本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有技術(shù)中的包括公共電極的陣列基板，為了減小透明公共電極的電阻以及為公共電極傳遞信號(hào)，會(huì)在柵金屬層設(shè)置與柵線(xiàn)平行的金屬公共電極線(xiàn)(也稱(chēng)為gate層公共電極線(xiàn))，gate層公共電極線(xiàn)通過(guò)過(guò)孔與透明公共電極連接。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中顯示面板的公共電壓的分布不均，公共電壓不穩(wěn)定，造成顯示不良的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括透明的公共電極，還包括：多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)，所述多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)交叉設(shè)置，形成網(wǎng)格狀，所述第一公共電極線(xiàn)通過(guò)第一過(guò)孔與所述公共電極連接，所述第二公共電極線(xiàn)通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。

優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)異層設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括多條柵線(xiàn)，所述第一公共電極線(xiàn)與所述柵線(xiàn)同層且平行設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板還包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述第二公共電極線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層且平行設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板為雙柵線(xiàn)型陣列基板，相鄰的兩行亞像素之間設(shè)置有兩條柵線(xiàn)，相鄰的兩列亞像素之間隔列設(shè)置一條數(shù)據(jù)線(xiàn)，所述第二公共電極線(xiàn)設(shè)置于未設(shè)置所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的兩列亞像素之間。

優(yōu)選地，每一亞像素的公共電極分開(kāi)設(shè)置，處于同一行的公共電極通過(guò)第一公共電極線(xiàn)連通，處于同一列的公共電極通過(guò)第二公共電極線(xiàn)連通。

本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括形成透明的公共電極的步驟，還包括：形成多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)的步驟，所述多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)交叉設(shè)置，形成網(wǎng)格狀，所述第一公共電極線(xiàn)通過(guò)第一過(guò)孔與所述公共電極連接，所述第二公共電極線(xiàn)通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。

優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)異層設(shè)置。

優(yōu)選地，所述陣列基板的制作方法還包括形成多條柵線(xiàn)的步驟，其中，所述第一公共電極線(xiàn)與所述柵線(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且平行于所述柵線(xiàn)。

優(yōu)選地，所述陣列基板的制作方法還包括形成多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的步驟，其中，所述第二公共電極線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且平行于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

為陣列基板上的公共電極設(shè)置與其連接的網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)，能夠有效降低公共電極的電阻，同時(shí)，由于公共電極線(xiàn)呈網(wǎng)格狀分布，不是現(xiàn)有技術(shù)中單純的只有橫向設(shè)置的gate層公共電極線(xiàn)，從而可以保證整個(gè)面板的公共電壓的穩(wěn)定均一，此外，由于網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)能夠有效降低公共電極的電阻，從而可以相應(yīng)減小每一條公共電極線(xiàn)的線(xiàn)寬，以提高開(kāi)口率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的俯視圖；

圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的剖視圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板由于只在橫向上具有g(shù)ate層公共電極線(xiàn)，整個(gè)面板的公共電壓的分布相對(duì)不均，公共電壓不穩(wěn)定，從而會(huì)造成顯示不良。本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括：透明的公共電極，多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)，所述多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)交叉設(shè)置，形成網(wǎng)格狀，所述第一公共電極線(xiàn)通過(guò)第一過(guò)孔與所述公共電極連接，所述第二公共電極線(xiàn)通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。

本發(fā)明實(shí)施例中，為陣列基板的公共電極設(shè)置與其連接的網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)，能夠有效降低公共電極的電阻，同時(shí)，由于公共電極線(xiàn)呈網(wǎng)格狀分布，不是單純的只有橫向設(shè)置的gate層公共電極線(xiàn)，從而可以保證整個(gè)面板的公共電壓的穩(wěn)定均一，此外，由于網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)能夠有效降低公共電極的電阻，從而可以相應(yīng)減小每一條公共電極線(xiàn)的線(xiàn)寬，以提高開(kāi)口率。

公共電極通常采用ITO等透明導(dǎo)電材料制成。

優(yōu)選地，第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)可以采用金屬導(dǎo)電材料制成，以有利于公共電極的電阻的減少。

然而，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，也不排除第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)采用透明導(dǎo)電材料制成，以提高開(kāi)口率。

優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)形成的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)覆蓋公共電極所在區(qū)域。

