專利名稱：固態(tài)天線開關(guān)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)射和接收電路上的選擇耦合天線的固態(tài)開關(guān)，以及一種用于這種開關(guān)和其他開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
例如時(shí)分多路訪問(TDMA)數(shù)字無線電話機(jī)的天線須能夠在發(fā)送和接收功能之間快速地切換。由于機(jī)電開關(guān)速度太慢，所以通常使用由二極管或三極管所組成的固態(tài)開關(guān)。尤其是由場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成的橋式網(wǎng)絡(luò)可以作為天線開關(guān)。該網(wǎng)絡(luò)可作為一個(gè)雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)，交替地將發(fā)射和接收電路耦合到天線和地線。
為避免發(fā)射功率損失，和提供充分的接地耦合，這種開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)管須在導(dǎo)通時(shí)具有低阻抗。然而，為防止發(fā)射信號(hào)耗散到接收電路，該晶體管須在截止時(shí)具有很高的阻抗。由于低阻抗來源于短溝道，而高阻抗通常需要長溝道，因此存在著矛盾。為了將接收電路和控制電路與發(fā)射器高功率的輸出隔離，該晶體管的源-漏極之間和柵-漏極之間必須具有高擊穿電壓，但這通常也需要有長溝道，與低導(dǎo)通阻抗的要求相矛盾。
因此本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種固態(tài)天線開關(guān)，該開關(guān)即有低阻抗耦合又有良好的隔離。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種同時(shí)具有低導(dǎo)通阻抗和高源-漏極擊穿電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種同時(shí)具有低導(dǎo)通阻抗和高柵-漏極擊穿電壓的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管如通常的場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣具有半導(dǎo)體基片，源區(qū)，溝道，漏區(qū)，源極，柵極，和漏極。和一般場(chǎng)效應(yīng)管一樣，所有這些部分都被絕緣層所覆蓋。在絕緣層上做有一個(gè)覆蓋電極，起碼覆蓋在柵極和漏區(qū)之間的溝道的一部分。當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)，一個(gè)電壓施加在覆蓋電極上，當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管截止時(shí)，另一電壓施加在該極上。截止?fàn)顟B(tài)下所施加的電壓產(chǎn)生阻礙電流在溝道中流動(dòng)的電場(chǎng)。
本發(fā)明的天線開關(guān)具有將天線耦合到接收電路的第一場(chǎng)效應(yīng)管，和將天線耦合到發(fā)射電路的第二場(chǎng)效應(yīng)管。第一場(chǎng)效應(yīng)管是屬于本發(fā)明的類型。
在附圖中

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖；圖2是普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖；圖3說明本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源-漏電壓特性；圖4說明本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和普通場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵-漏電壓特性；圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖；圖6是本發(fā)明第三實(shí)施例的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖；圖7是本發(fā)明第四實(shí)施例的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的剖面圖；圖8是本發(fā)明天線開關(guān)實(shí)施例的示意圖；圖9表示接受狀態(tài)下的天線開關(guān)；圖10表示發(fā)射狀態(tài)下的天線開關(guān)。
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。首先將講解本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施例，然后講解本發(fā)明的天線開關(guān)的實(shí)施例。
