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      一種太陽(yáng)能電池的制作方法

      文檔序號(hào):11233136閱讀:644來(lái)源:國(guó)知局

      本發(fā)明涉及鈣鈦礦太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種太陽(yáng)能電池。



      背景技術(shù):

      近年來(lái),有機(jī)無(wú)機(jī)雜化鈣鈦礦太陽(yáng)能電池展現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能和巨大的潛力。隨著鈣鈦礦太陽(yáng)電池技術(shù)的發(fā)展,基于這種吸光材料的電池器件光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)19.3%。

      基于ch3nh3pbi3的太陽(yáng)能電池由于迅速提升的效率在世界范圍內(nèi)備受關(guān)注。目前太陽(yáng)能電池目前報(bào)道的結(jié)構(gòu)主要是fto/tio2/ch3nh3pbi3/spiro-ometad/au,其電池效率現(xiàn)已達(dá)到20.1%;但這種結(jié)構(gòu),主要存在以下缺點(diǎn):tio2致密層的制備需要在450℃的高溫下進(jìn)行燒結(jié),ch3nh3pbi3層的制備也需要在加熱的條件下緩慢結(jié)晶,這些加熱的過(guò)程都不利于將性能優(yōu)異的ch3nh3pbi3材料應(yīng)用在很多不能加熱的基底上,如高分子薄膜等。

      因此,研發(fā)一種能將性能優(yōu)異的ch3nh3pbi3材料在無(wú)需加熱的條件下迅速結(jié)晶生成,且能大幅度降低鈣鈦礦電池制備溫度的

      太陽(yáng)能電池是非常有必要的。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能將性能優(yōu)異的ch3nh3pbi3材料在無(wú)需加熱的條件下迅速結(jié)晶生成,且能大幅度降低鈣鈦礦電池制備溫度的太陽(yáng)能電池。

      為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明的技術(shù)方案為:一種太陽(yáng)能電池,包括玻璃襯底和依次層疊于該襯底上的致密層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和金屬電極層;其創(chuàng)新點(diǎn)在于:

      所述玻璃襯底采用的是方塊電阻為10-15歐姆,透過(guò)率在80-85%的摻氟氧化錫玻璃;

      所述致密層為氧化鋅致密層,其致密層的厚度為30nm;

      所述鈣鈦礦層由甲胺鉛碘形成,其鈣鈦礦層的厚度為200nm;

      所述空穴傳輸層采用spiro-ometadhtm溶液滴涂而成,其空穴傳輸層的厚度為100nm;

      所述金屬電極層采用的是銀,其金屬電極層的厚度為120nm。

      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:

      本發(fā)明通過(guò)對(duì)fto/tio2/ch3nh3pbi3/spiro-ometad/au原有結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),改為fto/zno/ch3nh3pbi3/spiro-ometad/ag結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池大幅度的降低了鈣鈦礦電池制備的溫度,同時(shí)也使得ch3nh3pbi3材料在無(wú)需加熱的條件下迅速結(jié)晶生成,進(jìn)而顯著提高電池的光電轉(zhuǎn)換率和穩(wěn)定性。

      附圖說(shuō)明

      下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

      圖1是本發(fā)明太陽(yáng)能電池的的結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實(shí)施方式

      下面的實(shí)施例可以使本專業(yè)的技術(shù)人員更全面地理解本發(fā)明,但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。

      實(shí)施例

      本實(shí)施例的太陽(yáng)能電池,如圖1所示,包括方塊電阻為10-15歐姆,透過(guò)率在80-85%的摻氟氧化錫玻璃襯底1;

      在摻氟氧化錫玻璃襯底1上依次層疊有厚度為30nm的氧化鋅致密層2、甲胺鉛碘形成的厚度為200nm的鈣鈦礦層3、厚度為100nm的空穴傳輸層4和厚度為120nm的金屬ag電極層5;

      具體地,在鈣鈦礦層3上滴半滴spiro-ometad(2,2',7,7'-四[n,n-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴)htm溶液形成100nm的空穴傳輸層4。

      本實(shí)施例通過(guò)對(duì)fto/tio2/ch3nh3pbi3/spiro-ometad/au原有結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),改為fto/zno/ch3nh3pbi3/spiro-ometad/ag結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池大幅度的降低了鈣鈦礦電池制備的溫度,同時(shí)也使得ch3nh3pbi3材料在無(wú)需加熱的條件下迅速結(jié)晶生成,進(jìn)而顯著提高電池的光電轉(zhuǎn)換率和穩(wěn)定性。

      以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征以及本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說(shuō)明書中描述的只是說(shuō)明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。



      技術(shù)特征:

      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池,包括玻璃襯底和依次層疊于該襯底上的致密層、鈣鈦礦層、空穴傳輸層和金屬電極層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明這種結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池大幅度的降低了鈣鈦礦電池制備的溫度,同時(shí)也使得CH3NH3PbI3材料在無(wú)需加熱的條件下迅速結(jié)晶生成,進(jìn)而顯著提高電池的光電轉(zhuǎn)換率和穩(wěn)定性。

      技術(shù)研發(fā)人員:曹建民
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:如皋市下原科技創(chuàng)業(yè)服務(wù)有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:2017.05.22
      技術(shù)公布日:2017.09.08
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