專利名稱：集成電路制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的涉及集成電路制造方法、特別涉及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的制造方法。
現(xiàn)有技術(shù)中，已知DRAM在很寬的范圍內(nèi)得到廣泛應(yīng)用。DRAM通常包括存儲(chǔ)器單元陣列，每個(gè)單元包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，和與之電連接的電容器。存儲(chǔ)器單元尋址時(shí)，在如邏輯1態(tài)的邏輯狀態(tài)，作為它的電容器存儲(chǔ)電荷。
構(gòu)成電容器用的一種方法是在通常是硅襯底的半導(dǎo)體中腐蝕出一條溝道。在硅襯底上熱生長(zhǎng)厚500埃的氧化硅層，作為焊盤(pán)層。之后，在焊盤(pán)層上形成典型厚度為2000-10000埃的較厚的氮化硅掩膜層。在部分氮化硅層中形成穿透位于其下面的焊盤(pán)層的窗口。之后，腐蝕溝道，使腐蝕至下面，以露出部分硅襯底。溝道的典型深度在8μm數(shù)量級(jí)，寬度為1/4μm。在溝道內(nèi)，例如在溝道的側(cè)壁上和底上，用化學(xué)汽相淀積法淀積厚約800A的摻雜層。通常有摻砷的玻璃層，例如摻砷的氧化硅。砷摻雜濃度通常為2×1021原子/cm3。然后，把制成構(gòu)件放入對(duì)流爐內(nèi)進(jìn)行高溫退火。退火是在1050℃溫度進(jìn)行約30-60分鐘。爐內(nèi)升溫速度是每分鐘升高40℃。退火中，部分雜質(zhì)，如砷，從砷層擴(kuò)散進(jìn)相鄰的硅側(cè)壁和底。因此，在相鄰的硅襯底中形成摻砷區(qū)，形成一個(gè)溝道極板電容器。該極板稱做掩埋極板。掩埋極板內(nèi)的砷濃度約為5×1019原子/cm3。之后，斷開(kāi)爐子，使?fàn)t內(nèi)溫度按每分鐘5℃的速度冷卻。用例如緩沖氫氟酸除去溝道內(nèi)的摻砷玻璃。之后，用化學(xué)汽相淀積法，在硅襯底的側(cè)壁和底上淀積雜質(zhì)濃度約為1×1020原子/cm3的摻砷的多晶硅(poly)。摻砷的多晶硅用作電容器的第二極板。因此構(gòu)成電容器；硅襯底中的摻砷區(qū)和形成電容器極板的，即電極的摻雜的多晶硅以及作為電容器介質(zhì)的氮化硅介質(zhì)層。在鄰近溝道處的襯底上形成MOSFET、使MOSFET的源/漏區(qū)電連接到摻雜的多晶硅，使MOSFET與電容器電連接，構(gòu)成DRAM單元。
電容器的電容量與其電極的導(dǎo)電率有關(guān)。因此，提高電容量的一種辦法是提高一個(gè)或兩個(gè)電極的導(dǎo)電率。如上所述，摻砷玻璃的摻雜濃度是2×1021原子/cm3。而且認(rèn)為，減小電容器的尺寸可以增加形成在芯片上的單元數(shù)量。但是，如果用減小溝道的直徑來(lái)減小電容器的尺寸，直徑為0.15μm，如果用與摻砷玻璃相同的厚度，即800，由于溝道多少有點(diǎn)圓錐形，摻雜玻璃會(huì)填入溝道底部。因此溝道底部的玻璃層會(huì)比溝道側(cè)壁的玻璃層厚。因此，用濕式化學(xué)腐蝕去除玻璃層時(shí)，由于較厚的玻璃底與較薄的玻璃側(cè)壁的腐蝕速度相同，去除玻璃底部所需的腐蝕時(shí)間將會(huì)去除部分焊盤(pán)氧化硅層，對(duì)結(jié)構(gòu)造成額外的負(fù)面影響。
按本發(fā)明的一個(gè)特征，提供一種在半導(dǎo)體基底內(nèi)形成電容器的方法。該方法包括在半導(dǎo)體基底的部分表面中形成溝槽的步驟。在半導(dǎo)體基底的整個(gè)表面上淀積摻雜薄膜。在溝道的側(cè)壁和底上淀積部分摻雜薄膜。對(duì)半導(dǎo)體基底和摻雜薄膜加熱，在其間生成液相界面區(qū)，同時(shí)使液相界面區(qū)的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底區(qū)內(nèi)。冷卻界面區(qū)，使該界面區(qū)再回到固相?？焖倮鋮s以免形成砷化硅沉淀物。從半導(dǎo)體基底除去摻雜膜和界面區(qū)而留下?lián)诫s的半導(dǎo)體基底。在摻雜的半導(dǎo)體基底上淀積介質(zhì)膜，在介質(zhì)膜上淀積摻雜材料。摻雜材料和摻雜半導(dǎo)體基底形成電容器電極，介質(zhì)膜形成電容器介質(zhì)。
