專利名稱：：正特性熱敏電阻器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及正特性熱敏電阻器件，更確切地說，涉及一種用于改善抗沖擊電流的熱擊穿特性的技術(shù)。通過將少量雜質(zhì)和添加劑加到鈦酸鋇中去的方式可以得到這樣一種半導(dǎo)體陶瓷，這種半導(dǎo)體陶瓷的電阻具有正溫度特性，即這種特性在溫度高于居里點(diǎn)時使得電阻值急劇上升。這樣一種半導(dǎo)體陶瓷常常被用于提供一些正特性熱敏電阻裝置，這些裝置，用于自動消磁、馬達(dá)啟動、抗過電流保護(hù)、加熱器等。如圖4所述，這種類型的具體的正特性熱敏電阻器件一般具有呈用具有正溫度特性電阻的半導(dǎo)體陶瓷制的圓片狀或類似形狀的正特性熱敏電阻元件11和形成于其兩個主表面上的電極12和13。引線(未示出)借助于焊接或其他手段被連接到每一個電極12和13上。在這種正特性熱敏電阻器件中，當(dāng)將電壓通過電極12和13加到該正特性熱敏電阻元件上時，在該元件中就產(chǎn)生熱量。利用紅外溫度分析儀測量在該正特性熱敏電阻元件11中這樣產(chǎn)生的熱可以指示出在正特性熱敏電阻元件11的中心部分(即內(nèi)區(qū))與靠近兩個主表面和圓周表面的若干部分(即其外區(qū))之間存在一個溫度差，如從用虛線表示的等溫線T可清楚地顯示出的那樣。這樣的溫度差被認(rèn)為是由以下情況造成的。正特性熱敏電阻元件11的主表面與大氣相接觸。在緊靠主表面和圓周表面上的較大量的熱耗散往往會使得這些部分溫度較低，而中心部分往往會由于熱耗散量少而具有較高的溫度。這樣的一種溫度差導(dǎo)致在正特性熱敏電阻元件11的中心部分的溫度高于靠近兩個主表面和圓周表面的那些部分。進(jìn)一步講，在該中心部分要比在靠近兩個主表面和圓周表面的那些部分更容易產(chǎn)生熱應(yīng)力。這使在這些點(diǎn)在不同熱平衡狀態(tài)下的溫度差提高，從而增加了正特性熱敏電阻器件11被擊穿的可能性。尤其是這業(yè)已導(dǎo)致在其中加有相當(dāng)高的沖擊電流的應(yīng)用場合(例如自動消磁、馬達(dá)啟動和抗過電流保護(hù))正特性熱敏電阻元件11的突然出穿的問題。本發(fā)明一直被設(shè)想涉及上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種具有極好的熱擊穿性能的正特性熱敏電阻器件。按照本發(fā)明提供了一種具有正特性熱敏電阻器件和若干形成于該正特性熱敏電阻元件的主表面上的若干電極的正特性熱敏電阻器件，其特征在于上述目的是通過提供具有內(nèi)區(qū)和外區(qū)的正特性熱敏電阻元件和通過將外區(qū)的孔隙率設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)的方式實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)以上所述的在其中正特性熱敏電阻元件的外區(qū)較其內(nèi)區(qū)具有較高的孔隙擁有率的布局，靠近兩個主表面和圓周表面的若干部分(即外區(qū))的溫度高于中心部分(即內(nèi)區(qū))，這是由于這些部分與中心部分相比較熱傳導(dǎo)路徑較少，因此比電阻較高。這降低了正特性熱敏電阻元件的中心部分和靠近兩個主表面和圓周表面的若干部分的溫度差，從而降低了它在不同平衡狀態(tài)下的差別。此外，在這種情況下，遍布該正特性熱敏電阻元件的孔隙吸收或減少了在其中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，這就降低了正特性熱敏電阻元件的熱擊穿的可能性。圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的結(jié)構(gòu)的側(cè)視截面圖。圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的結(jié)構(gòu)的側(cè)視截面圖。圖3是顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)側(cè)視截面圖。