本實(shí)用新型涉及一種隔離結(jié)構(gòu)以及包含該隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。更詳細(xì)地，本實(shí)用新型涉及一種用于使電荷累積區(qū)彼此電隔離的隔離結(jié)構(gòu)以及包含該隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器。

背景技術(shù)：

一般來說，圖像傳感器是將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的半導(dǎo)體裝置且可被分成或分類成電荷耦合裝置(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器(CIS)。

CMOS圖像傳感器包括單位像素，每個(gè)單位像素包括光電二極管和MOS晶體管。CMOS圖像傳感器使用切換方法順序地檢測(cè)單位像素的電信號(hào)，從而形成圖像。

CMOS圖像傳感器是通過在半導(dǎo)體基板中或上形成光電二極管，形成被連接至半導(dǎo)體基板上的光電二極管的晶體管，形成用作被連接至晶體管的信號(hào)線的布線層并在布線層上或上方形成濾色器層和微透鏡而制成的。

特別地，CMOS圖像傳感器包括多個(gè)按行和列布置的像素區(qū)且在每個(gè)像素區(qū)中或上形成光電二極管、轉(zhuǎn)移柵、浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)等。例如，光電二極管包括p型表面層和n型電荷累積區(qū)，且當(dāng)入射光到達(dá)光電二極管的表面時(shí)，在光電二極管的p-n結(jié)的耗盡區(qū)中產(chǎn)生電子(光電荷)。電子在n型電荷累積區(qū)中進(jìn)行累積且隨后通過轉(zhuǎn)移柵移動(dòng)到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)。

近來，隨著CMOS圖像傳感器的集成度的提高，逐漸減小了光電二極管的面積，且可以因此使CMOS圖像傳感器的靈敏度和動(dòng)態(tài)范圍退化。此外，可以增加CMOS圖像傳感器的光學(xué)噪聲，諸如串?dāng)_。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供了一種具有相對(duì)小的區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)，以增加光電二極管和具有隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的區(qū)域。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)方面，一種隔離結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在第二導(dǎo)電類型的基板中的第一導(dǎo)電類型的深阱區(qū)以及設(shè)置在用于累積光電荷的電荷累積區(qū)之間以使電荷累積區(qū)彼此電隔離的隔離區(qū)。特別地，電荷累積區(qū)可以被設(shè)置在深阱區(qū)上且具有第二導(dǎo)電類型，且隔離區(qū)可以與深阱區(qū)相連接且具有第一導(dǎo)電類型。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，隔離區(qū)可以具有比深阱區(qū)的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，隔離結(jié)構(gòu)還可以包括絕緣層，其被設(shè)置在隔離區(qū)上；以及電極，其被設(shè)置在絕緣層上且在隔離區(qū)中形成電場(chǎng)以在隔離區(qū)中累積第二光電荷。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，可以向深阱區(qū)施加第一電壓，可以向電極施加第二電壓，且第二電壓可以等于或高于第一電壓。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，可以向深阱區(qū)施加第一電壓，可以向電極施加第二電壓，且第二電壓可以等于或低于第一電壓。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，隔離區(qū)可以是通過離子注入工藝形成的離子注入?yún)^(qū)。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，一種圖像傳感器可以包括設(shè)置在第二導(dǎo)電類型的基板中的第一導(dǎo)電類型的深阱區(qū)、設(shè)置在深阱區(qū)上并累積光電荷的第二導(dǎo)電類型的電荷累積區(qū)以及設(shè)置在電荷累積區(qū)之間以使電荷累積區(qū)彼此電隔離且與深阱區(qū)相連接的第一導(dǎo)電類型的隔離區(qū)。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，圖像傳感器還可以包括第一導(dǎo)電類型的釘扎層，其每一個(gè)均被設(shè)置在電荷累積區(qū)上。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，隔離區(qū)可以具有與釘扎層的雜質(zhì)濃度相等的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，隔離區(qū)可以具有比深阱區(qū)的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，圖像傳感器還可以包括絕緣層，其被設(shè)置在隔離區(qū)上；以及電極，其被設(shè)置在絕緣層上且在隔離區(qū)中形成電場(chǎng)以在隔離區(qū)中累積第二光電荷。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，可以向深阱區(qū)施加第一電壓，可以向電極施加第二電壓，且第二電壓可以等于或高于第一電壓。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，可以向深阱區(qū)施加第一電壓，可以向電極施加第二電壓，且第二電壓可以等于或低于第一電壓。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，基板可以包括外延層，且深阱區(qū)和隔離區(qū)可以被設(shè)置在外延層中。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，圖像傳感器還可以包括第二導(dǎo)電類型的低濃度雜質(zhì)區(qū)，其每一個(gè)被設(shè)置在電荷累積區(qū)和深阱區(qū)之間，且低濃度雜質(zhì)區(qū)可以具有比電荷累積區(qū)的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個(gè)方面，一種圖像傳感器可以包括設(shè)置在第二導(dǎo)電類型的基板中的第一導(dǎo)電類型的深阱區(qū)、設(shè)置在深阱區(qū)上并累積光電荷的第二導(dǎo)電類型的電荷累積區(qū)、設(shè)置在電荷累積區(qū)的一側(cè)上以使電荷累積區(qū)與相鄰的電荷累積區(qū)電隔離且與深阱區(qū)相連接的第一導(dǎo)電類型的隔離區(qū)、設(shè)置成與電荷累積區(qū)的另一側(cè)間隔開的浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)以及設(shè)置在電荷累積區(qū)和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)之間的基板上的轉(zhuǎn)移柵。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，電荷累積區(qū)可以是用于累積空穴的p型雜質(zhì)區(qū)，且隔離區(qū)可以是n型高濃度雜質(zhì)區(qū)。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，圖像傳感器還可以包括絕緣層，其被設(shè)置在隔離區(qū)上；以及電極，其被設(shè)置在絕緣層上且在隔離區(qū)中形成電場(chǎng)以在隔離區(qū)中累積電子。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，可以向深阱區(qū)施加第一電壓，可以向電極施加第二電壓，且第二電壓可以等于或高于第一電壓。