按本發(fā)明另一特征，加熱和冷卻步驟包括以下步驟用輻射熱能源給半導(dǎo)體基底和摻雜膜迅速加熱，使摻雜膜中的雜質(zhì)經(jīng)界面區(qū)擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體基底的一個(gè)區(qū)中，以在半導(dǎo)體基底中形成摻雜區(qū)，之后，去掉輻射熱能源，快速冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜?？焖倮鋮s以免形成砷化硅沉淀物。
按本發(fā)明的又一特征，提供DRAM單元用的電容器的制造方法。該單元包括電容器和與之電連接的晶體管。該方法包括給半導(dǎo)體基底及其上淀積的摻雜膜加熱的步驟，以在其間生成液相界面區(qū)，并使雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底的一個(gè)區(qū)中。冷卻界面區(qū)使其再回到固相。半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)形成電容器的一個(gè)電極。在半導(dǎo)體基底的摻雜區(qū)上形成介質(zhì)膜。介質(zhì)膜形成電容器的介質(zhì)。介質(zhì)膜上淀積摻雜材料。摻雜材料形成電容器的第二電極。
按本發(fā)明的又一特征，提供一種DRAM單元用電容器的制造方法。該單元包括電容器和與之電連接的晶體管，該方法包括加熱硅基底和淀積在硅體基底表面部分上的摻砷玻璃層使其溫度至少為1097℃的步驟，和隨后冷卻該硅基底和在部分硅中生成摻砷區(qū)的摻砷玻璃層步驟。摻砷區(qū)形成電容器電極。摻砷區(qū)上形成介質(zhì)膜，介質(zhì)膜形成電容器介質(zhì)。介質(zhì)膜上淀積摻雜材料，以提供電容器的另一電極。
用該方法、可用200?；蚋〉母缴椴Ａв纱藰?gòu)成直徑為0.15μm或更小的溝道。而且，用該方法對(duì)構(gòu)件加熱到1050℃保持30至60分鐘，在摻砷玻璃與硅襯底之間進(jìn)行固相擴(kuò)散。但是，退火中，用1097℃或更高的溫度，摻砷玻璃-硅襯底界面會(huì)成為液態(tài)，并且當(dāng)硅襯底界面處于液態(tài)時(shí)，會(huì)進(jìn)行砷雜質(zhì)擴(kuò)散，從而提高摻雜玻璃中砷雜質(zhì)與硅襯底之間的擴(kuò)散速度。界面為液態(tài)，會(huì)使硅襯底中的雜質(zhì)濃度增大。用該液相擴(kuò)散轉(zhuǎn)移使表面的雜質(zhì)濃度至少是2×1020原子/cm3。
而且，用快速加熱和冷卻，加熱和冷卻的速度是100℃/秒數(shù)量級(jí)。熱源是輻射能源用氬氣，加熱到1150℃，保溫60秒，之后，從熱源取出該構(gòu)件。必須快速降溫，以免液相界面變成固相而造成砷擴(kuò)散回到玻璃膜形成砷化硅(SiAs)沉淀物。即，快速冷卻以免形成砷化硅沉淀物。
特別是，加熱和冷卻步驟包括用輻射熱能源給半導(dǎo)體基底和摻雜膜加熱并在半導(dǎo)體基底中形成摻雜區(qū)的步驟，隨后，除去輻射熱能源使半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)和摻雜膜冷卻的步驟。
通過(guò)結(jié)合附圖的說(shuō)明使發(fā)明的其它特征以及發(fā)明本身會(huì)變得更清楚。


圖1A-1Q是按本發(fā)明制造DRAM單元各步驟的橫截面示意圖；圖2是表示摻砷玻璃層，液相界面區(qū)和硅襯底的砷濃度的示意圖；圖3是用常規(guī)退火工藝在硅中的砷A(s)濃度分布圖；圖4是用按本發(fā)明的退火工藝在硅中的As濃度分布圖。
