氧化物等。

S4：在形成有有源層的襯底基板上沉積源漏金屬層并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成源漏電極層，該源漏電極層可以包括源電極和漏電極。

例如，在本示例提供的制備方法中，擋光層可以與源漏電極層同層且同材料形成。示例性的，例如，在襯底基板上沉積源漏金屬層后對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖工藝以同時(shí)形成源漏電極層和擋光層。例如，擋光層形成在有源層的周?chē)苑乐褂性磳拥膫?cè)表面受到光的照射。

例如，在本示例中，源漏電極層可以包括金屬材料，可以形成單層或多層結(jié)構(gòu)，例如，形成為單層鋁結(jié)構(gòu)、單層鉬結(jié)構(gòu)、或者由兩層鉬夾設(shè)一層鋁的結(jié)構(gòu)。

需要說(shuō)明的是，在本示例中，擋光層的形成不限于上述示例中提供的制備方法，也可以單獨(dú)形成。例如，在有源層的周?chē)缤ㄟ^(guò)沉積薄膜和構(gòu)圖工藝單獨(dú)形成擋光層以防止有源層的側(cè)表面受到光的照射；形成的擋光層的圖案的類型可以參考前述實(shí)施例，在此不做贅述。

S5：在源漏電極層上形成鈍化層。

例如，在本示例中，鈍化層的材料可以為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)以及丙烯酸類樹(shù)脂等。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板、顯示面板，并且可以具有以下至少一項(xiàng)有益效果：

(1)擋光層可以防止有源層的側(cè)表面受到光的照射，從而降低或消除因光照射有源層產(chǎn)生的光生載流子所導(dǎo)致的顯示不良等問(wèn)題。

(2)隔墊物包括遮光材料并與薄膜晶體管重疊設(shè)置，從而可以從有源層的上方為有源層提供遮擋。

(3)擋光層可以在制備薄膜晶體管的有源層或源漏電極的過(guò)程中同步形成，不會(huì)增加制備工藝步驟。

對(duì)于本公開(kāi)，還有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：

(1)本公開(kāi)實(shí)施例附圖只涉及到與本公開(kāi)實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參考通常設(shè)計(jì)。

(2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本公開(kāi)的實(shí)施例的附圖中，層或區(qū)域的厚度被放大或縮小，即這些附圖并非按照實(shí)際的比例繪制。

(3)在不沖突的情況下，本公開(kāi)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合以得到新的實(shí)施例。

以上所述，僅為本公開(kāi)的具體實(shí)施方式，但本公開(kāi)的保護(hù)范圍并不局限于此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。