本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板。

背景技術(shù)：

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，有機(jī)電致發(fā)光顯示面板和液晶顯示面板等平板顯示面板發(fā)展迅速。

以液晶顯示面板為例，液晶顯示面板包括陣列基板，陣列基板包括：基板、位于基板上的薄膜晶體管以及像素電極，其中薄膜晶體管中包括有源層、柵電極、源電極和漏電極，其中，在薄膜晶體管的制作工藝中，柵電極、源電極和漏電極均是在金屬薄膜上通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕和光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝形成的。

目前，市場對于液晶顯示面板的對比度和分辨率的要求越來越高，也就是說，薄膜晶體管中的源極線和漏極線的寬度需要越來越小。然而，由于光刻膠與金屬之間的粘附力較弱，因此，源極線和漏極線的寬度較小會導(dǎo)致形成源電極和漏電極的刻蝕過程中光刻膠剝離，從而限制了薄膜晶體管的廣泛使用。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，能夠提高金屬與光刻膠的粘附力，避免金屬刻蝕過程中光刻膠剝落，實現(xiàn)了薄膜晶體管的廣泛使用。

為了達(dá)到本發(fā)明目的，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管制作方法，包括：

形成金屬薄膜；

對所述金屬薄膜進(jìn)行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；所述配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵；

通過構(gòu)圖工藝形成電極。

進(jìn)一步地，所述對金屬薄膜進(jìn)行處理，包括：

利用濕法刻蝕設(shè)備采用指定溶液對金屬薄膜進(jìn)行處理；

其中，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質(zhì)為合成物溶液與硝酸溶液的混合液，所述合成物的分子式為c57h42n12o6·h2o。

進(jìn)一步地，合成物溶液的質(zhì)量百分比為30％-50％。

進(jìn)一步地，處理的時間大于或者等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度。

進(jìn)一步地，通過構(gòu)圖工藝形成電極包括：

在金屬薄膜上涂覆光刻膠；

對所述光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理；

對金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理；

剝離光刻膠，形成電極；

其中，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘。

進(jìn)一步地，所述電極為柵電極和/或源漏電極。

另外，本發(fā)明實施例還提供一種薄膜晶體管，包括：柵電極和源漏電極；

柵電極和/或源漏電極為包括配合層和導(dǎo)電層的電極，所述配合層覆蓋所述導(dǎo)電層，其中，配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵。

進(jìn)一步地，所述配合層中包括三嗪環(huán)、亞胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)和芳香環(huán)。

進(jìn)一步地，所述導(dǎo)電層的材料為金屬。

另外，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板，包括薄膜晶體管。

本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管及其制作方法、顯示面板，該薄膜晶體管制作方法包括：形成金屬薄膜；對金屬薄膜進(jìn)行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵；通過構(gòu)圖工藝形成電極，當(dāng)在表面上形成有配合層的金屬薄膜上進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，有效的提高了光刻膠與金屬之間的粘附力，使得金屬刻蝕過程中光刻膠不易剝落，實現(xiàn)了薄膜晶體管的廣泛使用。

附圖說明

附圖用來提供對本發(fā)明技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本申請的實施例一起用于解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案的限制。

圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的配合層分子的形成示意圖；

圖3(a)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖一；

圖3(b)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖二；

圖3(c)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖三；

圖3(d)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖四；

圖3(e)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖五；

圖3(f)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖六；

圖3(g)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖七；

圖3(h)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖八；

圖3(i)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖九；

圖3(j)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖十；

圖3(k)為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的示意圖十一。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互任意組合。

在附圖的流程圖示出的步驟可以在諸如一組計算機(jī)可執(zhí)行指令的計算機(jī)系統(tǒng)中執(zhí)行。并且，雖然在流程圖中示出了邏輯順序，但是在某些情況下，可以以不同于此處的順序執(zhí)行所示出或描述的步驟。

實施例一

圖1為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法的流程圖，如圖1所示，本發(fā)明實施例提供一種薄膜晶體管制作方法，該方法具體包括以下步驟：