根據(jù)本實(shí)用新型的一些示例性實(shí)施例，圖像傳感器還可以包括設(shè)置在電荷累積區(qū)的另一側(cè)上的第一導(dǎo)電類型的第二阱區(qū)，且轉(zhuǎn)移柵和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)可以被設(shè)置在第二阱區(qū)上。

上面的概述并不旨在描述其主題的每個(gè)所闡明的實(shí)施例或每個(gè)實(shí)施方式。下面的附圖及具體實(shí)施方式更具體地舉例說明了各種實(shí)施例。

附圖說明

根據(jù)結(jié)合附圖的下列說明，將更詳細(xì)地理解示例性實(shí)施例，其中：

圖1為示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)示例性實(shí)施例的隔離結(jié)構(gòu)和具有隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的橫截面視圖；

圖2為示出圖1的圖像傳感器的平面圖，其中在線1-1處指出圖1的橫截面視圖；

圖3為示出圖2的轉(zhuǎn)移柵和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的橫截面視圖；

圖4為示出與圖1的圖像傳感器相連的電源的方框圖；以及

圖5至7為示出制造圖1的圖像傳感器的方法的橫截面視圖。

雖然各種實(shí)施例可被修正成各種修改和替代形式，但是其細(xì)節(jié)已在附圖中以示例方式示出并將進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，應(yīng)理解的是本實(shí)用新型并不旨在將所要求保護(hù)的實(shí)用新型限制為所述的特定實(shí)施例。相反地，本實(shí)用新型旨在涵蓋落在如通過權(quán)利要求限定的主題的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等同物和替代方案。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參考附圖更詳細(xì)地描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。然而，本實(shí)用新型并不限于下面所述的實(shí)施例且按各種其他形式進(jìn)行實(shí)施。下面的實(shí)施例并不是為了全面完成本實(shí)用新型而提供的，而是為了向本領(lǐng)域的技術(shù)人員全面?zhèn)鬟_(dá)本實(shí)用新型的范圍而提供的。

在本說明書中，當(dāng)一個(gè)組件被稱為在另一個(gè)組件或?qū)由匣虮贿B接至另一個(gè)組件或?qū)訒r(shí)，其可直接在另一個(gè)組件或?qū)由匣虮贿B接至另一個(gè)組件或?qū)?，或也可存在有中間組件或?qū)?。與此不同，將理解當(dāng)一個(gè)組件被稱為直接在另一個(gè)組件或?qū)由匣蛑苯颖贿B接至另一個(gè)組件或?qū)訒r(shí)，其表示不存在有中間組件。另外，雖然術(shù)語(yǔ)，如第一、第二和第三用于描述在本實(shí)用新型的各種實(shí)施例中的各種區(qū)域和層，但區(qū)域和層卻不僅限于此。