參見(jiàn)圖1A，一個(gè)半導(dǎo)體基底，這里是硅襯底10，有掩埋的離子注入層12，這里是從硅襯底10的上表面14開(kāi)始計(jì)算的4μm深處形成的摻磷層。掩埋摻雜層12在這里的摻雜濃度劑量約為1012-1014/cm2。二氧化硅焊盤(pán)層13，這里是在硅襯底10的上表面14上熱生長(zhǎng)構(gòu)成的，約為500厚。在二氧化硅焊盤(pán)層13的上表面上淀積的介質(zhì)層16，這里是2000至10000厚的氮化硅和/或二氧化硅層。
之后，如圖1A所示，用常規(guī)光刻化學(xué)腐蝕法在氮化硅層16中構(gòu)成窗口18。已構(gòu)成窗口的氮化硅層16用作掩膜，用常規(guī)腐蝕方法腐蝕溝道20至硅襯底10上表面14的下面部分。這里，溝道20的深度是從硅襯底10的上表面14向下8μm，該溝道20的寬度為0.10μm至0.25μm。
參見(jiàn)圖1C，在圖1B所示結(jié)構(gòu)上用化學(xué)汽相淀積法淀積膜或摻砷玻璃(AsG)層22。這里，膜22厚是200-400。As摻雜濃度是2×1021原子/cm3。
參見(jiàn)圖1D，用濕式化學(xué)腐蝕劑，這里是緩沖的HF除去AsG膜22的上部。因此，暴露出硅襯底上部24溝道20的側(cè)壁，如圖所示。
參見(jiàn)圖1E，使圖1D所示構(gòu)件退火，構(gòu)成電容器的掩埋極板。為防止雜質(zhì)自動(dòng)摻雜，在襯底上淀積介質(zhì)層如TEOS，以覆蓋表面和溝道側(cè)壁。在一個(gè)實(shí)施例中，在高溫中進(jìn)行短時(shí)間周期快速熱退火。溫度要高到足以使Si/AsG界面轉(zhuǎn)變成液相。通?？焖偻嘶鸬臅r(shí)間是1-2分鐘。
在快速熱處理爐內(nèi)進(jìn)行快速熱退火?？焖贌釥t如用燈作加熱源。如用輻射熱源對(duì)構(gòu)件退火。爐內(nèi)溫度快速升高至要求的溫度。通常，是用100℃/秒的加熱速度。
一個(gè)實(shí)施例中，在1097℃或更高的溫度下使構(gòu)件退火。該溫度足以使Si/AsG界面成為液態(tài)。RTA的時(shí)間是以秒計(jì)。通常RTA的時(shí)間約為60-120秒。
在約1050℃下進(jìn)行AsG的常規(guī)退火。這些條件下，出現(xiàn)As的固態(tài)擴(kuò)散。固態(tài)擴(kuò)散下Si中的As濃度能達(dá)到約5×1019原子/cm3。認(rèn)為SiAs沉淀物和摻砷玻璃中的As的低擴(kuò)散性阻止獲得更高的濃度。
但是，按本發(fā)明，至少在約1097℃或更高的溫度下進(jìn)行As擴(kuò)散。該溫度下As是在液相中擴(kuò)散進(jìn)Si。As濃度明顯大于固態(tài)擴(kuò)散中得到的As濃度，固相擴(kuò)散的As濃度只為5×1019原子/cm3。這是因?yàn)樵?097℃或更高溫度的摻砷玻璃層與硅襯底之間的界面處形成極小量的富As液相。與固體AsG的4原子％As相比，As液相有約37原子％的As。
圖2是摻砷玻璃層22，液相界面區(qū)32(圖2)，和硅襯底10中As濃度分布圖，液相界面區(qū)32不僅有極高的As濃度，還有極高的As擴(kuò)散率。液相擴(kuò)散率平均比固相擴(kuò)散率高幾個(gè)數(shù)量級(jí)。結(jié)果，硅襯底10表面的As濃度(例如圖1E中的As摻雜區(qū)30中)的理論值約為1.75×1021原子/cm3。擴(kuò)散進(jìn)硅襯底12中的As總量大大高于固態(tài)擴(kuò)散的As量。因此，硅襯底10里邊和表面(例如摻雜區(qū)30中)的As濃度都大量增加。注意，由于只需小量的摻砷玻璃形成其液相界面區(qū)，因而可大大減小摻砷玻璃層的厚度。
隨后的降溫時(shí)間中，例如，熱退火之后，會(huì)有從液相中沉淀出的SiAs。因此，用快速熱處理(RTP)或迅速熱處理(FTP)進(jìn)行液相擴(kuò)散，例如，特別是用輻射加熱源，因?yàn)樗鼈兊睦鋮s速度更快，例如，斷開(kāi)輻射熱源(即燈)后，加熱馬上去除。即，以足夠快的速度冷卻以免形成砷化硅沉淀物。