步驟101、形成金屬薄膜。

其中，金屬薄膜的材料包括：銅、鋁、鉬或釹化鉬等金屬，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

具體的，采用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡稱cvd)工藝、蒸鍍工藝或者濺射工藝沉積金屬薄膜，本發(fā)明并不以此為限。

步驟102、對金屬薄膜進(jìn)行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵。

具體的，對金屬薄膜進(jìn)行處理，包括：利用濕法刻蝕設(shè)備采用指定溶液對金屬薄膜進(jìn)行處理。

其中，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質(zhì)為合成物溶液與硝酸溶液的混合液，合成物的分子式為c57h42n12o6·h2o，具體通過對氨基苯甲酸甲酯、冰乙酸、三聚氯氰、水合胼、乙醇及2-羥基-1-萘醛制成。其中合成物溶液為有機(jī)高分子溶液，圖2為本發(fā)明實施例提供的配合層分子的形成示意圖，指定溶液分子10與金屬離子20作用生成配合層分子30。

具體的，處理的時間大于等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度，且處理后不需要對金屬薄膜進(jìn)行水洗。

需要說明的是，原子與電負(fù)性大的原子x以共價鍵結(jié)合，若與電負(fù)性大、半徑小的原子y接近，在x與y之間以氫為媒介，生成x-h...y形式的一種特殊的分子間或分子內(nèi)相互作用，稱為氫鍵。氫鍵是一種特殊的分子作用力，其鍵能比化學(xué)鍵小，又比通常的分子間作用力大。

在本實施例中，采用指定溶液對金屬薄膜進(jìn)行處理形成的配合層中包括三嗪環(huán)、亞胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)和芳香環(huán)。其中，一個配合層的分子含有4個三嗪環(huán)，且三嗪環(huán)上的氮原子沒有與任何分子形成氧鍵作用，可以作為潛在的氫鍵接受體與客體分子形成氫鍵作用。每個三嗪環(huán)的周圍存在三個亞氨基團(tuán)。也沒有與任何溶劑分子形成氫鍵作用，可以作為潛在的氫鍵給體與客體分子形成氫鍵作用。三嗪環(huán)上的氮原子和亞氨基團(tuán)形成類似于自然界中堿基的氫鍵作用模式?？梢耘c客體分子形成類似于雙螺旋類型的氧鍵。配合層的分子中還存在12個酰胺基團(tuán)，每個酰胺基團(tuán)可以與客體分子形成兩種類型的氫鍵。羰基氧原子可以作為氫鍵接受體，酰胺氫原子可以作為氫鍵給予體。配合層的分子中存在多個芳香環(huán)可以作為潛在的作用位點與pr分子相互作用。也就是說，本發(fā)明實施例生成的配合層既可以作為氫鍵的提供者，還可以作為氫鍵受體。具體的，客體分子指的是光刻膠。

步驟103、通過構(gòu)圖工藝形成電極。

具體的，步驟103包括：在金屬薄膜上涂覆光刻膠；對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理；對金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理；剝離光刻膠，形成電極。

其中，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘，在進(jìn)行曝光和顯影之前不需要進(jìn)行清洗，且在構(gòu)圖工藝過程中烘干的溫度不高于130攝氏度。

在本實施例中，在對金屬薄膜進(jìn)行光刻膠涂覆之后，光刻膠會與金屬薄膜表面上的配合層作用生成氫鍵，能有效的提高光刻膠與金屬之間的粘附力，避免在刻蝕過程中光刻膠剝離。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管制作方法，包括：形成金屬薄膜；對金屬薄膜進(jìn)行處理，使金屬薄膜的表面上形成配合層；所述配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵；通過構(gòu)圖工藝形成電極，當(dāng)在表面上形成有配合層的金屬薄膜上進(jìn)行構(gòu)圖工藝時，由于配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，有效的提高了光刻膠與金屬之間的粘附力，使得金屬刻蝕過程中光刻膠不易剝落，實現(xiàn)了薄膜晶體管的廣泛使用。

