本實用新型涉及一種手機，特別涉及一種測量LTE網(wǎng)絡的手機。

背景技術：

LTE基于舊有的GSM/EDGE和UMTS/HSPA網(wǎng)絡技術，是GSM/UMTS標準的升級,LTE的當前目標是借助新技術和調制方法提升無線網(wǎng)絡的數(shù)據(jù)傳輸能力和數(shù)據(jù)傳輸速度。由于目前手機為了美觀和耐用，通常將手機設計成由金屬外殼包裹。但是，由于金屬外殼對信號具有一定屏蔽作用，導致手機信號變差。此外，現(xiàn)有手機通過天線接收信號，天線通常為內置式，從而進一步降低了天線的接收性能。為了提升天線的性能，通?？赏ㄟ^增大天線輻射功率，但是，輻射功率過大會對人體產生不利影響。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型為了解決現(xiàn)有技術的問題，提供了一種信號較強，能夠測量到LTE網(wǎng)絡，提升LTE網(wǎng)絡接收性能的測量LTE網(wǎng)絡的手機。

具體技術方案如下：一種測量LTE網(wǎng)絡的手機，包括金屬后蓋和天線組件，天線組件設置在金屬后蓋上，天線組件包括輻射部和基板，所述基板包括上表面和下表面，上表面、下表面相對設置，金屬后蓋與下表面相對設置，金屬后蓋包括金屬部，金屬部位于金屬后蓋上端，所述輻射部設置在上表面上，輻射部包括第一金屬片，金屬饋入段和第二金屬片，金屬饋入段包括第一端與第二端，所述第一端設有饋入部，第二端與第一金屬片連接并形成回圈。

以下為本實用新型的附屬技術方案。

作為優(yōu)選方案，所述第二金屬片由第一金屬片延伸形成。

作為優(yōu)選方案，所述金屬部與輻射部相對設置。

作為優(yōu)選方案，所述基板上設有金屬聽筒蓋，金屬聽筒蓋位于輻射部位置。

作為優(yōu)選方案，所述輻射部由印刷電路板的導電層構成。

作為優(yōu)選方案，所述饋入部上設有饋入線。

本實用新型的技術效果：本實用新型的測量LTE網(wǎng)絡的手機能夠利用金屬后蓋和天線組件產生耦合共振，從而激發(fā)低頻模式和高頻模式，從而能夠測量到LTE網(wǎng)絡，滿足LTE網(wǎng)絡的通信需求；此外，能夠有效提升手機的信號性能，提升手機網(wǎng)絡傳輸性能。

附圖說明

圖1是本實用新型實施例的測量LTE網(wǎng)絡的手機分解圖。

圖2是本實用新型實施例的天線組件的示意圖。

圖3是本實用新型實施例的天線組件的反射損失示意圖。

圖4是本實用新型實施例的天線組件在低頻模式的輻射效率示意圖。

圖5是本實用新型實施例的天線組件在高頻模式的輻射效率示意圖。

具體實施方式

下面，結合實例對本實用新型的實質性特點和優(yōu)勢作進一步的說明，但本實用新型并不局限于所列的實施例。

如圖1至圖5所示，本實施例的測量LTE網(wǎng)絡的手機,包括金屬后蓋1和天線組件2，天線組件2設置在金屬后蓋1上。天線組件2包括輻射部21和基板22，所述基板22包括上表面3和下表面4，上表面3、下表面4相對設置，金屬后蓋1與下表面4相對設置。金屬后蓋1包括金屬部11，金屬部11位于金屬后蓋1上端。所述輻射部21設置在上表面3上，輻射部用于收發(fā)電磁波信號。輻射部21包括第一金屬片5，金屬饋入段6和第二金屬片7，金屬饋入段6包括第一端61與第二端62，所述第一端61設有饋入部8，第二端62與第一金屬片7連接并形成回圈。上述技術方案中，第一金屬片與金屬背板的金屬部相互耦合共振可激發(fā)低頻模式(698至800MHz)，第二金屬片與所述金屬部相互耦合共振激發(fā)高頻模式(2300至2690MHz)，從而避免了金屬蓋對信號的屏蔽，防止金屬蓋影響信號接收；同時，能夠滿足測量LTE網(wǎng)絡的高、低頻模式要求。

如圖1至圖5所示，進一步的，所述第二金屬片7由第一金屬片5延伸形成。所述金屬部11與輻射部21相對設置。所述基板22上設有金屬聽筒蓋9，金屬聽筒蓋9位于輻射部21位置，從而在不影響信號接收的情況下，使手機結構更緊湊。本實施例中，所述輻射部由印刷電路板的導電層構成，輻射部能有效地輻射或接收無線電波。所述饋入部上設有饋入線10，本實施例的饋入線為同軸傳輸線。

本實施例的測量LTE網(wǎng)絡的手機能夠利用金屬后蓋和天線組件產生耦合共振，從而激發(fā)低頻模式和高頻模式，從而能夠測量到LTE網(wǎng)絡，滿足LTE網(wǎng)絡的通信需求；此外，能夠有效提升手機的信號性能，提升手機網(wǎng)絡傳輸性能。

需要指出的是，上述較佳實施例僅為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。