本發(fā)明涉及一種led芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法，尤其是一種具有六面發(fā)光的led芯片及其具有層疊鋁合金結(jié)構(gòu)的用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前，led燈絲是一款全角度發(fā)光的光源，一般采用正裝led芯片或倒裝led芯片直接貼裝在透明或金屬支架上，連線的方式可以是金線鍵合（正裝）或者焊料焊接（倒裝），之后再進行硅膠或環(huán)氧膠或熒光膠的全包封，從而實現(xiàn)了全角度發(fā)光的led燈絲。這就要求連接電路或無基板介質(zhì)或基板介質(zhì)具有高透明屬性，同時led芯片也要求全角度發(fā)光，傳統(tǒng)的倒裝芯片用于燈絲燈由于芯片結(jié)構(gòu)含有反射層且電極過大，導(dǎo)致只能五面發(fā)光，不能實現(xiàn)燈絲全角度均勻發(fā)光，如圖2所示，包括電極1；反射層2；發(fā)光區(qū)6；傳統(tǒng)的正裝芯片用于燈絲燈只能通過金線鍵合實現(xiàn)電路連接，打線工藝成本較高，如圖4所示，包括電極1；發(fā)光區(qū)6。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點和不足，提供一種用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)，該用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)全角度發(fā)光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通過低成本的鋁線鍵合焊接或通過鋁超聲焊接達到低成本焊接的目的。同時，本發(fā)明采用的鋁合金電極結(jié)構(gòu)的焊接特性可降低對焊墊尺寸的要求，從而進一步提高焊接面的出光亮度，利于器件的全角度出光，效率更高、成本更低。

本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用技術(shù)方案為：一種用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)，包括led芯片，于led芯片上設(shè)有兩個焊接面，每個焊接面上設(shè)有由多層結(jié)構(gòu)層疊組成的鋁合金電極；所述的鋁合金電極包括依次從芯片預(yù)制備的電極面開始層疊的cr層、第一al層、ti層、第二al層或al合金層。

進一步的，所述led芯片電極面的cr層之下設(shè)有氮化鎵介質(zhì)、金屬介質(zhì)或透明材料介質(zhì)。

進一步的，所述的鋁合金電極結(jié)構(gòu)是依次層疊的cr層、第一al層、ti層、第二al層的層狀結(jié)構(gòu)。該led芯片為倒裝芯片結(jié)構(gòu)。

或者是，所述的鋁合金電極結(jié)構(gòu)是依次生長的cr層、第一al層、ti層、al合金層的層狀結(jié)構(gòu)。該led芯片為正裝芯片結(jié)構(gòu)。

進一步的，所述的al合金層為al-si或al-cu合金層。

進一步的，所述的cr層、第一al層、ti層、第二al層或al合金層的層狀結(jié)構(gòu)的厚度分別為：cr層厚度為1-100a，第一al層厚度為10-10000a，ti層厚度為0-10000a，第二al層或al合金層厚度為100-100000a。

另外，本發(fā)明還涉及用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)的制備方法，該制備方法的步驟為：

依次在芯片預(yù)制備電極面的氮化鎵介質(zhì)、金屬介質(zhì)或透明材料介質(zhì)上層疊cr層、第一al層、ti層、第二al層或al合金層形成層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金電極，鋁合金電極的每層結(jié)構(gòu)均采用蒸鍍或濺鍍的方式疊層二次，形成帶鋁合金電極的led芯片結(jié)構(gòu)。

綜上所述，本發(fā)明的用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)全角度發(fā)光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通過低成本的鋁線鍵合焊接或通過鋁超聲焊接達到低成本焊接的目的。同時，本發(fā)明采用的鋁合金電極結(jié)構(gòu)的焊接特性可降低對焊墊尺寸的要求，從而進一步提高焊接面的出光亮度，利于器件的全角度出光，效率更高、成本更低。

附圖說明

下面結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將更容易理解本發(fā)明并了解其優(yōu)點和特征，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明；表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制；并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號：