圖4是顯示按照已有技術(shù)的正特性熱敏電阻器件的結(jié)構(gòu)的側(cè)視截面圖。現(xiàn)在，將參照各個附圖來說明本發(fā)明的一些最佳實(shí)施例。圖1是用于顯示根據(jù)本發(fā)明的第一個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的側(cè)視截面圖。這個正特性熱敏電阻器件包括由具有正溫度特性電阻值的半導(dǎo)體陶瓷構(gòu)成的正特性熱敏電阻元件1，該元件呈片狀，例如圓片狀，其外表面是由二個主表面和若干圓周表面構(gòu)成并包括形成于相應(yīng)的主表面上的電極2和3。引線(未示出)借助于焊接或類似手段與電極2和3之中的每一個相連。正特性熱敏電阻元件1具有扁平的或平板形的內(nèi)區(qū)4(即其中心部分)以及扁平的或平板形的外區(qū)5和6(即靠近兩個主表面的部分)，這兩個區(qū)沿元件的厚度方向被松開。外區(qū)5和6的孔隙擁有率被設(shè)定高于中心區(qū)4。更具體地講，正特性熱敏電阻元件1包括具有預(yù)定的孔隙擁有率值(例如11-13％)的內(nèi)區(qū)4和具有預(yù)定的孔隙擁有率(例如14-15％)的外區(qū)5和6，外區(qū)5和6被設(shè)置在電極2和3與內(nèi)區(qū)4之間。外區(qū)5和6在這個正溫度特性熱電阻電件1的兩個主表面上被暴露，在這個實(shí)施例的元件的圓周表面上暴露出內(nèi)區(qū)4和外區(qū)5和6之間的界面。內(nèi)區(qū)4和外區(qū)5和6的孔隙擁有率不限于以上所述的值，例如，外區(qū)5和6的孔隙擁有率可以為大約19％。簡單地講，在正特性熱敏電阻裝置中孔隙的尺寸和數(shù)量可以隨意設(shè)置，條件是外區(qū)5和6的孔隙擁有率高于內(nèi)區(qū)4的孔隙擁有率。說明將根據(jù)制造具有上述結(jié)構(gòu)的正特性熱敏電阻器件的步驟來進(jìn)行。第一個步驟是制備一個第一熱敏電阻材料X(例如Ba·Sr·Pb·Ca·Y·Mn)Ti·O3+SiO2，以及第二熱敏電阻材料Y，Y是通過將約2％(按重量計(jì))的直徑約為10-30μm、主要由PMMA(聚異丁烯酸甲酯)構(gòu)成的球形樹脂粒加到第一熱敏電阻材料X中得到的。該樹脂粒是否滿足上述條件并不是實(shí)質(zhì)性的，它們只需滿足這樣一些要求就可以，這些要求包括它們的主要構(gòu)成成分在經(jīng)燒結(jié)后消失以及它們的尺寸使得可以形成較通常包含在半導(dǎo)體陶瓷中的孔隙更大的孔隙。此外，被加入的樹脂粒的量可以根據(jù)所需要的特性適當(dāng)?shù)剡M(jìn)行設(shè)定。例如，可以將約1％(按重量計(jì))的樹脂粒子加到第一熱敏電阻材料X中，而將2％(按重量計(jì))的樹脂粒子加到第二熱敏電阻材料Y中。其次，利用干式模壓機(jī)對第一和第二熱敏電阻材料X和Y進(jìn)行模壓。特別是如下所述那樣得到模壓元件。(1)首先，將預(yù)定量的(即，約0.62g)的第二熱敏電阻材料Y填充到構(gòu)成所述干式壓力機(jī)的部件的金屬模具中，然后在大約40MPa那樣低的預(yù)定壓力下進(jìn)行壓制，以便形成相應(yīng)于正特性熱敏電阻元件1的外區(qū)5的部件。(2)其次，將預(yù)定量的(即，約0.62g)的第一熱敏電阻材料X填充到處在金屬模具中的相應(yīng)于外區(qū)5的部件上，而后在大約40MPa那樣低的壓力下進(jìn)行壓制，以便形成相應(yīng)于正特性熱敏電阻元件1的內(nèi)區(qū)4的部件。(3)接下去，將預(yù)定量的(即，約0.62g)的第二熱敏電阻材料Y填充到處在金屬模具中的相應(yīng)于內(nèi)區(qū)4的部件上，而后，在120MPa那樣高的壓力下進(jìn)行壓制，以便形成相應(yīng)于正特性熱敏電阻元件1的外區(qū)6的部件。此時，基本上完成了對這些部件壓制工作，得到模壓元件。而后，將所得到的模制元件在大約1340℃的溫度下進(jìn)行燒結(jié)，以便得到正特性熱敏電阻元件1。