本技術(shù)涉及半導(dǎo)體襯底材料制造領(lǐng)域，特別是涉及一種晶片甩干托盤。

背景技術(shù)：

1、磷化銦襯底在制造高頻高功率器件、光纖通信、無線傳輸、射電天文學(xué)等射頻器件領(lǐng)域存在應(yīng)用市場。使用磷化銦襯底制造的射頻器件已在衛(wèi)星、雷達等應(yīng)用場景中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。在雷達和通信系統(tǒng)的射頻前端、模擬/混合信號寬帶寬電路方面具有較強競爭力，適合高速數(shù)據(jù)處理、高精度寬帶寬a/d轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。

2、然而，磷化銦晶片在拋光工序前研磨甩干是一步費時費力的工序，現(xiàn)有技術(shù)中，磷化銦研磨后是采用人工使用氣槍下料，再用手將研磨好的磷化銦晶片從研磨機上取下，手動沖水并用氣槍吹干，效率低下，且員工手動處理容易受傷。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型要解決的技術(shù)問題是：如何提升晶片的甩干效率，避免員工受傷。

2、為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供了一種晶片甩干托盤，包括：

3、托盤本體，所述托盤本體的上表面沿所述托盤本體的邊緣設(shè)有凸緣，所述凸緣在所述托盤本體的上表面圍成一內(nèi)凹晶片放置區(qū)域，所述托盤本體與所述凸緣之間開設(shè)有多個排水孔，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域內(nèi)對稱開設(shè)有弧槽；以及

4、調(diào)節(jié)組件，所述調(diào)節(jié)組件設(shè)置于所述弧槽內(nèi)，用于根據(jù)晶片的尺寸進行調(diào)節(jié)以實現(xiàn)對不同尺寸晶片的夾持固定。

5、進一步優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)組件包括：

6、調(diào)節(jié)件，所述調(diào)節(jié)件為彈性件且置于所述弧槽內(nèi)；以及

7、彈簧，所述彈簧設(shè)于所述弧槽內(nèi)的一端，且所述彈簧的一端與所述調(diào)節(jié)件相抵接。

8、進一步優(yōu)選地，所述調(diào)節(jié)組件還包括設(shè)于所述弧槽內(nèi)的一端的限位柱，所述彈簧套接于所述限位柱上。

9、進一步優(yōu)選地，所述弧槽的內(nèi)壁上沿所述弧槽的弧度方向設(shè)有多個卡塊，所述調(diào)節(jié)件遠離所述彈簧的一端與任一所述卡塊抵接。

10、進一步優(yōu)選地，還包括擋板，所述擋板覆蓋于所述弧槽設(shè)有限位柱的一端。

11、進一步優(yōu)選地，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域為內(nèi)凹球形面區(qū)域。

12、進一步優(yōu)選地，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域為內(nèi)凹錐面區(qū)域，其錐度θ滿足：

13、1°≤θ≤10°。

14、進一步優(yōu)選地，所述托盤本體為圓盤結(jié)構(gòu)，多個所述排水孔繞所述托盤本體的周向間隔布置。

15、進一步優(yōu)選地，所述托盤本體與所述凸緣為一體成型結(jié)構(gòu)。

16、進一步優(yōu)選地，所述凸緣上開設(shè)有機械手進入槽位。

17、本實用新型提供的一種晶片甩干托盤與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：本實用新型通過在托盤本體的上表面沿托盤本體的邊緣設(shè)有凸緣，使得凸緣能夠在托盤本體的上表面圍成一內(nèi)凹晶片放置區(qū)域，將待甩干晶片放置在內(nèi)凹晶片放置區(qū)域內(nèi)，并通過調(diào)節(jié)組件固定待甩干晶片，當驅(qū)動機構(gòu)帶動該晶片甩干托盤轉(zhuǎn)動后，由于晶片放置區(qū)域為內(nèi)凹結(jié)構(gòu)，因此，晶片的底部與托盤本體并不直接接觸，從而有利于水分在離心力的作用下從排水孔甩出。該晶片甩干托盤結(jié)構(gòu)簡單，穩(wěn)定性好，同時利用離心力對晶片上的水分進行甩干，甩干效率高，且無需手動操作，能有效避免員工受傷，從而達到降低成本的目的。

技術(shù)特征：

1.一種晶片甩干托盤，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述調(diào)節(jié)組件包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述調(diào)節(jié)組件還包括設(shè)于所述弧槽內(nèi)的一端的限位柱，所述彈簧套接于所述限位柱上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述弧槽的內(nèi)壁上沿所述弧槽的弧度方向設(shè)有多個卡塊，所述調(diào)節(jié)件遠離所述彈簧的一端與任一所述卡塊抵接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，還包括擋板，所述擋板覆蓋于所述弧槽設(shè)有限位柱的一端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域為內(nèi)凹球形面區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域為內(nèi)凹錐面區(qū)域，其錐度θ滿足：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述托盤本體為圓盤結(jié)構(gòu)，多個所述排水孔繞所述托盤本體的周向間隔布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述托盤本體與所述凸緣為一體成型結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶片甩干托盤，其特征在于，所述凸緣上開設(shè)有機械手進入槽位。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體襯底材料制造領(lǐng)域，具體公開了一種晶片甩干托盤，包括托盤本體以及調(diào)節(jié)組件，其中，所述托盤本體的上表面沿所述托盤本體的邊緣設(shè)有凸緣，所述凸緣在所述托盤本體的上表面圍成一內(nèi)凹晶片放置區(qū)域，所述托盤本體與所述凸緣之間開設(shè)有多個排水孔，所述內(nèi)凹晶片放置區(qū)域內(nèi)對稱開設(shè)有弧槽；所述調(diào)節(jié)組件設(shè)置于所述弧槽內(nèi)，用于根據(jù)晶片的尺寸進行調(diào)節(jié)以實現(xiàn)對不同尺寸晶片的夾持固定。該晶片甩干托盤結(jié)構(gòu)簡單，穩(wěn)定性好，同時利用離心力對晶片上的水分進行甩干，甩干效率高，且無需手動操作，能有效避免員工受傷，從而達到降低成本的目的。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭金龍,唐勇,黃藝毅,周鐵軍,馬金峰
受保護的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19