圖3是用常規(guī)退火在Si中獲得的As濃度分布圖。常規(guī)退火是在約1050℃溫度下，在Ar氣氛中在200厚的AsG膜進(jìn)行30分鐘退火。AsG膜中As濃度是約2×1021原子/cm3。以圖3看出，這些條件下Si側(cè)壁的As濃度是約2×1019原子/cm3。As移到約0.4μm深的硅體內(nèi)時(shí)As濃度下降到約1×1015原子/cm3。
圖4是用本發(fā)明的RTA在Si中獲得的As濃度分布圖。在約1150℃，在Ar氣環(huán)境中，對(duì)圖3所示AsG膜退火1分鐘。這些條件下在側(cè)壁得到的Si中的As濃度是約4×1020原子/cm3，在離側(cè)壁0.4μm處的As濃度下降到約1×1017原子/cm3。因此，在溫度至少是1097℃或更高的溫度退火，能使掩埋極板中的砷濃度明顯增大。
參見(jiàn)圖1E。上述的加熱和冷卻步驟之后，用緩沖氫氟酸(HF)除去殘留的摻雜玻璃層22(圖1D所示)。如圖所示，在制成構(gòu)件的上表面化學(xué)汽相淀積40-50厚的介質(zhì)層26或氮化硅膜。注意，淀積的硅介質(zhì)層是淀積在摻砷區(qū)30上。還應(yīng)注意，As離子注入?yún)^(qū)12貫通砷摻雜區(qū)30并因此電連接到砷摻雜區(qū)30。
參見(jiàn)圖1F，在構(gòu)件上表面用化學(xué)汽相(CVD)淀積摻As的多晶硅層34，該層34完全填入溝中。用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)法除去CVD摻雜的多晶硅層34的上部，使多晶層34的上表面高度與氮化硅層26的上表面高度相同，如圖1F所示。
用反應(yīng)離子腐蝕(RIE)去掉摻雜的多晶硅層34的上部，生成如圖1G所示結(jié)構(gòu)。注意，淀積在溝側(cè)壁上部的薄氮化硅層的部分40露出。
用稀氫氟酸除去氮化硅層26的露出部分40，產(chǎn)生圖1H所示構(gòu)件。注意，腐蝕會(huì)去掉少量的氮化硅掩膜16，但是，掩膜16很厚，例如，與50厚的部分40相比，其厚度厚很多，為2000-10000。
參見(jiàn)圖1I，在圖示構(gòu)件的上表面上CVD淀積介質(zhì)層35。介質(zhì)層包括例如，二氧化硅層，或其上形成有TEDS層的二氧化硅層35，這里，層35的厚度約為300。
如圖1J所示，用反應(yīng)離子腐蝕(RIE)除去層35上部，從而在溝道側(cè)壁上只留下環(huán)狀區(qū)。
之后，用CVD法淀積摻砷的多晶硅層42，以填充溝道38，用CMP法除去多余的摻雜多晶硅。制成的結(jié)構(gòu)如圖1K所示。
之后，用RIE法去除摻雜的多晶硅上部、制成圖1L所示結(jié)構(gòu)。
之后，用濕式化學(xué)腐蝕除去環(huán)形二氧化硅區(qū)的上部、制成圖1M所示結(jié)構(gòu)。
之后，用CVD法淀積摻As的多晶硅層43，填充該溝道38，用CMP法除去多余的多晶硅。制成圖1N所示結(jié)構(gòu)。
參見(jiàn)圖10，在該構(gòu)件上表面上淀積光刻膠層40，用光刻構(gòu)圖，露出填充的一部分溝道和氮化硅層16附近部分。用構(gòu)圖后的光刻膠層40作腐蝕掩模，腐蝕除去由構(gòu)圖光刻膠層40露出的部分摻雜的多晶硅層43，二氧化硅焊盤(pán)層13和氮化硅掩模6，制成圖1O所示結(jié)構(gòu)。
除去光刻膠層40，在構(gòu)件上表面上淀積化學(xué)汽相淀積的二氧化硅層50。用CMP法去除CVD二氧化硅層50的上部。用光刻腐蝕法去除氮化硅層16，摻雜的多晶硅層42的附近部分，和下面的焊盤(pán)氧化物層13，制成圖1P所示結(jié)構(gòu)。露出硅襯底10的上表面14，之后，處理形成具有熱生長(zhǎng)柵氧化物62和有源/漏區(qū)68、70的摻雜多晶柵64的MOSFET晶體管60，如圖1Q所示。注意，源/漏區(qū)68、70之一，這里是漏區(qū)70電連接到溝道20中的摻雜多晶硅材料，即，層34、42、43。還應(yīng)注意，硅襯底10中形成的摻砷區(qū)30電連接到掩埋的磷離子注入的摻雜區(qū)12。掩埋的離子注入?yún)^(qū)12能電連接到硅襯底10中形成的砷摻雜區(qū)30中。因此，構(gòu)成有電連接到電容器72的MOSFET60的DRAM單元70，該電容器72有在硅襯底10中形成砷摻雜區(qū)32和在溝道中形成的摻雜多晶硅層34、42、43構(gòu)成的一對(duì)電極，這些電極、或極板由氮化硅介質(zhì)層26隔開(kāi)。
