国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      InGaN太陽能電池的制作方法

      文檔序號:10128965閱讀:900來源:國知局
      InGaN太陽能電池的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及一種太陽能電池,具體涉及一種InGaN太陽能電池。
      【背景技術(shù)】
      [0002]作為第三代半導體,氮化鎵(GaN)及其系列材料以其禁帶寬度大、光譜范圍寬(覆蓋了從紫外到紅外全波段)、耐高溫性和耐腐蝕性好,在光電子學和微電子學領(lǐng)域內(nèi)有巨大的應(yīng)用價值。最新研究發(fā)現(xiàn),InN材料的室溫禁帶寬度由之前的1.89eV確定為現(xiàn)在的0.7eV,使的三元合金InGaN的帶隙從近紅外光譜區(qū)域到紫外光譜區(qū)域連續(xù)地調(diào)節(jié),并且氮化物合金在帶邊附近的吸收系數(shù)高達105cm 1量級,使得InGaN吸收層在幾百納米范圍內(nèi)吸收了大部分的入射光,理論上可以利用不同In組分的InGaN合金異質(zhì)結(jié)構(gòu),設(shè)計一個多節(jié)太陽能電池,實現(xiàn)在一個外延系統(tǒng)下滿足高效的太陽能電池的需要。另外,InGaN合金具有良好的抗輻射能力,很適用于做為空間太陽能電池材料。因此,InGaN在太陽能電池領(lǐng)域中有著明顯優(yōu)于其他半導體材料的優(yōu)勢。但是由于InGaN材料生長質(zhì)量的的問題,使得太陽能電池的效率都很低,成本比較高,使用效果不佳,實用性不強。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0003]針對現(xiàn)有技術(shù)上存在的不足,本實用新型目的是在于提供一種InGaN太陽能電池,結(jié)構(gòu)簡單,成本低,轉(zhuǎn)換效率高。
      [0004]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型是通過如下的技術(shù)方案來實現(xiàn):一種InGaN太陽能電池,包括襯底、GaN緩沖層、η-GaN層、n-1nGaN層和ρ-GaN層,其特征在于:所述n-1nGaN層和所述p-GaN層之間依次有1-1nxGafxN層、p-1nyGaj-yN層,所述ρ-GaN層上面有半透明電流擴展層,半透明電流擴展層上有正電極,所述η-GaN層上有負電極。
      [0005]作為優(yōu)選,所述n_InGaN層為170nm。
      [0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型的優(yōu)點在于:減少了 InGaN層的厚度,在一定程度上提高了 InGaN層的質(zhì)量;引入1-1nxGafxN層和p-1nyGafyN層,提高了光電轉(zhuǎn)換效率,易于制備;通過半透明電流擴展層以及正、負電極的設(shè)置,實現(xiàn)了完整太陽電池的直接應(yīng)用,并進一步提高了抗輻射能力,延長了電池的使用壽命。
      【附圖說明】
      [0007]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0008]圖1中:1代表正電極,2代表半透明電流擴展層,3代表p-GaN層,4代表p-1nyGafyN層,5代表1-1nxGafxN層,6代表n-1nGaN層,7代表負電極,8代表η-GaN層,9代表GaN緩沖層,10代表襯底。
      【具體實施方式】
      [0009]以下結(jié)合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。
      [0010]如圖1所示,本InGaN太陽能電池,包括襯底10、GaN緩沖層9、n-GaN層8、n-1nGaN層6和p-GaN層3,其特征在于:所述n-1nGaN層6和所述p-GaN層3之間依次有1-1nxGafxN層5、p-1nyGa^yN層4,所述p-GaN層3上面有半透明電流擴展層2,半透明電流擴展層2上有正電極1,所述n-GaN層8上有負電極7。
      [0011]其中,η-1nGaN層6為170nm,減少了 InGaN層的厚度,在一定程度上提高了 InGaN
      層的質(zhì)量。
      [0012]負電極為自下至上依次為Ti/Pd/Au。通過半透明電流擴展層的設(shè)置,實現(xiàn)了完整太陽電池的直接應(yīng)用,并進一步提高了抗輻射能力,延長了電池的使用壽命。
      【主權(quán)項】
      1.一種InGaN太陽能電池,包括襯底、GaN緩沖層、n-GaN層、n-1nGaN層和ρ-GaN層,其特征在于:所述n-1nGaN層和所述ρ-GaN層之間依次有1-1nxGafxN層、p-1nyGa^yN層,所述p-GaN層上面有半透明電流擴展層,半透明電流擴展層上有正電極,所述η-GaN層上有負電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種InGaN太陽能電池,其特征在于:所述n-1nGaN層為170nmo
      【專利摘要】本實用新型公開了一種InGaN太陽能電池,包括襯底、GaN緩沖層、n-GaN層、n-InGaN層和p-GaN層,其特征在于:所述n-InGaN層和所述p-GaN層之間依次有i-InxGa1-xN層、p-InyGa1-yN層,所述p-GaN層上面有半透明電流擴展層,半透明電流擴展層上有正電極,所述n-GaN層上有負電極。本實用新型的優(yōu)點在于:減少了InGaN層的厚度,在一定程度上提高了InGaN層的質(zhì)量;引入i-InxGa1-xN層和p-InyGa1-yN層,提高了光電轉(zhuǎn)換效率,易于制備;通過半透明電流擴展層以及正、負電極的設(shè)置,實現(xiàn)了完整太陽電池的直接應(yīng)用,并進一步提高了抗輻射能力,延長了電池的使用壽命。
      【IPC分類】H01L31/0304, H01L31/04
      【公開號】CN205039161
      【申請?zhí)枴緾N201520835291
      【發(fā)明人】張開駒
      【申請人】南京交通職業(yè)技術(shù)學院
      【公開日】2016年2月17日
      【申請日】2015年10月26日
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1