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      穩(wěn)壓型滅弧直流電路的制作方法

      文檔序號:11459526閱讀:345來源:國知局

      本發(fā)明屬于電器電路技術領域,具體涉及一種穩(wěn)壓型滅弧直流電路。



      背景技術:

      目前在電氣控制系統(tǒng)中,廣泛使用接觸器、繼電器等機械開關對負載進行接通分斷控制,但由于普通滅弧用途的滅弧柵,需要分斷電弧拉到一定長度,才能起作用,存在滅弧效果差,分斷負載時電弧大,導致觸點容易燒損的缺點。

      為此,出現(xiàn)了用于機械開關滅弧的滅弧裝置,如專利號為cn01201907.0,名稱為“電子滅弧器”;專利號為cn200910306608.6,名稱為“基于光耦的混合式交流接觸器無源開關驅動控制器”,兩個專利所揭示的是采用晶閘管與接觸器機械開關并聯(lián)的方式,供電電源與接觸器的控制線圈連接,接觸器機械開關分斷前,提供一個控制晶閘管導通的驅動信號,在接觸器的控制線圈失電,當機械開關在分離時,晶閘管導通,通過供電電路的濾波電容放電延時,延時關斷晶閘管導通的驅動信號,晶閘管截止,完成無電弧分斷過程,其存在以下

      缺點:

      1、由于從接觸器的控制線圈失電到機械開關分斷,有一段不確定延時時間,為確保機械開關分斷之后晶閘管才關斷來保證可靠滅弧,晶閘管需要導通時間較長(一般在幾十毫秒以上),這種采用機械開關分斷后延時關閉控制信號的控制方式,勢必會增加晶閘管不必要的導通工作時間,晶閘管的導通工作時間長,導致整個滅弧裝置的過載能力差、可靠性低。

      2、其電路需要由接觸器的控制線圈的供電電源供電,如在按鈕、斷路器、行程開關等無驅動電源的機械開關中無法使用,存在適應范圍小的缺點。經(jīng)檢所,現(xiàn)有技術中還沒有和本專利申請相類似的穩(wěn)壓型滅弧直流電路。



      技術實現(xiàn)要素:

      為了克服以上現(xiàn)有技術的不足,本發(fā)明提供了一種滅弧穩(wěn)壓效果好的穩(wěn)壓型滅弧直流電路。本發(fā)明的技術方案是這樣的:

      一種穩(wěn)壓型滅弧直流電路,其包括:電源、三相半控橋整流電路、第一級觸發(fā)電路、反饋電阻、第二級觸發(fā)電路、濾波電容及穩(wěn)壓控制電路,其中電源的abc三相通電后分別與三相半控橋整流電路的晶體管相導通,所述三相半控橋整流電路經(jīng)過第一級觸發(fā)電路、第二級觸發(fā)電路及反饋電阻對三相直流電進行半控整流,并通過將整流后的半波直流電由濾波電容濾波,最后通過穩(wěn)壓控制電路輸出直流電。

      進一步的,所述相半控橋整流電路包括晶體管q1、晶體管q2、晶體管q3、二極管d2、二極管d4及二極管d6,其中電源的a相通電后分別與晶體管q1的基極、二極管d2的負極相導通,電源的b相通電后分別與晶體管q2的基極、二極管d4的負極相導通,電源的c相通電后分別與晶體管q3的基極、二極管d6的負極相導通。

      進一步的,所述第一級觸發(fā)電路包括二極管d1、電容c1、電容c2、電阻r1、二極管d7、晶體管q7、二極管d9、二極管d5、晶體管q8、電容c3、電阻r15、電阻r16、電容c4及穩(wěn)壓二極管zd3,其中二極管d1的正極與電源a相相連通,二極管d1的負極分別與電容c1的一端、晶體管q7的基極、電阻r1的一端相連通,電阻r1的另一端與穩(wěn)壓控制電路的三極管q5的集電極相聯(lián)通;電容c1的另一端通過電容c2與二極管d7相連通,二極管d7與晶體管q7的發(fā)射極相連通,二極管d9的正極與電源b相相連通,二極管d9的負極分別與電容c3的、晶體管q8的基極、二極管d5相連通,二極管d5與電源的c相聯(lián)通,二極管d5通過電阻r15、電阻r16與穩(wěn)壓控制電路的晶體管q4的集電極相連通,所述晶體管q8的發(fā)射極通過穩(wěn)壓二極管zd3、電容c4接地。