參看附圖1，第一實(shí)施例是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該晶體管由砷化鎵基片1，n+源區(qū)2，溝道3，n+漏區(qū)4，源極5，柵極6，漏極7，絕緣層8，和新型覆蓋電極9組成。從源區(qū)2到柵極6的距離Lsg和從柵極6到漏區(qū)4的距離Lgd相等，均為1微米(1μm)。
圖1中絕緣層8是厚度大約為1000埃(1000A)的氮化硅(SiN)層。新型覆蓋電極9是包括鈦，鉑，金或它們的合金的、構(gòu)成圖案的金屬膜。覆蓋電極9覆蓋整個(gè)溝道3甚至更大，從源極5上的一點(diǎn)覆蓋到漏極7上的一點(diǎn)。
柵極6和覆蓋電極9具有連接到外控制電路(圖中未畫出)的相關(guān)的接觸點(diǎn)(圖中未畫出)，該控制電路可以在柵極6上施加?xùn)艠O電壓Vg，在覆蓋電極9上施加控制電壓Vc。源極5和漏極7也具有連接到外部電路的接觸點(diǎn)(圖中未畫出)。
當(dāng)該晶體管在正的柵極電壓Vg作用下導(dǎo)通時(shí)，覆蓋電極9上同時(shí)施加正的控制電壓Vc。柵極6和覆蓋電極9上的正電壓所產(chǎn)生的電場(chǎng)將載流子(在這里是電子)拉入溝道3，使得源區(qū)2和漏區(qū)4之間有電流流過。
當(dāng)該晶體管柵極6接地電位或負(fù)電壓而截止時(shí)，在覆蓋電極9上施加負(fù)電壓Vc。該負(fù)電壓Vc所產(chǎn)生的電場(chǎng)將載流子推出溝道3，因此阻礙源區(qū)2和漏區(qū)4之間的電流流動(dòng)。
在第一實(shí)施例的改型中，柵極6和覆蓋電極9是內(nèi)部連接的，外部控制電路在電極6和9上同時(shí)施加單一的柵極電壓Vg。
作為比較，圖2顯示了常規(guī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該晶體管的標(biāo)號(hào)與圖1中相同。除了缺少覆蓋電極外，常規(guī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管與第一實(shí)施例相同。我們將省略對(duì)圖2常規(guī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中各個(gè)元件和圖1中相應(yīng)元件的詳細(xì)的敘述。
圖1中晶體管的對(duì)稱性使得兩個(gè)n+區(qū)2和4可以互換即2區(qū)可以作為源區(qū)也可以作為漏區(qū)，同樣4區(qū)可以作為源區(qū)也可以作為漏區(qū)。對(duì)于圖2也是一樣。當(dāng)把該晶體管加到一個(gè)集成電路中時(shí)，對(duì)稱性是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)，它使得電路的設(shè)計(jì)簡單化，通常能夠減小集成電路的尺寸。
圖3舉例說明在圖1和圖2中對(duì)稱的晶體管的源-漏電壓(Vds)之間的關(guān)系，圖中橫軸表示源-漏電壓(Vds)，縱軸為源-漏電流(Ids)。
圖中實(shí)線11是圖2中常規(guī)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)的特性。虛線12是第一實(shí)施例(圖1)的柵極6和覆蓋電極9具有同樣的正電壓時(shí)導(dǎo)通狀態(tài)的特性。根據(jù)特性曲線11和12可以得到該晶體管的導(dǎo)通電阻。
實(shí)線13是常規(guī)晶體管的截止?fàn)顟B(tài)的特性。虛線14是第一實(shí)施例當(dāng)負(fù)10伏的控制電壓(-10V)加在覆蓋電極9上時(shí)截止?fàn)顟B(tài)的特性。截止?fàn)顟B(tài)的特性曲線13和14是漏電流特性曲線，在理想狀態(tài)下，該晶體管截止時(shí)應(yīng)無電流流過。
如圖3所示，常規(guī)晶體管和本發(fā)明的第一實(shí)施例的源-漏電壓電流特性在某一電壓值V1之前是相同的，在該電壓點(diǎn)常規(guī)晶體管的源-漏開始擊穿。這種擊穿導(dǎo)致了常規(guī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的截止?fàn)顟B(tài)的漏電流急劇上升。而本發(fā)明的第一實(shí)施例即使在高于電壓V1時(shí)也繼續(xù)保持良好的源-漏之間的隔離，只有很小的漏電流流過。
圖4表示當(dāng)源極5開路(非連接)時(shí)，圖1和圖2中所示晶體管的柵-漏電壓(Vgd)和反相柵-漏電流(Igdo)之間的關(guān)系，圖中橫軸表示柵-漏電壓(Vgd)，縱軸為反相柵-漏電流(Igdo)。其中實(shí)線15是常規(guī)晶體管的特性曲線。虛線16是當(dāng)覆蓋電極9上加有-3伏的控制電壓Vc時(shí)第一實(shí)施例的特性曲線。點(diǎn)劃線17是當(dāng)控制電壓Vc為-10V時(shí)第一實(shí)施例的特性曲線。常規(guī)的晶體管在電壓為V2時(shí)出現(xiàn)柵-漏擊穿。而對(duì)于第一實(shí)施例來說，當(dāng)Vc為-3V時(shí)，柵-漏擊穿電壓高于電壓V3，當(dāng)Vc為-10伏時(shí)，柵-漏出現(xiàn)擊穿時(shí)所達(dá)到的電壓將更高(圖中未畫出)。
如圖3和圖4所示，在沒有增加擊穿點(diǎn)以下的導(dǎo)通電阻的情況下，第一實(shí)施例中的覆蓋電極9大大地改善了源-漏和柵-漏之間的擊穿特性。