在燒結(jié)過程中，被加到第二熱敏電阻材料中的樹脂粒消失了，在它們原來占據(jù)的位置上留下若干孔隙。這樣，正特性熱敏電阻元件1的外區(qū)5和6的孔隙擁有率就被設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)4。具體講，如果在第二熱敏電阻材料Y加入的是2％(按重量計(jì))的直徑為20μm的樹脂粒，那么由第二熱敏電阻材料Y構(gòu)成的外區(qū)5和6的孔隙擁有率為14～15％。另一方面對于由未加樹脂粒的第一種熱敏電阻材料X制成的內(nèi)區(qū)4來說，孔隙擁有率為11～13％。顯然，增加所加入的樹脂粒的量可以增加孔隙，以及減少所加入的樹脂粒的量就可以減少孔隙。進(jìn)一步，如果在將導(dǎo)電膠涂在正特性熱敏電阻元件1的兩個主表面上之后進(jìn)行燒結(jié)，那么，就得到具有形成于其上的由Ni-Ag或類似材料構(gòu)成的電極2和3的正特性熱敏電阻器件。通過這些步驟生產(chǎn)的正特性熱敏電阻器件直徑為14mm，而厚度為2mm。而后，發(fā)明人測量了具有圖1所示結(jié)構(gòu)，通過根據(jù)本實(shí)施例的那些步驟制造的正特性熱敏電阻器件的瞬間耐擊穿電壓(V)(即抗沖擊電流電壓)，測量的是其電阻(Ω)和熱擊穿電壓(V)。表1示出了這種測量的結(jié)果。表1還示出作為對照例子的包括僅由熱敏電阻材料X構(gòu)成的正特性熱敏電阻元件的正特性熱敏電阻器件的電阻(Ω)和耐擊穿電壓(V)。所示耐擊穿電壓是按照以下方式得到的。加100V電壓5秒鐘，在溫度降低至與常溫相同后，測量正特性熱敏電阻元件1的電阻。若所測得的電阻與初始電阻相同，在提高了的若干電壓下重復(fù)同樣的測量，以便得到這樣一個電壓，在該電壓下被測電阻出現(xiàn)變化。表1</tables>從表1可以清楚地看出該實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件業(yè)已得到改進(jìn)，它具有500V耐擊穿電壓，是對照例的正特性熱敏電阻器件的耐擊穿電壓(280V)的1.8倍。具體地說，構(gòu)成該實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的正特性熱敏電阻元件1具有內(nèi)區(qū)4(即其中心部分)和外區(qū)5和6(即靠近其兩個主表面的部分)，它們沿元件厚度方向分開，并且外區(qū)5和6的孔隙擁有率被設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)4。結(jié)果，靠近正特性熱敏電阻元件1的兩個主表面的那些部分與中心部分相比較熱傳導(dǎo)通路少，而比電阻較高。這使得這些部分的溫度升高，而在中心部分和靠近兩個主表面的那些部分之間的溫度差相應(yīng)地降低，從而減少了該元件在不同平衡狀態(tài)下的差別。同時，遍布正特性熱敏電阻元件1的孔吸收或減弱了在其中產(chǎn)生的應(yīng)力。耐擊穿電壓的改進(jìn)被認(rèn)為可歸因于上述結(jié)構(gòu)。在用于制造根據(jù)該實(shí)施例的正特性熱敏電阻元件的以上所述步驟中，作為正特性熱敏電阻元件1的模壓元件是使用干式模壓機(jī)制造的。用另一種方法，該模壓元件可以通過使用已知的擠壓成形工藝、scalpel-blade工藝或其他類似工藝制成在其中加有不同量的樹脂粒的一種未燒結(jié)的陶瓷片多層體，而后將這些未經(jīng)燒結(jié)陶瓷片疊起來并進(jìn)行接觸粘合而制成。盡管并沒有顯示出來，通過這樣一些步驟來制造模壓元件提供了這樣的一種優(yōu)點(diǎn)，這種優(yōu)點(diǎn)就是可以制成由在其厚度方向上被分開的那些層的多層體構(gòu)成正特性熱敏電阻元件，并且孔隙擁有率可以設(shè)定得連續(xù)上升，使得外面一層的孔隙擁有率高于里面的一層。圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的第二個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。