以下使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定實(shí)施例，但卻不用于限制本實(shí)用新型。額外地，除非本文另有限定外，包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)的所有術(shù)語(yǔ)可具有與本領(lǐng)域的技術(shù)人員通常所理解的相同的含義。

參考理想實(shí)施例的示意圖描述本實(shí)用新型的實(shí)施例。因此，可根據(jù)附圖的形式預(yù)期在制造方法中的變化和/或可允許的誤差。因此，本實(shí)用新型的實(shí)施例被描述成僅限于附圖中的特定形式或區(qū)域且包括該形式的偏差。該區(qū)域可以是完全示意性的且其形式可能不描述或描繪在任何給定區(qū)域中的準(zhǔn)確形式或結(jié)構(gòu)且并不旨在限制本實(shí)用新型的范圍。

圖1為示出根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)示例性實(shí)施例的隔離結(jié)構(gòu)和具有隔離結(jié)構(gòu)的圖像傳感器的橫截面視圖，圖2為示出如圖1所示的圖像傳感器的平面圖，且圖3為示出如圖2所示的轉(zhuǎn)移柵和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的橫截面視圖。圖2的線1-1示出沿其截取圖1的橫截面，而線3-3則示出沿其截取圖3的橫截面。

參考圖1至3，根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)示例性實(shí)施例，一種圖像傳感器100可以包括用于累積由入射光子產(chǎn)生的光電荷的光電二極管110。在光電二極管110中累積的光電荷可以通過轉(zhuǎn)移柵150的操作移動(dòng)到浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160(圖2、3)中。浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160可以與源跟隨器晶體管170(圖2)的柵極電連接且可以由重置晶體管180(圖2)重置到參考電壓。此外，源跟隨器晶體管170可以與選擇晶體管190(圖2)相連接。

例如，圖1的圖像傳感器100可以包括多個(gè)圖像像素。圖像傳感器100可以包括在基板102中形成的電荷累積區(qū)112。電荷累積區(qū)112可以用作圖像像素的光電二極管110且可以通過隔離結(jié)構(gòu)120而彼此電隔離。

隔離結(jié)構(gòu)120可以包括在基板102中形成的深阱區(qū)以及在電荷累積區(qū)112之間形成的隔離區(qū)124。深阱區(qū)122和隔離區(qū)124可以具有第一導(dǎo)電類型，且電荷累積區(qū)112可以具有第二導(dǎo)電類型。例如，如在圖1中所示，深阱區(qū)122可以是深n型阱(DNW)區(qū)，且隔離區(qū)124可以是高濃度n型雜質(zhì)區(qū)，其具有比深阱區(qū)122的雜質(zhì)濃度更高的雜質(zhì)濃度。電荷累積區(qū)112可以是p型雜質(zhì)區(qū)。特別地，隔離區(qū)124可以形成在深阱區(qū)122上且可以與深阱區(qū)122相連接，如在圖1中所示。

例如，隔離區(qū)124可以是通過離子注入工藝形成的離子注入?yún)^(qū)且可以具有與傳統(tǒng)的淺溝槽隔離區(qū)相比為相對(duì)較小的寬度。其結(jié)果是，可以增加電荷累積區(qū)112的區(qū)域且可以因此顯著改善圖像傳感器100的動(dòng)態(tài)范圍和靈敏度。此外，可以去除由于傳統(tǒng)的淺溝槽隔離區(qū)的陷阱位置引起的暗電流。

具有第一導(dǎo)電類型的釘扎層114可以形成在電荷累積區(qū)112上。例如，可以在電荷累積區(qū)112上形成能夠用作釘扎層114的高濃度n型雜質(zhì)區(qū)。釘扎層114可以具有與隔離區(qū)124的雜質(zhì)濃度相等的雜質(zhì)濃度且可以電子地連接到隔離區(qū)124的上部。

基板102可以具有第二導(dǎo)電類型。例如，p型基板可以用作基板102，如在圖1的實(shí)施例中所示的?？商娲鼗蝾~外地，基板102可以包括具有第二導(dǎo)電類型的外延層104。例如，基板102可以包括p型外延層104，且可以在p型外延層104中形成深阱區(qū)122和隔離區(qū)124。

可以在電荷累積區(qū)112和深阱區(qū)122之間形成具有第二導(dǎo)電類型的低濃度雜質(zhì)區(qū)116。低濃度雜質(zhì)區(qū)116可以具有比電荷累積區(qū)112的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。例如，低濃度雜質(zhì)區(qū)116可以是未注入?yún)^(qū)。即，低濃度雜質(zhì)區(qū)可以是p型外延層104的部分。