下面結(jié)合圖3(a)-3(g)，以柵電極和源漏電極同時包括配合層為例，進(jìn)一步地具體描述本發(fā)明實施例一提供的薄膜晶體管制作方法。

步驟201、在基板11上形成有源層12，具體如圖3(a)所示。

其中，基板可以為玻璃基板或塑料基板，本發(fā)明實施例對此不作任何限定；進(jìn)一步地，在形成有源層之前，可對基板進(jìn)行預(yù)清洗操作。

具體的，在基板11上沉積緩沖層，在緩沖層上沉積非晶硅層，對非晶硅層進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火處理，使非晶硅層晶化為多晶硅層，通過光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝在多晶硅層形成有源層12。

具體的，在本實施例中，采用化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition，簡稱cvd)工藝、蒸鍍工藝或濺射工藝等方法在緩沖層上沉積非晶硅層，采用準(zhǔn)分子激光退火或者固相結(jié)晶等方法將非晶硅晶化為多晶硅，之后在通過構(gòu)圖工藝形成所需的多晶硅圖案，有源層12為多晶硅層。

步驟202、在有源層12上形成柵絕緣層13并覆蓋整個基板11，具體如圖3(b)所示。

本發(fā)明實施例采用cvd工藝、蒸鍍工藝或濺射工藝等方法在有源層上沉積柵絕緣層13。

其中，柵極絕緣層可以為氧化硅層、氮化硅層或由氧化硅和氮化硅所組成的復(fù)合絕緣層等，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

步驟203、在柵絕緣層13上沉積第一金屬薄膜141，具體如圖3(c)所示。

其中，第一金屬薄膜141包括：銅、鋁、鉬、釹化鉬，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

具體的，可以采用cvd工藝、蒸鍍工藝或濺射工藝等方法在柵絕緣層上沉積第一金屬薄膜141。

步驟204、對第一金屬薄膜141進(jìn)行處理，使第一金屬薄膜141的表面形成配合層142，其中，配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，具體可如圖3(d)所示。

在本實施例中，利用濕法刻蝕設(shè)備采用指定溶液對金屬薄膜進(jìn)行處理。

其中，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質(zhì)為h6tbmn溶液與硝酸溶液的混合液，h6tbmn溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％-50％，其中h6tbmn溶液為有機(jī)高分子溶液

其中，處理的時間大于等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度，且處理后不需要對第一金屬薄膜進(jìn)行水洗。

步驟205、通過構(gòu)圖工藝形成柵電極14，具體可如圖3(e)所述。

具體的，通過構(gòu)圖工藝形成柵電極包括：在第一金屬薄膜上涂覆光刻膠；對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理；對第一金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理；剝離光刻膠，形成柵電極；其中，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘，且在進(jìn)行曝光和顯影之前不需要進(jìn)行清洗，且在構(gòu)圖工藝過程中烘干的溫度不高于130攝氏度。

步驟206、在柵電極14上形成層間介電層15并覆蓋整個基板，具體如圖3(f)所示。

具體的，可采用cvd工藝、蒸鍍工藝或濺射工藝在柵電極14上沉積層間介電層15，以起到保護(hù)柵電極14、并隔離柵電極14和后續(xù)源漏電極16的目的。

其中，所述層間介電層15可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

步驟207、通過包括光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝的構(gòu)圖工藝，在層間介電層15及所述柵絕緣層13之內(nèi)形成貫通至所述有源層12的源極過孔和漏極過孔，具體可如圖3(g)所示。

步驟208、在層間介電層15上沉積第二金屬薄膜161，具體可如圖3(h)所示。

其中，第二金屬薄膜的材料包括：銅、鋁、鉬或釹化鉬等其他金屬，本發(fā)明實施例對此不作任何限定，需要說明的是，第一金屬薄膜與第二金屬薄膜的材料可以相同，也可以不同，本發(fā)明對此并不進(jìn)行限定。

具體的，可以采用cvd工藝、蒸鍍工藝或濺射工藝在層間介電層上沉積第二金屬薄膜。

步驟209、對第二金屬薄膜161進(jìn)行處理，使第二金屬薄膜161的表面形成配合層162，其中，配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，具體可如圖3(i)所示。