本發(fā)明實(shí)施例中，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)可以同層設(shè)置，也可以異層設(shè)置。

當(dāng)?shù)谝还搽姌O線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)同層設(shè)置時(shí)，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)連接，為了避免與陣列基板的其他功能膜層上的圖形造成干擾，該種情況下，第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)通常需要單獨(dú)一層設(shè)置。

當(dāng)所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)異層設(shè)置時(shí)，所述第一公共電極線(xiàn)和/或第二公共電極線(xiàn)可以與陣列基板上的其他功能膜層同層設(shè)置，以降低膜層厚度，優(yōu)選地，還可以與其他導(dǎo)電層功能膜層同層設(shè)置，從而可以與該導(dǎo)電功能膜層通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，節(jié)省mask數(shù)量，降低成本。

所述陣列基板還包括多條柵線(xiàn)，優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)可以與所述柵線(xiàn)同層設(shè)置，以節(jié)省mask數(shù)量，降低成本。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)可以與柵線(xiàn)平行設(shè)置。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，也不排除所述第一公共電極線(xiàn)可以與柵線(xiàn)同層，且與柵線(xiàn)垂直設(shè)置的可能，此時(shí)，每一第一公共電極線(xiàn)需要在與柵線(xiàn)交叉的位置處斷開(kāi)。

所述第一公共電極線(xiàn)與所述柵線(xiàn)同層且平行設(shè)置時(shí)，可以是一行亞像素對(duì)應(yīng)一條第一公共電極線(xiàn)，也可以是多行亞像素對(duì)應(yīng)一條第一公共電極線(xiàn)。

所述陣列基板還包括多條數(shù)據(jù)線(xiàn)，優(yōu)選地，所述第二公共電極線(xiàn)可以與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層設(shè)置，以節(jié)省mask數(shù)量，降低成本。進(jìn)一步優(yōu)選地，所述第二公共電極線(xiàn)可以與數(shù)據(jù)線(xiàn)平行設(shè)置。當(dāng)然，在本發(fā)明的其他一些實(shí)施例中，也不排除所述第二公共電極線(xiàn)可以與數(shù)據(jù)線(xiàn)同層，且于數(shù)據(jù)線(xiàn)垂直設(shè)置的可能，此時(shí)，每一第二公共電極線(xiàn)需要在與數(shù)據(jù)線(xiàn)交叉的位置處斷開(kāi)。

所述第二公共電極線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)線(xiàn)同層且平行設(shè)置時(shí)，可以是一列亞像素對(duì)應(yīng)一條第二公共電極線(xiàn)，也可以是多列亞像素對(duì)應(yīng)一條第二公共電極線(xiàn)。

請(qǐng)參考圖，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的陣列基板的俯視圖，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板為雙柵型陣列基板，包括：多條柵線(xiàn)101和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)102，相鄰的兩行亞像素之間設(shè)置有兩條柵線(xiàn)101，相鄰的兩列亞像素之間，隔列設(shè)置一條數(shù)據(jù)線(xiàn)102，每一亞像素的公共電極103均分開(kāi)設(shè)置。所述陣列基板還包括：多條第一公共電極線(xiàn)104和多條第二公共電極線(xiàn)105，所述第一公共電極線(xiàn)104與所述柵線(xiàn)101同層且平行設(shè)置，所述第二公共電極線(xiàn)105與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)同層且平行設(shè)置，所述第二公共電極線(xiàn)105設(shè)置于未設(shè)置所述數(shù)據(jù)線(xiàn)102的兩列亞像素之間。所述第一公共電極線(xiàn)104和第二公共電極線(xiàn)105形成網(wǎng)格狀。所述第一公共電極線(xiàn)104通過(guò)第一過(guò)孔106與所述公共電極103連接，所述第二公共電極線(xiàn)105通過(guò)第二過(guò)孔107與所述公共電極103連接。

本發(fā)明實(shí)施例中，利用雙柵線(xiàn)型陣列基板隔列設(shè)置一條數(shù)據(jù)線(xiàn)的特殊結(jié)構(gòu)，在未設(shè)置數(shù)據(jù)線(xiàn)的一列設(shè)置第二公共電極線(xiàn)，與第一公共電極線(xiàn)形成網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)，從而可以保證整個(gè)面板的公共電壓的穩(wěn)定均一，此外，由于網(wǎng)格狀的公共電極線(xiàn)能夠有效降低公共電極的電阻，從而可以相應(yīng)減小每一條公共電極線(xiàn)的線(xiàn)寬，以提高開(kāi)口率。