和第一個實(shí)施例一樣，這個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件包括一個呈圓片形、由具有正溫度特性熱敏電阻的半導(dǎo)體陶瓷構(gòu)成的正特性熱敏電阻元件并包括形成于兩個主表面上的、與引線(未示出)相連接的電極2和3。與圖1的部件相同或相應(yīng)的圖2中的那些部件用相同的標(biāo)號表示，在這里不做詳細(xì)描述說明。構(gòu)成這個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的正特性熱敏電阻元件1包括設(shè)置在兩個主表面伸展方向上元件1的中心的圓柱形中心部分的內(nèi)區(qū)7，并包括圍繞內(nèi)區(qū)7的側(cè)面設(shè)置的靠近其圓周表面的部分的環(huán)形外區(qū)8。外區(qū)8的孔隙擁有率被設(shè)定的高于內(nèi)區(qū)7的孔隙擁有率。內(nèi)區(qū)7和外區(qū)8之間的邊界暴露在這個正特性熱敏電阻元件1的兩個主表面上，而外區(qū)8暴露在元件的圓周表面上。內(nèi)區(qū)7的孔隙擁有率大約為11-13％，而外區(qū)8的孔隙擁有率約14-15％。在這個實(shí)施例中，正特性熱敏電阻元件1是由內(nèi)區(qū)7(即其中心部分)和外區(qū)8(即靠近元件的圓周表面的那些部分)構(gòu)成的，并且將外區(qū)8的孔隙擁有率設(shè)定的高于內(nèi)區(qū)7的孔隙擁有率。結(jié)果，靠近正特性熱敏電阻元件的圓周表面那些部分與中心部分相比較導(dǎo)熱通路較少并因此比電阻較高。這導(dǎo)致了在這些部分溫度升高以及在中心部分與靠近兩個主表面的那些部分之間的溫差相應(yīng)地降低，從而減少了在元件的不同熱平衡狀態(tài)下的差別。此外，遍布正特性熱敏電阻元件1的孔隙吸收或減弱在其中產(chǎn)生的熱應(yīng)力。結(jié)果，熱擊穿特性得到改善。圖3是用于顯示根據(jù)本發(fā)明的第三個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視圖。與第一和第二個實(shí)施例一樣，這個實(shí)施例的正特性熱敏電阻器件包括由具有正溫度特性電阻的半導(dǎo)體陶瓷制成的正特性熱敏電阻元件1，該元件呈板狀、例如圓片狀，其外表面由兩個主表面及圓周表面構(gòu)成，該裝置還包括形成于兩個主表面之上、與引線相連的電極2和3。在圖3中與圖1中相同或相對應(yīng)的部件用相同的標(biāo)號表示，在這里不作詳細(xì)描述。正特性熱敏電阻元件1包括設(shè)置在元件1的在厚度方向上和其兩主表面擴(kuò)展方向上該元件的中心的中心部分的內(nèi)區(qū)9并包括包圍內(nèi)區(qū)9的、即、形成圍繞內(nèi)區(qū)9的兩主表面和圓周表面上的部分的外區(qū)10。外區(qū)10的孔隙擁有率被設(shè)定的高于內(nèi)區(qū)9。具體講，本實(shí)施例的正特性熱敏電阻元件1是由孔隙擁有率為11～13％的內(nèi)區(qū)9和圍繞內(nèi)區(qū)9的整個周邊設(shè)置的孔隙擁有率為14～15％的外區(qū)10構(gòu)成。只有外區(qū)被暴露在該正特性熱敏電阻元件1的兩個主表面和圓周表面上。因?yàn)樵搶?shí)施例的正特性熱敏電阻元件1包括具有被設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)9的孔隙擁有率的外區(qū)10，作為外區(qū)10的、靠近兩個主表面和圓周表面的那些部分同作為內(nèi)區(qū)9的中心部分比較具有較少的導(dǎo)電通路因此有較高的比電阻。這導(dǎo)致了這些部分的溫度升高和這些區(qū)間和中心部分之間的溫差的降低，從而減少了其溫度平衡狀態(tài)方面的差別。此外，所產(chǎn)生的熱應(yīng)力被這些孔隙吸收或減弱。結(jié)果，如在第一個實(shí)施例和第二個實(shí)施例中那樣熱擊穿特性得到改善。本發(fā)明不限于以上具體描述的那些實(shí)施例。不用說，在本發(fā)明的原理的范圍之內(nèi)，還會有各種各樣的應(yīng)用和修改。