      進一步的,所述反饋電阻包括電阻r2、電阻r4、電阻r6、電阻r9及電阻r5,所述電阻r2設置于晶體管q1的集電極與發(fā)射極之間,r4設置于晶體管q2的集電極與發(fā)射極之間,r6設置于晶體管q3的集電極與發(fā)射極之間,電阻r9一端與晶體管q7的發(fā)射極相連通,另一端與二極管d8的正極相連,電阻r5一端與晶體管q8的發(fā)射極相連,另一端與晶體管q7的集電極相連。

      進一步的,所述第二級觸發(fā)電路包括二極管d3、二極管d8、電阻r3及二極管d10,其中二極管d3的正極與晶體管q7的集電極相連,二極管d3的負極與晶體管q1的發(fā)射極相連,二極管d8的正極與電阻r9相連,負極與電阻r3的一端相連,電阻r3的另一端與晶體管q2的發(fā)射極相連,二極管d10的正極分別與晶體管q8的集電極、電阻r5相連,二極管d10的負極與晶體管q3的發(fā)射極相連。

      進一步的,所述穩(wěn)壓控制電路包括晶體管q4、晶體管q5、晶體管q6、電阻r12、電阻r4、電阻r17、電阻r8、電阻r10、電阻r11、電阻r13、電容c5、穩(wěn)壓二極管zd1及穩(wěn)壓二極管zd2,其中晶體管q4的集電極與電阻r16、穩(wěn)壓二極管zd3的正極相連通,晶體管q4的發(fā)射極接地,晶體管q4的基極與電阻r12相連,電阻r12一路與穩(wěn)壓二極管zd1的正極相連,一路通過電阻r10與晶體管q6的集電極相連,一路通過電阻r17接地,一路通過電阻r14與晶體管q5的基極相連,晶體管q5的發(fā)射極接地,晶體管q5的集電極與電阻r1相連通,所述穩(wěn)壓二極管zd1的負極通過電阻r8與晶體管q2的集電極相連,所述穩(wěn)壓二極管zd1的負極還通過電阻r8與晶體管q6的發(fā)射極相連,所述晶體管q6的發(fā)射極與基極之間設置有電阻r11,所述電阻r11兩端并聯(lián)有電容c5,所述電容c5通過電阻r13、穩(wěn)壓二極管zd2接地。

      本發(fā)明的優(yōu)點及有益效果如下:

      本發(fā)明裝置包括:電源、三相半控橋整流電路、第一級觸發(fā)電路、反饋電阻、第二級觸發(fā)電路、濾波電容及穩(wěn)壓控制電路,其中電源的abc三相通電后分別與三相半控橋整流電路的晶體管相導通,所述三相半控橋整流電路經(jīng)過第一級觸發(fā)電路、第二級觸發(fā)電路及反饋電阻對三相直流電進行半控整流,并通過將整流后的半波直流電由濾波電容濾波,最后通過穩(wěn)壓控制電路輸出直流電。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明提供優(yōu)選實施例穩(wěn)壓型滅弧直流電路圖。

      具體實施方式

      以下結合附圖,對本發(fā)明作進一步說明:

      參照圖1所示為一種穩(wěn)壓型滅弧直流電路,其包括:電源、三相半控橋整流電路、第一級觸發(fā)電路、反饋電阻、第二級觸發(fā)電路、濾波電容及穩(wěn)壓控制電路,其中電源的abc三相通電后分別與三相半控橋整流電路的晶體管相導通,所述三相半控橋整流電路經(jīng)過第一級觸發(fā)電路、第二級觸發(fā)電路及反饋電阻對三相直流電進行半控整流,并通過將整流后的半波直流電由濾波電容濾波,最后通過穩(wěn)壓控制電路輸出直流電。