其它實(shí)施例均屬于本發(fā)明權(quán)利要求書(shū)的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種制造電容器的方法，包括以下步驟加熱其上淀積有摻雜膜的半導(dǎo)體基底，使其間生成液相界面，并使摻雜膜中摻雜的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底的區(qū)域內(nèi)，和冷卻界面區(qū)使其回復(fù)到固相，該半導(dǎo)體基底中的該摻雜區(qū)形成該電容器的一個(gè)電極；該摻雜區(qū)上形成一介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜形成該電容器的介質(zhì)；和該介質(zhì)膜上淀積摻雜材料，摻雜材料形成該電容器第二電極。
2.按權(quán)利要求1的方法，其中，在快速下進(jìn)行冷卻以免形成砷化硅沉淀物。
3.按權(quán)利要求2的方法，其中，加熱和冷卻步驟包括用輻射熱能源加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜和隨后，去除輻射熱能源冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜。
4.一種制造半導(dǎo)體基底中的電容器的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體表面的一部分中形成溝道，該溝道有側(cè)壁和底；在半導(dǎo)體基底表面上淀積摻雜膜，在溝道的側(cè)壁和底上淀積摻雜膜部分；加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜，以便在其間形成液相界面，并使液相界面區(qū)內(nèi)的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底的一個(gè)區(qū)內(nèi)；冷卻界面區(qū)使其回復(fù)到固相；從半導(dǎo)體基底和固相界面區(qū)除去摻雜膜，留下半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)；在半導(dǎo)體基底的摻雜區(qū)上淀積一介質(zhì)膜；在半導(dǎo)體基底的摻雜區(qū)上淀積摻雜材料，該摻雜材料和半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)形成電容器電極以及該介質(zhì)膜形成電容器的介質(zhì)。
5.按權(quán)利要求4的方法，其中，加熱和冷卻步驟包括用輻射熱能源加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜，以及隨后，去除輻射熱能源冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜。
6.一種制造DRAM單元的電容器的方法，該單元包括電容器，和與之電連接的晶體管，所述方法包括以下步驟加熱半導(dǎo)體基底和其上淀積的摻雜膜，使其間形成液相界面區(qū)，并使摻雜膜中的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底中；和冷卻界面區(qū)使其回復(fù)到固相，該摻雜的半導(dǎo)體基底形成電容器的一個(gè)電極；在摻雜區(qū)上形成介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜形成電容器的一介質(zhì)；和在介質(zhì)膜上淀積摻雜材料，該摻雜材料形成電容器的第二電極。
7.按權(quán)利要求6的方法，其中，在快速下進(jìn)行冷卻以免形成砷化硅沉淀物。