例如，可以在內(nèi)區(qū)外側(cè)設(shè)置二個或更多個外區(qū)，以便形成正特性熱敏電阻元件。這種布局也可以應(yīng)用于第一個實(shí)施例，以便提供這樣一種結(jié)構(gòu)，在這種結(jié)構(gòu)中，由2個或多個具有不同孔隙擁有率的外區(qū)構(gòu)成了分別設(shè)置在兩電極和內(nèi)區(qū)之間的每個外區(qū)5和6。當(dāng)使用這樣一種結(jié)構(gòu)時，最好使孔隙擁有率隨距內(nèi)區(qū)4的距離的增加而增加。此外，盡管在以上這些實(shí)施例中，內(nèi)區(qū)和外區(qū)兩者都是由具有基本上相同的組分的熱敏電阻材料構(gòu)成，不用說它們也可以由具有不同成分的材料并且用不同的工藝制成。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的正特性熱敏電阻器件中，形成其一部分的外區(qū)的孔隙擁有率高于內(nèi)區(qū)。結(jié)果，靠近兩主表面及其圓周表面的、作為外區(qū)的若干部分同作為內(nèi)區(qū)的中心部分相比較具有較少的導(dǎo)熱通路并因此具有較高的比電阻。這導(dǎo)致靠近兩主表面及其圓周表面的那些部分的溫度的升高值大于中心部分。這樣降低了中心部分與靠近兩主表面及其圓周表面的部分之間的溫度差并因此降低了其熱不同平衡狀態(tài)方面的差別。因此，就提供了一種可改進(jìn)抗沖擊電流的特性的優(yōu)點(diǎn)。此外，本發(fā)明使得可以利用孔隙吸收或消弱在正特性熱敏電阻元件中產(chǎn)生的熱應(yīng)力，減少該正特性熱敏電阻元件發(fā)生擊穿的可能性。這樣就使得正特性熱敏電阻的熱擊穿特性得到改善。盡管業(yè)已對本發(fā)明若干具體的實(shí)施例作過了顯示和說明，但是對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說，在本發(fā)明的較為廣泛的若干方面在不脫離本發(fā)明的前提下，顯然還可以作出若干變動和修改。因此，本發(fā)明的權(quán)利要求書將所有這些變動和修改基本上包括在其范圍之中。權(quán)利要求1.一種正特性熱敏電阻器件，它包括正特性熱敏電阻元件，以及形成在所述正特性熱敏電阻元件的若干主表面上的若干電極，其特征在于所述正特性熱敏電阻元件包括內(nèi)區(qū)和外區(qū)，并且所述外區(qū)的孔隙擁有率被設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)的孔隙擁有率。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述外區(qū)包括所述正特性熱敏電阻元件的處在所述內(nèi)區(qū)和所述電極之一之間的一部分以及所述正特性熱敏電阻元件的處在所述內(nèi)區(qū)和所述電極中的另一個之間的另一部分。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于所述正特性熱敏電阻元件的所述的那些部分呈平面層狀。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述正特性熱敏電阻元件沿其厚度方向被分為構(gòu)成外區(qū)的若干部分和構(gòu)成內(nèi)區(qū)的一部分。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述外區(qū)包括所述正特性熱敏電阻元件的周邊部分，而所述內(nèi)區(qū)包括所述正特性熱敏電阻元件的中心部分。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的器件，其特征在于所述內(nèi)部呈圓柱形，而所述外部呈環(huán)形。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于所述外區(qū)將所述內(nèi)區(qū)完全包圍。8.