如果給覆蓋電極9提供單獨(dú)的控制電壓Vc不方便的話，則可按上面提到的將覆蓋電極9從內(nèi)部連接到柵極6上。雖然對(duì)于擊穿特性的改善是有限的，但它不需要晶體管有額外的端子和引線，并且可以象控制常規(guī)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管一樣精確地控制該晶體管。
在另一情況之下，覆蓋電極9能夠使第一實(shí)施例滿足低的導(dǎo)通阻抗和非常高的截止阻抗的要求。
圖5舉例說明本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的第二個(gè)實(shí)施例，在說明中，除覆蓋電極之外，均使用與圖1相同的標(biāo)號(hào)。第一實(shí)施例與第二實(shí)施例的不同之處在于在第二實(shí)施例中，覆蓋電極18只從柵極6的一點(diǎn)延伸到漏極7上的一點(diǎn)，因此僅覆蓋柵極6和漏區(qū)4之間所暴露的溝道3的那一部分。與第一實(shí)施例一樣，覆蓋電極18可以獨(dú)立地連接到外部控制電路，或在內(nèi)部與柵極6相連。
在第二實(shí)施例的改型中，覆蓋電極18僅覆蓋從柵極6到漏極7的區(qū)域的一部分。
第二實(shí)施例提供與第一實(shí)施例相似的改進(jìn)的擊穿特性。尤其是對(duì)于在柵-漏擊穿電壓上所得到的改善與第一實(shí)施例相同。另外，由于在n+源區(qū)2或源極5上沒有直接覆蓋電極18的一部分，所以源極和覆蓋電極之間的耦合電容大大地減小了。
在第一實(shí)施例中，雖然晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下，僅有非常小的直流電流流過，但是由于在源極與漏極5，7到覆蓋電極9之間有不需要的容性耦合的存在，所以從漏極7到源極5有微弱的交流電流過。第二實(shí)施例則基本上消除了這種容性耦合 鏈路的一部分，因此改善了源極5對(duì)交流波形、例如，有可能加到漏極7的載波信號(hào)波形的隔離。
圖6使用與圖1相同的標(biāo)號(hào)說明第三實(shí)施例。第三實(shí)施例除了晶體管是非對(duì)稱之外，與第一實(shí)施例完全一樣從柵極6到漏區(qū)4的距離Lgd大于從源區(qū)2到柵極6的距離Lsg。典型值Lsg為1微米，Lgd為2微米。與第一實(shí)施例相同，覆蓋電極9既可接到獨(dú)立的控制電壓Vc，也可以在內(nèi)部與柵極相連接，并連接到柵電壓Vg。
第三實(shí)施例中距離Lgd的增加使得溝道3的長度增加，導(dǎo)致在某種程度上導(dǎo)通電阻的增加，但同時(shí)也增加了截止?fàn)顟B(tài)的擊穿電壓。特別是當(dāng)?shù)谌龑?shí)施例中Lgd增加一倍，則導(dǎo)通電阻實(shí)際上增加33％，而源-漏擊穿電壓將有20％的改善(增加)，柵-漏擊穿電壓將有40％的改善(增加)。
圖7使用與圖5中相同的標(biāo)號(hào)說明第四實(shí)施例，第四實(shí)施例除了象第三實(shí)施例那樣Lgd大于Lsg外，與第二實(shí)施例完全相同。第四實(shí)施例結(jié)合了第二和第三實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)即，減小了源區(qū)和漏區(qū)之間的耦合電容，改善了源-漏和柵-漏的擊穿特性。因此在截止?fàn)顟B(tài)下第四實(shí)施例可提供良好的交流電流和直流電流隔離性能，而僅稍微增加一點(diǎn)導(dǎo)通狀態(tài)電阻。
下面將敘述本發(fā)明天線開關(guān)的一個(gè)實(shí)施例。本實(shí)施例中天線連接到某一設(shè)備如便攜式電話機(jī)的發(fā)射和接收電路。
參看圖8，天線開關(guān)20包括由四個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1到Q4所組成的橋式網(wǎng)絡(luò)。每一個(gè)晶體管的源極和漏極分別由字母S和D表示。晶體管Q1和Q4具有第四實(shí)施例那樣的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)。晶體管Q2和Q3是如圖2所示的那種沒有覆蓋電極的常規(guī)對(duì)稱的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
天線21連接到晶體管Q1和Q2的漏極。接收電路(RX)22連接到晶體管Q1的源極和Q3的漏極。發(fā)射電路(TX)23連接到晶體管Q2的源極和晶體管Q4的漏極。晶體管Q3和Q4的漏極連接到地端24。這里省略了連接到晶體管柵極和覆蓋電極的控制電路，以免無關(guān)的細(xì)節(jié)妨礙對(duì)本發(fā)明的理解。
圖9和圖10是說明本發(fā)明天線開關(guān)工作的網(wǎng)絡(luò)圖。
在接受狀態(tài)，如圖9中實(shí)線所示，晶體管Q1和Q4導(dǎo)通，同時(shí)如圖中虛線所示，晶體管Q2和Q3截止。由于接收電路22本身具有很高的輸入阻抗，所以晶體管Q4導(dǎo)通電阻輕微的增加在此狀態(tài)下沒有問題。由于發(fā)射電路23在接收狀態(tài)下被關(guān)閉，所以晶體管Q4導(dǎo)通電阻輕微的增加在此狀態(tài)下也沒有問題。天線21接收的信號(hào)肯定是一種低電壓信號(hào)，所以晶體管Q2和Q3一般的擊穿特性可以滿足防止接收信號(hào)功率耗散到發(fā)射電路23和地端24的要求。