在本實施例中，利用濕法刻蝕設(shè)備采用指定溶液對金屬薄膜進(jìn)行處理。

其中，指定溶液中的溶劑為二甲基甲酰胺，溶質(zhì)為h6tbmn溶液與硝酸溶液的混合液，h6tbmn溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30％-50％，其中h6tbmn溶液為有機(jī)高分子溶液

其中，處理的時間大于等于2分鐘，處理的溫度為40-50攝氏度，且處理后不需要對第一金屬薄膜進(jìn)行水洗。

步驟210、通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極16，具體可如圖3(j)所示。

具體的，通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極包括：在第二金屬薄膜上涂覆光刻膠；對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理；對第二金屬薄膜進(jìn)行刻蝕處理；剝離光刻膠，形成源漏電極；其中，對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理與形成配合層的時間間隔小于或者等于30分鐘，且在進(jìn)行曝光和顯影之前不需要進(jìn)行清洗，且在構(gòu)圖工藝過程中烘干的溫度不高于130攝氏度。

步驟211、在源漏電極16上形成鈍化層17，具體可如圖3(k)所示。

具體的，可采用cvd等方法在源漏電極16上沉積鈍化層17，并形成鈍化層過孔。鈍化層17以起到保護(hù)源漏電極16、并隔離源漏電極16和后續(xù)像素電極的目的；其中，所述鈍化層17可由氧化硅、氮化硅等材料制備而成，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

實施例二

基于前述實施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例二提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括：柵電極和源漏電極；柵電極和/或源漏電極為包括配合層和導(dǎo)電層的電極，配合層覆蓋導(dǎo)電層，其中，配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵。

在本實施例中，配合層中包括三嗪環(huán)、亞胺基團(tuán)、酰胺基團(tuán)和芳香環(huán)。其中，一個配合層的分子含有4個三嗪環(huán)，且三嗪環(huán)上的氮原子沒有與任何分子形成氧鍵作用，可以作為潛在的氫鍵接受體與客體分子形成氫鍵作用。每個三嗪環(huán)的周圍存在三個亞氨基團(tuán)。也沒有與任何溶劑分子形成氫鍵作用，可以作為潛在的氫鍵給體與客體分子形成氫鍵作用。三嗪環(huán)上的氮原子和亞氨基團(tuán)形成類似于自然界中堿基的氫鍵作用模式?？梢耘c客體分子形成類似于雙螺旋類型的氧鍵。配合層的分子中還存在12個酰胺基團(tuán)，每個酰胺基團(tuán)可以與客體分子形成兩種類型的氫鍵。羰基氧原子可以作為氫鍵接受體，酰胺氫原子可以作為氫鍵給予體。配合層的分子中存在多個芳香環(huán)可以作為潛在的作用位點與pr分子相互作用。也就是說，本發(fā)明實施例生成的配合層既可以作為氫鍵的提供者，還可以作為氫鍵受體。

具體的，所述導(dǎo)電層的材料為金屬，具體可以為：銅、鋁、鉬、釹化鉬，本發(fā)明實施例對此不作任何限定。

本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管，包括：柵電極和源漏電極；柵電極和/或源漏電極為包括配合層和導(dǎo)電層的電極，所述配合層覆蓋所述導(dǎo)電層，其中，配合層用于與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，當(dāng)形成表面上形成有配合層的電極的過程中，由于配合層與光刻膠作用產(chǎn)生氫鍵，有效的提高了光刻膠與金屬之間的結(jié)合力，使得金屬刻蝕過程中光刻膠不易剝落，實現(xiàn)了薄膜晶體管的廣泛使用。

實施例三

基于前述實施例的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實施例三提供了一種顯示面板，包括薄膜晶體管。

具體的，薄膜晶體管采用的本發(fā)明實施例二提供的薄膜晶體管，其實現(xiàn)原理和實現(xiàn)效果類似，在此不再贅述。

雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本發(fā)明而采用的實施方式，并非用以限定本發(fā)明。任何本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本發(fā)明的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。