本發(fā)明實(shí)施例中，每一亞像素的公共電極103分開(kāi)設(shè)置，處于同一行的公共電極103通過(guò)第一公共電極線(xiàn)104連通，處于同一列的公共電極103通過(guò)第二公共電極線(xiàn)105連通，從而使得整面公共電極103全部導(dǎo)通。

每一亞像素的公共電極分開(kāi)設(shè)置的陣列基板，現(xiàn)有技術(shù)中，必須通過(guò)過(guò)孔以及上層金屬(如源漏金屬層或公共電極層)跨接布線(xiàn)使得相鄰亞像素的公共電極導(dǎo)通，進(jìn)而導(dǎo)通整面公共電極，這種設(shè)計(jì)不但增加了走線(xiàn)而且增加了走線(xiàn)與其它電極(如源漏電極、柵電極等)的交疊和側(cè)向電容，電容的增加會(huì)使得負(fù)載增大，對(duì)亞像素充電同樣造成影響。

本發(fā)明實(shí)施例中，無(wú)需設(shè)置跨接布線(xiàn)，在橫向上通過(guò)第一公共電極線(xiàn)可將同行的公共電極連接起來(lái)，在縱向上通過(guò)第二公共電極線(xiàn)便可將同列的公共電極連接起來(lái)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，此外，還有效降低了公共電極與周邊電極的電容，使得亞像素的充電更加容易。

請(qǐng)參考圖2，圖2為本發(fā)明另一實(shí)施例的陣列基板的剖面示意圖，該實(shí)施例中的陣列基板與圖1所示的實(shí)施例中的陣列基板的區(qū)別在于，公共電極103為條狀公共電極，而，圖1所示的實(shí)施例中，公共電極103為塊狀公共電極。圖2中，100為襯底基板，108為柵絕緣層，109為像素電極，110為絕緣層。

從圖2中可以很明顯的看出，通過(guò)第一過(guò)孔106和第二過(guò)孔107，公共電極103可以與位于柵金屬層的第一公共電極線(xiàn)104和位于源漏金屬層的第二公共電極線(xiàn)105連接起來(lái)。其中第一過(guò)孔106為深過(guò)孔，第二過(guò)孔107為淺過(guò)孔。

本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板可以為HADS陣列基板，也可以為IPS陣列基板，或者其他類(lèi)型的包括公共電極的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，包括上述任一實(shí)施例中的陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述顯示面板。

本發(fā)明實(shí)施例中的顯示裝置還可以包括驅(qū)動(dòng)芯片，所述驅(qū)動(dòng)芯片可以與第一公共電極線(xiàn)和/或第二公共電極線(xiàn)連接，用于通過(guò)第一公共電極線(xiàn)和/或第二公共電極線(xiàn)向公共電極傳輸公共電壓信號(hào)。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括形成透明的公共電極的步驟，還包括：形成多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)的步驟，所述多條第一公共電極線(xiàn)和多條第二公共電極線(xiàn)交叉設(shè)置，形成網(wǎng)格狀，所述第一公共電極線(xiàn)通過(guò)第一過(guò)孔與所述公共電極連接，所述第二公共電極線(xiàn)通過(guò)第二過(guò)孔與所述公共電極連接。

優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)和第二公共電極線(xiàn)異層設(shè)置。

所述的陣列基板的制作方法，還包括形成多條柵線(xiàn)的步驟，優(yōu)選地，所述第一公共電極線(xiàn)與所述柵線(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且平行于所述柵線(xiàn)。

所述的陣列基板的制作方法還包括形成多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的步驟，其中，優(yōu)選地，所述第二公共電極線(xiàn)與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成，且平行于所述數(shù)據(jù)線(xiàn)。

除非另作定義，本發(fā)明中使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明中使用的“第一”、“第二”以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”或者“一”等類(lèi)似詞語(yǔ)也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！斑B接”或者“相連”等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對(duì)位置關(guān)系，當(dāng)被描述對(duì)象的絕對(duì)位置改變后，則該相對(duì)位置關(guān)系也相應(yīng)地改變。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。