在發(fā)射狀態(tài)下，如圖10中實(shí)線所示，晶體管Q2和Q3導(dǎo)通，同時(shí)如圖中虛線所示，晶體管Q1和Q4截止。由于常規(guī)晶體管Q2的低導(dǎo)通電阻，發(fā)射電路23所輸出的大功率，高頻信號(hào)載波耦合到天線21，其損耗很小。新型晶體管Q1和Q4阻斷了這個(gè)信號(hào)與接收電路22或地之間的耦合。由于這些晶體管具有高源-漏擊穿電壓，所以直流電流耦合被阻斷，同時(shí)，由于他們的覆蓋電極僅覆蓋了柵極和漏區(qū)的之間的區(qū)域，所以也阻斷了電容耦合，基本上消除了到源極的電容耦合。因此在天線開關(guān)20上只有非常小的發(fā)射功率損失。
另外，在發(fā)射狀態(tài)，接收電路22通過晶體管Q3連接到地端24。由于晶體管Q3的導(dǎo)通電阻比接收電路22的輸入阻抗更低，所以，通過晶體管Q1耗散的很小量的發(fā)射功率幾乎完全分流到地；實(shí)際上沒有耗散功率進(jìn)入接收電路22。
通過既使用常規(guī)對(duì)稱型場(chǎng)效應(yīng)晶體管又使用帶有覆蓋電極的非對(duì)稱新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，本發(fā)明的天線開關(guān)20可以將低的天線導(dǎo)入損失和優(yōu)良的接收電路22與發(fā)射電路23之間的隔離性能結(jié)合在一起。
至此已對(duì)與天線開關(guān)電路有關(guān)的本發(fā)明進(jìn)行了敘述，但本發(fā)明也可以應(yīng)用于大量的其他電路中。
本發(fā)明的場(chǎng)效應(yīng)晶體管可應(yīng)用于要求具有良好的隔離性能的任何類型的電路中，包括微波調(diào)制解調(diào)電路，微波開關(guān)，和以微波頻率使直流功率斷續(xù)的逆變器。如果縮短晶體管柵區(qū)的長度以提高截止頻率fT，則該管可以在很高的頻率下工作。
圖8中的電路結(jié)構(gòu)一般可用于雙刀雙擲開關(guān)并不只限于天線開關(guān)。
本發(fā)明的晶體管的半導(dǎo)體基片不限于砷化鎵。也可使用其他合成半導(dǎo)體材料，如磷化銦(InP)和砷化鎵銦(InGaAs)。(InP和InGaAs具有優(yōu)良的高頻特性。)本發(fā)明也可以使用硅半導(dǎo)體基片，和用P溝道晶體管代替n溝道晶體管。
本專業(yè)的技術(shù)人員將知道在下面提出的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行其他的變更。
權(quán)利要求
1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括半導(dǎo)體基片(1)，在半導(dǎo)體基片上形成的源區(qū)(2)和漏區(qū)(4)，在半導(dǎo)體基片上源區(qū)和漏區(qū)之間傳導(dǎo)電流的溝道(3)，位于該溝道的一部分之上、在半導(dǎo)體基片上形成的用來控制所述電流的柵極(6)，和覆蓋半導(dǎo)體基片和柵極的絕緣層(8)，其特征在于該晶體管還包括在所述絕緣層上形成的覆蓋電極(9)，該電極至少覆蓋所述溝道的一部分，當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，該電極接收一種電壓，而當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止時(shí)，接收另一種電壓，所述另一種電壓產(chǎn)生阻礙電流在所述溝道內(nèi)流動(dòng)的電場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述柵極(6)和所述覆蓋電極(9)接收各自獨(dú)立的電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述覆蓋電極(9)連接到所述柵極(6)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述源區(qū)(2)和所述漏區(qū)(4)與所述柵極(6)的距離相等。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述覆蓋電極(9)覆蓋整個(gè)所述溝道(3)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述覆蓋電極(9)至少覆蓋設(shè)置在所述柵極(6)和所述漏區(qū)(4)之間的所述溝道(3)的一部分，而不覆蓋設(shè)置在所述源區(qū)(2)和所述柵極之間所述溝道的任何部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述柵極(6)到所述漏區(qū)(4)的距離比到所述源區(qū)(2)的距離更遠(yuǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述覆蓋電極(9)覆蓋整個(gè)所述溝道(3)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)在于，所述覆蓋電極(9)至少覆蓋設(shè)置在所述柵極(6)和所述漏區(qū)(4)之間的所述溝道(3)的一部分，而不覆蓋設(shè)置在所述源區(qū)(2)和所述柵極之間所述溝道的任何部分。