      優(yōu)選的,所述相半控橋整流電路包括晶體管q1、晶體管q2、晶體管q3、二極管d2、二極管d4及二極管d6,其中電源的a相通電后分別與晶體管q1的基極、二極管d2的負極相導通,電源的b相通電后分別與晶體管q2的基極、二極管d4的負極相導通,電源的c相通電后分別與晶體管q3的基極、二極管d6的負極相導通。

      優(yōu)選的,所述第一級觸發(fā)電路包括二極管d1、電容c1、電容c2、電阻r1、二極管d7、晶體管q7、二極管d9、二極管d5、晶體管q8、電容c3、電阻r15、電阻r16、電容c4及穩(wěn)壓二極管zd3,其中二極管d1的正極與電源a相相連通,二極管d1的負極分別與電容c1的一端、晶體管q7的基極、電阻r1的一端相連通,電阻r1的另一端與穩(wěn)壓控制電路的三極管q5的集電極相聯(lián)通;電容c1的另一端通過電容c2與二極管d7相連通,二極管d7與晶體管q7的發(fā)射極相連通,二極管d9的正極與電源b相相連通,二極管d9的負極分別與電容c3的、晶體管q8的基極、二極管d5相連通,二極管d5與電源的c相聯(lián)通,二極管d5通過電阻r15、電阻r16與穩(wěn)壓控制電路的晶體管q4的集電極相連通,所述晶體管q8的發(fā)射極通過穩(wěn)壓二極管zd3、電容c4接地。

      優(yōu)選的,所述反饋電阻包括電阻r2、電阻r4、電阻r6、電阻r9及電阻r5,所述電阻r2設置于晶體管q1的集電極與發(fā)射極之間,r4設置于晶體管q2的集電極與發(fā)射極之間,r6設置于晶體管q3的集電極與發(fā)射極之間,電阻r9一端與晶體管q7的發(fā)射極相連通,另一端與二極管d8的正極相連,電阻r5一端與晶體管q8的發(fā)射極相連,另一端與晶體管q7的集電極相連。

      優(yōu)選的,所述第二級觸發(fā)電路包括二極管d3、二極管d8、電阻r3及二極管d10,其中二極管d3的正極與晶體管q7的集電極相連,二極管d3的負極與晶體管q1的發(fā)射極相連,二極管d8的正極與電阻r9相連,負極與電阻r3的一端相連,電阻r3的另一端與晶體管q2的發(fā)射極相連,二極管d10的正極分別與晶體管q8的集電極、電阻r5相連,二極管d10的負極與晶體管q3的發(fā)射極相連。

      優(yōu)選的,所述穩(wěn)壓控制電路包括晶體管q4、晶體管q5、晶體管q6、電阻r12、電阻r4、電阻r17、電阻r8、電阻r10、電阻r11、電阻r13、電容c5、穩(wěn)壓二極管zd1及穩(wěn)壓二極管zd2,其中晶體管q4的集電極與電阻r16、穩(wěn)壓二極管zd3的正極相連通,晶體管q4的發(fā)射極接地,晶體管q4的基極與電阻r12相連,電阻r12一路與穩(wěn)壓二極管zd1的正極相連,一路通過電阻r10與晶體管q6的集電極相連,一路通過電阻r17接地,一路通過電阻r14與晶體管q5的基極相連,晶體管q5的發(fā)射極接地,晶體管q5的集電極與電阻r1相連通,所述穩(wěn)壓二極管zd1的負極通過電阻r8與晶體管q2的集電極相連,所述穩(wěn)壓二極管zd1的負極還通過電阻r8與晶體管q6的發(fā)射極相連,所述晶體管q6的發(fā)射極與基極之間設置有電阻r11,所述電阻r11兩端并聯(lián)有電容c5,所述電容c5通過電阻r13、穩(wěn)壓二極管zd2接地。