圖像傳感器100可以包括與電荷累積區(qū)112相鄰的第一導(dǎo)電類型的第二阱區(qū)106(圖3)。例如，第二阱區(qū)106可以是通過離子注入工藝形成的n型阱(NW)區(qū)。第二阱區(qū)106可以具有比隔離區(qū)124的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。此外，第二阱區(qū)106可以具有比深阱區(qū)122的雜質(zhì)濃度更低的雜質(zhì)濃度。

轉(zhuǎn)移柵150和浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160可以形成在第二阱區(qū)106上。柵絕緣層152可以被設(shè)置在第二阱區(qū)106和轉(zhuǎn)移柵150之間，且可以在轉(zhuǎn)移柵150的側(cè)表面上形成柵間隔物154。

此外，現(xiàn)在參考圖2，可以在第二阱區(qū)106上形成重置晶體管180、源跟隨器晶體管170和選擇晶體管190。浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160和重置晶體管180的源/漏區(qū)、源跟隨器晶體管170和選擇晶體管190可以是高濃度p型雜質(zhì)區(qū)。重置晶體管180和源跟隨器晶體管170可以共同使用源/漏區(qū)。共同的源/漏區(qū)可以與電源140相連接(見圖4)以供給驅(qū)動(dòng)電壓(Vdd)。

由入射光子在基板102中產(chǎn)生的光電荷，例如空穴可以在電荷累積區(qū)112中進(jìn)行累積，且第二光電荷，例如電子可以在深阱區(qū)122和/或隔離區(qū)124中進(jìn)行累積。特別地，可以向深阱區(qū)122施加第一電壓，例如約為3.3V的驅(qū)動(dòng)電壓(Vdd)以從圖像像素移除電子。例如，深阱區(qū)122可以與電源140相連接。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)示例性實(shí)施例，圖像傳感器100可以包括被設(shè)置在隔離區(qū)124上的電極130。電極130可以用于在隔離區(qū)124中形成電場(chǎng)，以將第二光電荷，例如電子累積至隔離區(qū)124中。絕緣層132可以被設(shè)置在隔離區(qū)124和電極130之間，且可以在電極130的側(cè)表面上設(shè)置間隔物134。特別地，可以向電極130施加第二電壓，其可以等于或高于第一電壓。

圖4為示出與如圖1中所示的圖像傳感器相連的電源的方框圖。

參考圖4，圖像傳感器100可以包括與電源140相連接的多個(gè)電荷泵。例如，圖像傳感器100可以包括與轉(zhuǎn)移柵150相連接的轉(zhuǎn)移柵泵156、與重置柵182相連接的重置柵泵184以及與選擇柵192相連接的選擇柵泵194。此外，圖像傳感器100可以包括與電極130相連接的第四電荷泵136，且第四電荷泵136可以向電極130施加高于驅(qū)動(dòng)電壓(Vdd)的第二電壓，例如，約4V。

可替代地，當(dāng)電荷累積區(qū)112具有第一導(dǎo)電類型且深阱區(qū)122和隔離區(qū)124具有第二導(dǎo)電類型，即，當(dāng)使用n型光電二極管、p型隔離區(qū)和深p型阱(DPW)區(qū)時(shí)，電子可以在n型光電二極管中進(jìn)行累積，且空穴可以在p型隔離區(qū)和深p型阱區(qū)中進(jìn)行累積。特別地，可以向深p型阱區(qū)施加約為-1V的第一電壓，且可以向電極130施加例如，約為-2V的等于或低于第一電壓的第二電壓。

此外，當(dāng)使用n型光電二極管時(shí)，用于供給第一電壓的第一負(fù)電荷泵可以與深p型阱區(qū)相連接，且用于供給第二電壓的第二負(fù)電荷泵可以與電極130相連接。

如上所述，可以向電極130施加第二電壓以累積第二電荷，且可以因此顯著地改善圖像傳感器的光電轉(zhuǎn)換效率。因此，可以顯著地改善圖像傳感器100的動(dòng)態(tài)范圍和靈敏度。

同時(shí)，隔離區(qū)124和電極130可以被配置成圍繞除了與轉(zhuǎn)移柵150相鄰的光電二極管110的一個(gè)側(cè)表面的剩余側(cè)表面，如在圖2中所示。此外，隔離區(qū)124可以與深阱區(qū)122相連接，且源于光電二極管110的漏電流可以因此通過深阱區(qū)122和隔離區(qū)124顯著地減少。而且，可以充分地減少圖像傳感器100的串?dāng)_。