圖1為本發(fā)明的全角度發(fā)光器件的led芯片結(jié)構(gòu)采用倒裝led芯片結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中采用傳統(tǒng)倒裝led芯片結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3為本發(fā)明全角度發(fā)光器件的led芯片結(jié)構(gòu)采用正裝led芯片結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖4為現(xiàn)有技術(shù)中采用傳統(tǒng)正裝led芯片結(jié)構(gòu)的示意圖。

具體實施方式

實施例1

本實施例1所述描述的一種用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)，如圖1所示，led芯片為倒裝芯片結(jié)構(gòu)，該倒裝芯片結(jié)構(gòu)為全角度發(fā)光芯片，在倒裝芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光區(qū)6上設(shè)有電極結(jié)構(gòu)為鋁合金的層狀結(jié)構(gòu)，包括最底層的cr層01、第一al層02、ti層03、第二al層04。

另外，本實施例1還涉及用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)的制備方法，該制備方法的步驟為：

依次在芯片預(yù)制備電極面的氮化鎵介質(zhì)、金屬介質(zhì)或透明材料介質(zhì)上層疊cr層、第一al層、ti層、第二al層形成層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金電極，鋁合金電極的每層結(jié)構(gòu)均采用蒸鍍方式疊層二次，形成帶鋁合金電極的led芯片結(jié)構(gòu)。

實施例2

本實施例2是在是在實施例的基礎(chǔ)上進行改變，不同點在于鋁合金電極在led芯片電極面上的層疊方式不同，具體如下：

如圖1所示，該鋁合金的層狀結(jié)構(gòu)包括最底層的cr層01、第一al層02、ti層03、第二al層04，在在led芯片電極面上依次采用濺鍍的方式層疊。

實施例3

本實施例3所描述的一種用于全角度發(fā)光器件的led芯片電極結(jié)構(gòu)，如圖3所示，led芯片為正裝芯片結(jié)構(gòu)，該正裝芯片結(jié)構(gòu)為全角度發(fā)光芯片，在正裝芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)光區(qū)6上設(shè)有電極結(jié)構(gòu)為鋁合金的層狀結(jié)構(gòu)，具有新型的鋁合金電極結(jié)構(gòu)，正裝芯片結(jié)構(gòu)的電極結(jié)構(gòu)包括最底層的cr層01、第一al層02、ti層03、al-si合金層05。

在正裝芯片結(jié)構(gòu)的電極面依次蒸鍍cr層、al層、ti層、al-si合金層等鍍層。

實施例4

本實施例4是在實施例3的基礎(chǔ)上進行改造的，不同點在于鋁合金電極在led芯片電極面上的層疊方式不同，具體如下：

如圖3所示，該鋁合金的層狀結(jié)構(gòu)包括最底層的cr層01、第一al層02、ti層03、al-si合金層05，在led芯片焊接面上依次采用濺鍍的方式層疊。

以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明的結(jié)構(gòu)作任何形式上的限制。凡是依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了用于全角度發(fā)光器件的LED芯片電極結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括新型的芯片電極結(jié)構(gòu)為層疊結(jié)構(gòu)的鋁合金電極，所述鋁合金電極結(jié)構(gòu)是依次層疊的Cr層、Al層、Ti層、Al層或Al合金層等成分的層狀結(jié)構(gòu)。所述鋁合金電極的制備方法包括以下步驟：在LED芯片電極面的氮化鎵、金屬或透明材料介質(zhì)上依次蒸鍍或濺鍍Cr、Al、Ti、Al或Al合金等成分的層狀結(jié)構(gòu)。所述新型鋁合金電極可實現(xiàn)全角度發(fā)光芯片在提高焊接可靠性的前提下或通過低成本的鋁線鍵合焊接或通過鋁超聲焊接達到低成本焊接的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：吳懿平;夏衛(wèi)生;陳亮;區(qū)燕杰
受保護的技術(shù)使用者：珠海市一芯半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.28
技術(shù)公布日：2017.07.21