一種正特性熱電阻器件，包括正特性熱敏電阻元件，以及形成在所述正特性熱敏電阻元件的若干主表面上的若干電極，其特征在于，孔隙擁有率被設(shè)定得連續(xù)地增加，使得相對于內(nèi)層來說，外層具有較高的孔隙擁有率。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于所述這些層是平的。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于所述這些層包括若干圓柱環(huán)形層。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于所述那些外層包圍那些內(nèi)層。12.一種熱敏電阻器件，包括熱敏電阻元件，以及形成在所述熱敏電阻元件的若干表面上的若干電極，其特征在于，所述熱敏電阻元件包括內(nèi)區(qū)和外區(qū)，并且所述外區(qū)的孔隙擁有率被設(shè)定得高于所述內(nèi)區(qū)的孔隙擁有率。13.一種制造正特性熱敏電阻元件的方法，其特征在于包括如下步驟制備第一熱敏電阻材料，制備第二熱敏電阻材料，將所述第一和第二熱敏電阻材料模壓成形，以及焙燒所得到的模壓元件，以便得到所述正特性熱敏電阻元件。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述制備第二熱敏電阻材料的步驟包括將樹脂粒加到所述第一熱敏電阻材料中。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述制備第二熱敏電阻材料的步驟包括將約2％(按重量計(jì))的直徑約為10-30μm并且含有聚甲基丙烯酸甲酯的球形樹脂粒加到第一熱敏電阻材料中。16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述制備第二熱敏電阻材料的步驟包括向第一熱敏電阻材料中加入一種具有焙燒步驟后可以消失的主要組分的材料。17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述制備第二熱敏電阻材料的步驟包括向第一熱敏電阻材料中加入這樣一種物質(zhì)，這種物質(zhì)具有在焙燒步驟后可以消失的主要組分并且其形狀和尺寸使得可以形成大于處在第一熱敏電阻材料中的孔隙的孔隙。18.根據(jù)權(quán)利要求13所術(shù)的方法，其特征在于所述模壓工藝包括如下步驟將預(yù)定量的所述第二熱敏電阻材料放入構(gòu)成干式模壓機(jī)的一個部件的模具中，對所述模中的所述第二熱敏電阻材料加壓，以便形成第一部件，將一預(yù)定量的第一熱敏電阻材料放在壓制成的第一部件上，對所述模具中的所述第一和第二熱敏電阻材料加壓，以便形成一個組合的第一和第二部件，將一預(yù)定量的所述第二熱敏電阻材料放在所述組合的第一和第二部件上，以及而后對的述模具中的所述第一和第二熱敏電阻材料加壓，以便形成所述正特性熱敏電阻元件。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于所述對所述模具中的所述第一和第二材料加壓形成所述正特性熱敏電阻元件的步驟是在高于其他加壓步驟的壓力下進(jìn)行的。20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述制備第二熱敏電阻材料的步驟包括向第一熱敏電阻材料中加入一種具有在焙燒步驟后可以消失的主要組分的材料，并且其形狀和尺寸使得可以形成比所述第一熱敏電阻材料中的孔隙數(shù)目更多的孔隙數(shù)目。全文摘要本發(fā)明提供了一種具有極好的熱擊穿特性的正特性熱敏電阻器件。根據(jù)本發(fā)明，正特性熱敏電阻器件具有正特性熱敏電阻元件1和形成在該正特性熱敏電阻元件1的二個主表面上的電極2和3。該正特性熱敏電阻元件1包括內(nèi)區(qū)4和外區(qū)5和6以及外區(qū)5和6的孔隙擁有率被設(shè)定得高于內(nèi)區(qū)4的孔隙擁有率。文檔編號H01C7/02GK1152785SQ9611098公開日1997年6月25日申請日期1996年6月28日優(yōu)先權(quán)日1995年6月29日發(fā)明者平野篤,黑田茂之,田中謙次申請人:株式會社村田制作所