圖5至7為示出制造如圖1中所示的圖像傳感器的方法的橫截面視圖。

參考圖5，可以在第二導(dǎo)電類型的基板102中形成第一導(dǎo)電類型的深阱區(qū)122。例如，深阱區(qū)122可以是n型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成?；?02可以是p型基板且可以包括p型外延層104。在這種情況下，可以在p型外延層104中形成深阱區(qū)122。

參考圖6，可以在基板102中形成第一導(dǎo)電類型的隔離區(qū)124。隔離區(qū)124可以是高濃度n型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成。隔離區(qū)124可以從基板102的上表面，即p型外延層104的上表面延伸，且可以被連接到深阱區(qū)122。

在形成隔離區(qū)124之后，可以在基板102中形成第二阱區(qū)106，如在圖3中所示。第二阱區(qū)106可以是n型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成。

在形成第二阱區(qū)106之后，可以在基板102上形成轉(zhuǎn)移柵150、重置柵182、源跟隨器柵、選擇柵192和電極130，如在圖2和3中所示。例如，轉(zhuǎn)移柵150、重置柵180、源跟隨器柵和選擇柵192可以由摻雜有p型雜質(zhì)的多晶硅制成，且電極130可以由摻雜有n型雜質(zhì)的多晶硅制成。

可以在基板102上形成柵絕緣層，且可以在柵絕緣層上設(shè)置轉(zhuǎn)移柵150、重置柵180、源跟隨器柵和選擇柵192?？梢栽诨?02上形成絕緣層132，且可以在絕緣層132上設(shè)置電極130。柵絕緣層和絕緣層132可以由氧化硅制成。

例如，可以在基板102上形成氧化硅層，且可以在氧化硅層上形成多晶硅層。隨后，與轉(zhuǎn)移柵150、重置柵180、源跟隨器柵和選擇柵192相應(yīng)的多晶硅層的部分可以摻雜有p型雜質(zhì)，且與電極130相應(yīng)的多晶硅層的一部分可以摻雜有n型雜質(zhì)。轉(zhuǎn)移柵150、重置柵180、源跟隨器柵、選擇柵192、柵絕緣層、電極130和絕緣層132可以通過使多晶硅層和氧化硅層圖案化來獲得。

參考圖7，可以在隔離區(qū)124的內(nèi)部形成電荷累積區(qū)電荷累積區(qū)112。電荷累積區(qū)112可以是p型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成。隨后，可以在電荷累積區(qū)112上形成釘扎層114中的每一個(gè)。釘扎層114可以是高濃度n型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成。

可以在基板102中形成浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160，如在圖3中所示。浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160可以是高濃度p型雜質(zhì)區(qū)且可以通過離子注入工藝形成。浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)160可以與源跟隨器晶體管170和選擇晶體管190的源/漏區(qū)同時(shí)形成。

根據(jù)如上所述的本實(shí)用新型的示例性實(shí)施例，圖像傳感器100的隔離結(jié)構(gòu)120可以包括在基板102中形成的深阱區(qū)122以及在用于累積光電荷的電荷累積區(qū)112之間形成的隔離區(qū)124。當(dāng)電荷累積區(qū)112具有第二導(dǎo)電類型時(shí)，深阱區(qū)122和隔離區(qū)124可以具有第一導(dǎo)電類型。隔離區(qū)124可以是通過離子注入工藝形成的離子注入?yún)^(qū)，且可以在隔離區(qū)124上形成電極130。電極130可以用于在隔離區(qū)124中形成電場(chǎng)，以在隔離區(qū)124中累積第二光電荷。

隔離區(qū)124可以具有與傳統(tǒng)的淺溝槽隔離區(qū)相比為相對(duì)較小的寬度，且可以增加電荷累積區(qū)112的區(qū)域。因此，可以顯著地改善圖像傳感器100的動(dòng)態(tài)范圍和靈敏度。此外，可以去除由于傳統(tǒng)的淺溝槽隔離區(qū)的陷阱位置引起的暗電流。

更進(jìn)一步地，隔離區(qū)124可以與深阱區(qū)122相連接，且可以顯著地減少源于電荷累積區(qū)122的漏電流。因此，可以顯著地減少圖像傳感器100的串?dāng)_。

雖然已經(jīng)參考具體實(shí)施例描述了圖像傳感器100及其制造方法，但其并不僅限于此。因此，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將很容易地理解在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下對(duì)其進(jìn)行各種修改和變化。