8.一種制造包含電容器及晶體管的DRAM單元的方法，所述方法包括以下步驟(a)形成電容器的步驟包括(i)在半導(dǎo)體表面上淀積摻雜膜；(ii)加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜，使其間生成液相界面區(qū)，并使摻雜膜中的雜質(zhì)經(jīng)液相界面區(qū)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體的區(qū)域內(nèi)；(iii)冷卻界面區(qū)使其回復(fù)到固相；(iv)從半導(dǎo)體基底上去除摻雜膜；(v)在半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)上淀積介質(zhì)膜；(vi)在介質(zhì)膜上淀積摻雜材料，該摻雜材料和半導(dǎo)體基底中的摻雜區(qū)形成電容器的電極以及該介質(zhì)膜形成電容器的介質(zhì)；和(b)使晶體管電連接到電容器的一個(gè)電極。
9.一種制造電容器的方法，包括以下步驟使硅基底和硅基底表面部分上淀積的摻砷玻璃層加熱到溫度至少為1097℃；之后，冷卻該硅基底和在部分硅中形成摻砷區(qū)的摻砷玻璃層，摻砷區(qū)形成電容器電極；在摻砷區(qū)上形成一介質(zhì)膜，該介質(zhì)膜形成電容器的一介質(zhì)；和在該介質(zhì)膜上淀積摻雜材料，以便形成電容器的另一電極。
10.一種方法，包括以下步驟加熱半導(dǎo)體基底和其上淀積的摻雜膜，以在其間生成液相界面區(qū)，并使摻雜區(qū)中的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體基底的區(qū)域內(nèi)；和冷卻界面區(qū)使其回復(fù)到固相。
11.按權(quán)利要求10的方法，其中，半導(dǎo)體基底包括硅，而摻雜膜包括砷，且其中，冷卻是在快速下進(jìn)行，以免形成砷化硅沉淀物。
12.按權(quán)利要求10的方法，其中，加熱和冷卻步驟包括用輻射熱能源加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜的步驟，和隨后，去掉輻射熱能源冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜的步驟。
13.按權(quán)利要求12的方法，其中，摻雜膜包括砷摻雜玻璃，以及其中，半導(dǎo)體基底包括硅，和其中，硅基底和淀積在硅基底表面部分上的砷摻雜玻璃層加熱到至少1097℃，并隨后冷卻。
14.按權(quán)利要求13的方法，其中，進(jìn)行快速冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜，以免形成砷化硅沉淀物。
15.按權(quán)利要求13的方法，其中，加熱和冷卻步驟包括用輻射熱能源加熱半導(dǎo)體基底和摻雜膜，隨后去掉輻射熱能源，冷卻半導(dǎo)體基底和摻雜膜的步驟。
全文摘要
一種制造半導(dǎo)體基底中電容器的方法包括:半導(dǎo)體部分表面形成溝道。溝道有側(cè)壁和底。半導(dǎo)體表面淀積摻雜膜。摻雜膜部分淀積在溝道側(cè)壁和底上。加熱半導(dǎo)體和摻雜膜使其間為液相界面區(qū),使摻雜膜中雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)半導(dǎo)體一個(gè)區(qū)內(nèi)。冷卻界面區(qū)使其回到固相。從半導(dǎo)體上去掉摻雜膜和界面區(qū),留下半導(dǎo)體中的摻雜區(qū)。半導(dǎo)體的摻雜區(qū)上淀積介質(zhì)膜。介質(zhì)膜上淀積摻雜材料,摻雜材料和半導(dǎo)體中的摻雜區(qū)形成電容器電極,介質(zhì)膜形成電容器介質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L29/94GK1202004SQ9810872
公開(kāi)日1998年12月16日 申請(qǐng)日期1998年6月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月4日
發(fā)明者沈華 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司