10.一種天線開關(guān)電路包括將天線(21)耦合到接收電路(22)的第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q1)和將所述天線耦合到發(fā)射電路(23)的第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q2)，其特點(diǎn)在于所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有半導(dǎo)體基片(1)，該基片含有連接到所述接收電路的源區(qū)(2)，連接到所述天線的漏區(qū)(4)和用來在所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間傳導(dǎo)電流的溝道(3)，形成在所述半導(dǎo)體基片上的柵極(6)，該柵極覆蓋所述溝道，用來控制所述電流，形成在所述半導(dǎo)體基片上的絕緣層(8)，該絕緣層覆蓋所述半導(dǎo)體基片和所述柵極，形成在所述絕緣層上的覆蓋電極(9)，該覆蓋電極至少覆蓋所述柵極和所述漏區(qū)之間的所述溝道的一部分，當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通時(shí)，該覆蓋電極接收一種電壓，而當(dāng)所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管截止時(shí)，該覆蓋電極接收另一種電壓，所述另一種電壓產(chǎn)生阻礙電流在所述溝道內(nèi)流動(dòng)的電場(chǎng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的天線開關(guān)電路，其特點(diǎn)在于，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q1)中，所述柵極(6)到所述漏區(qū)(4)的距離比到所述源區(qū)(2)的距離更遠(yuǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的天線開關(guān)電路，其特點(diǎn)在于，在所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q1)中，所述覆蓋電極(9)不覆蓋所述源區(qū)(2)和所述柵極(6)之間的所述溝道的任何部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的天線開關(guān)電路，其特點(diǎn)在于，所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q2)是對(duì)稱的。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的天線開關(guān)電路，其特征在于包括接地端子(24)，將所述接收電路耦合到所述接地端子的第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q3)，所述第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q2)同時(shí)導(dǎo)通和截止，將所述發(fā)射電路耦合到所述接地端子的第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q4)，所述第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管與所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Q1)同時(shí)導(dǎo)通和截止。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的天線開關(guān)電路，其特點(diǎn)在于，所述第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管是對(duì)稱的。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的天線開關(guān)電路，其特點(diǎn)在于，所述第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有與所述第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的覆蓋電極相同的覆蓋電極。
全文摘要
一種具有覆蓋電極的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，該覆蓋電極至少覆蓋該晶體管溝道的一部分。所述覆蓋電極形成在覆蓋該晶體管的源區(qū)，柵區(qū)和漏區(qū)的絕緣層上。當(dāng)該晶體管導(dǎo)通時(shí)，在覆蓋電極上施加一種電壓。當(dāng)該晶體管截止時(shí)，在覆蓋電極上施加產(chǎn)生阻礙電流在溝道內(nèi)流動(dòng)的電場(chǎng)的另一種電壓。在天線開關(guān)中，這種晶體管將天線耦合到接收電路，而另一種晶體管將天線耦合到發(fā)射電路。
文檔編號(hào)H01L21/338GK1166694SQ9710282
公開日1997年12月3日 申請(qǐng)日期1997年2月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年2月21日
發(fā)明者豬口和之 申請(qǐng)人:沖電氣工業(yè)株式會(huì)社