本發(fā)明涉及太赫茲芯片設計，尤其涉及一種太赫茲芯片壓點、芯片及連接方法。

背景技術：

1、隨著太赫茲技術在無線通訊、成像系統(tǒng)等領域的廣泛應用，太赫茲單片集成電路芯片獲得了快速的發(fā)展。太赫茲芯片屬于平面集成電路，接口一般采用共面波導(gsg)形式的壓點，壓點的中間焊盤為信號焊盤，兩側(cè)焊盤為接地焊盤，用來適配gsg形式的高頻微波探針。

2、當電磁波信號傳輸時，能量主要集中在信號焊盤與接地焊盤的縫隙、信號焊盤與背面公共地之間，兩側(cè)的接地焊盤為了滿足等電勢，一般會通過獨立的過孔與芯片背面的公共地相連。但是申請人發(fā)現(xiàn)，當芯片工作頻率到達太赫茲頻段后，過孔的寄生電感效應會越來越明顯，兩側(cè)的接地焊盤會存在電勢差，信號通過芯片壓點時，容易在帶內(nèi)產(chǎn)生高頻諧振，影響信號傳輸。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明實施例提供了一種太赫茲芯片壓點、芯片及連接方法，以解決共面波導壓點的信號傳輸性能較差的問題。

2、第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種太赫茲芯片壓點，包括信號焊盤和布設在信號焊盤兩側(cè)的兩個接地焊盤；

3、兩個接地焊盤分別接地，且兩個接地焊盤的表面連接。

4、在一種可能的實現(xiàn)方式中，兩個接地焊盤的表面通過鍵合金絲連接。

5、在一種可能的實現(xiàn)方式中，鍵合金絲為u形。

6、在一種可能的實現(xiàn)方式中，鍵合金絲所在的平面與兩個接地焊盤的表面平行。

7、在一種可能的實現(xiàn)方式中，鍵合金絲與兩個接地焊盤的表面上靠近芯片邊緣的一側(cè)連接。

8、在一種可能的實現(xiàn)方式中，鍵合金絲包括兩個短邊和一個長邊，信號焊盤與兩個接地焊盤的外邊緣平齊；其中，外邊緣為焊盤表面上靠近芯片邊緣的一側(cè)；

9、兩個短邊的長度為信號焊盤外邊緣和芯片邊緣之間距離的一半。

10、在一種可能的實現(xiàn)方式中，兩個接地焊盤分別通過過孔接地。

11、第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種太赫茲芯片，具有如上第一方面或第一方面的任一種可能的實現(xiàn)方式的太赫茲芯片壓點。

12、第三方面，本發(fā)明實施例提供了一種太赫茲芯片壓點的連接方法，應用于如上第一方面或第一方面的任一種可能的實現(xiàn)方式的太赫茲芯片壓點，方法包括：

13、通過鍵合金絲將太赫茲芯片壓點的信號焊盤與外部微帶連接。

14、本發(fā)明實施例提供一種太赫茲芯片壓點、芯片及連接方法，在兩個接地焊盤分別接地的情況下，額外將兩個接地焊盤的表面連接，保證兩個接地焊盤等電勢，實現(xiàn)更佳的共地效果，減小壓點寄生電感，抑制高頻諧振，降低介質(zhì)損耗和輻射損耗，能夠提高共面波導壓點的信號傳輸性能。

技術特征：

1.一種太赫茲芯片壓點，其特征在于，包括信號焊盤和布設在所述信號焊盤兩側(cè)的兩個接地焊盤；

2.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述兩個接地焊盤的表面通過鍵合金絲連接。

3.如權(quán)利要求2所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述鍵合金絲為u形。

4.如權(quán)利要求3所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述鍵合金絲所在的平面與所述兩個接地焊盤的表面平行。

5.如權(quán)利要求4所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述鍵合金絲與所述兩個接地焊盤的表面上靠近芯片邊緣的一側(cè)連接。

6.如權(quán)利要求5所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述鍵合金絲包括兩個短邊和一個長邊，所述信號焊盤與所述兩個接地焊盤的外邊緣平齊；其中，外邊緣為焊盤表面上靠近芯片邊緣的一側(cè)；

7.如權(quán)利要求1所述的太赫茲芯片壓點，其特征在于，所述兩個接地焊盤分別通過過孔接地。

8.一種太赫茲芯片，其特征在于，具有如權(quán)利要求1至7任一項所述的太赫茲芯片壓點。

9.一種太赫茲芯片壓點的連接方法，其特征在于，應用于如權(quán)利要求1至7任一項所述的太赫茲芯片壓點，所述方法包括：

10.如權(quán)利要求9所述的太赫茲芯片壓點的連接方法，其特征在于，所述信號焊盤與外部微帶線之間的鍵合金絲高于兩接地焊盤之間的鍵合金絲。

技術總結(jié)
本發(fā)明提供一種太赫茲芯片壓點、芯片及連接方法。該太赫茲芯片壓點，包括信號焊盤和布設在信號焊盤兩側(cè)的兩個接地焊盤；兩個接地焊盤分別接地，且兩個接地焊盤的表面連接。本發(fā)明在兩個接地焊盤分別接地的情況下，額外將兩個接地焊盤的表面連接，保證兩個接地焊盤等電勢，實現(xiàn)更佳的共地效果，減小壓點寄生電感，抑制高頻諧振，降低介質(zhì)損耗和輻射損耗，能夠提高共面波導壓點的信號傳輸性能。

技術研發(fā)人員：韓易,曹健,何美林,盧軍廷
受保護的技術使用者：中國電子科技集團公司第十三研究所
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19