      工作原理;當電源a,b,c三相通電分別加在q1,q2,q3的1腳上。a相經(jīng)d1的1腳到2腳半波整流后由c1的1腳與r1的1腳連接r1的2腳和c2的1腳連接c1和c2的2腳對地組成rc移相后通過d7的1腳到2腳給q7的3腳觸發(fā)電壓使q7的2腳和1腳導通給d3,d8,d10的1腳到2腳觸發(fā)q1,q2,q3的3腳使q1,q2,q3的2腳和1腳導通型成半控整流。同時b相和c相通過d9,d5的1腳到2腳半波整流后由c3的1腳與r15的1腳連接r15的2腳和r16的1腳連接,r16的2腳與c4的1腳連接,c3和c4的2腳對地rc移相后通過zd3的1腳到2腳給q8的3腳觸發(fā)電壓使q8的2腳和1腳導通給d3,d8,d10的1腳到2腳加觸發(fā)電壓給q1,q2,q3的3腳使q1,q2,q3的2腳和1腳導通型成另外半控整流。d2,d4,d6的1腳和輸出地相接,d2的2腳與q1的2腳相連,d4的2腳與q2的2腳相連,d6的2腳與q3的2腳相連型成反向整流。q1,q2,q3的1腳相連輸出直流電壓。在q1的1腳接r2的1腳q1的3腳接r2的2腳,q2的1腳接r4的1腳q2的3腳接r4的2腳,q3的1腳接r6的1腳q3的3腳接r6的2腳在電路中型成反饋。

      整流后的半波直流電由c6的1腳與q1,q2,q3的1腳相連c6的2腳接地進行濾波,由于電容充電快和瞬間放電電容兩端電壓不能突變的特性,在r11的1腳與q6的e腳相連接在c6的1腳r11的2腳與q6的e腳和r13的1腳相接,r13的2腳和zd2的1腳連接,zd2的2腳接地。c5的1腳與r11的1腳相接c5的2腳和r13的1腳連接起充放電的作用。分壓比值在zd2的1腳沒達到穩(wěn)壓二級管zd2擊穿電壓時三極管q6b腳電壓與e腳電壓相等q6處于截,q6的c腳接r10的1腳r10的2腳接r12的1腳r14的1腳r17的1腳zd1的2腳,zd1的1腳接c6的1腳此時電壓不高穩(wěn)壓二極管zd1的1腳電壓未達到zd1擊穿電壓這時沒有電壓通過zd1,r12,r14加到三極管q4,q5的b腳上電壓過低;q4的c腳接zd3的2腳q4的e腳接地,q5的c腳接d7的1腳此時q4,q5處于截止可控硅q8,q7的3腳電壓沒有被q4,q5拉低,q8,q7全導通,隨著c61腳電壓變高電路r11,r13,zd2的分壓比值的變化達到zd2的1腳擊穿電壓時c5放電2腳電壓變低,三極管q6的b腳電壓低于e腳電壓q6的e腳和c腳導通時電壓經(jīng)過限流電阻r12,r14加在三極管q4,q5的b腳上電壓變高q4,q5的c腳和e腳導通量隨電壓變化而變,從而控制可控硅的導通量穩(wěn)定電壓。當輸入電壓變高過多時穩(wěn)壓二極管zd1的1腳達到擊穿電壓zd1擊穿,電壓經(jīng)r12,r14的1腳到2腳加在q4,q5的b腳上,q4,q5的c腳和e腳全導通拉低q7,q8的3腳觸發(fā)電壓使可控硅導通量減小q1,q2,q3的3腳觸發(fā)電流減小q1,q2,q3的2腳和1腳導通量減小輸出電壓降低起到保護作用。輸入電壓過于高時穩(wěn)壓二極管zd3的1腳擊穿電壓達到zd3擊穿,可控硅q7,q8的3腳電壓變?yōu)?完全關閉輸出隨之變低達到可控。

      當直流輸出回感性帶負載時由于感生電動勢在回路中升高時經(jīng)上訴電路檢測到感生電壓高于設定電壓就自動關閉拉低輸出電壓從而起到滅弧作用。

      以上這些實施例應理解為僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的保護范圍。在閱讀了本發(fā)明的記載的內(nèi)容之后,技術人員可以對本發(fā)明作各種改動或修改,這些等效變化和修飾同樣落入本發(fā)明權利要求所限定的范圍。

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