專利名稱：半導(dǎo)體清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體晶片的清洗方法和裝置，特別涉及利用熱發(fā)射的方法和裝置。
制造半導(dǎo)體硅集成電路的工序必須是非常潔凈的，因?yàn)榧仁故呛苌倭坎幌Ｍ奈廴倦s質(zhì)也能引起集成電路的整個(gè)變壞或失效。因此，半導(dǎo)體硅晶片必須在處理步驟中被清洗。
已有許多清洗工藝用在硅半導(dǎo)體制造中。濕法清洗工藝通常作為一部份單獨(dú)的制造步驟，利用特殊的化學(xué)溶液從硅晶片表面除去污物。干法清洗工藝通常是在某種氣體或氣體混合物中或者在等離子體環(huán)境中通過(guò)從晶片表面腐蝕掉污物來(lái)除去污物。吸雜處理是利用了污物向著硅晶片(帶有高密度的這種收集器的區(qū)域稱為“吸雜”)內(nèi)的特殊收集器運(yùn)動(dòng)并穩(wěn)定停留在收集器的趨勢(shì)。
但是，濕法和干法清洗工藝只能從硅晶片表面除去污物。吸雜處理只能用于某幾種類型的污物(例如鐵、銅、鎳等)。
轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的共同所有人的歐洲專利公開(kāi)EP-A-0749153公開(kāi)了一種清洗方法，該方法在加熱的情況下利用電場(chǎng)從半導(dǎo)體晶片表面移動(dòng)帶正電荷的雜值離子，并使其在表面上向帶負(fù)電的電極(稱為“集電極”)運(yùn)動(dòng)。
歐洲專利公開(kāi)EP-A-0749153中公開(kāi)的裝置示意地表示在

圖1中，現(xiàn)在參照?qǐng)D1簡(jiǎn)要說(shuō)明。在電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)，其中標(biāo)記為10的一個(gè)電極固定到要清洗的晶片12上。標(biāo)記為14的另一電極(“集電極”)位于一段距離外。晶片電極10與電壓源輸出Vb相連，而電極14與另一電源輸出Vc相連，其中電勢(shì)Vc比電勢(shì)Vb負(fù)電性更強(qiáng)。這樣，就產(chǎn)生電場(chǎng)，移動(dòng)標(biāo)記為16的正離子，從晶片表面向集電極14運(yùn)動(dòng)，在那兒，正離子將被吸收(捕獲)。該裝置一般被設(shè)置在真空中或有氣體混合物的環(huán)境中，并被加熱，以激勵(lì)晶片表面的離子發(fā)射。EP公開(kāi)EP-A-0749153還描述在兩電極10和14之間利用等離子體增強(qiáng)晶片表面上的電場(chǎng)。
本發(fā)明的目的是提供利用熱發(fā)射分批清洗半導(dǎo)體晶片的方法和裝置。這些方法和裝置特別適用于在高溫爐、反應(yīng)器或快速熱工具等中進(jìn)行的一般半導(dǎo)體制造工藝中。
因此，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，提供由半導(dǎo)體晶片構(gòu)成的集電極。該半導(dǎo)體晶片可以具有未拋光表面、粗糙表面或氧化表面。
而且，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，還提供具有第一單元和第二單元的晶片傳送裝置或船，其中第一單元帶有用于容納第一組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第一狹縫，第二單元帶有容納第二組半導(dǎo)體晶片的狹縫，第一狹縫與第二狹縫交替設(shè)置。第一單元與第一電壓源相連，而第二單元與第二電壓源相連。第二電壓源比第一電壓源負(fù)電性更強(qiáng)。第一組半導(dǎo)體晶片內(nèi)一般具有將被除去的雜質(zhì)，第二組半導(dǎo)體晶片將接收這些雜質(zhì)。
此外，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，第一單元是下層導(dǎo)電材料，第二單元是上層導(dǎo)電材料。第二單元具有多個(gè)與第一狹縫對(duì)準(zhǔn)的第三狹縫，并且第三狹縫比第一狹縫長(zhǎng)和寬。
而且，根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例，第一單元是由交替導(dǎo)電和絕緣的支架組成的第一支撐壁，第二單元是由交替絕緣和導(dǎo)電的支架組成的第二支撐壁。每個(gè)半導(dǎo)體晶片被一個(gè)導(dǎo)電和一個(gè)絕緣支撐水平支撐。
另外，根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例，晶片傳送裝置還包括兩個(gè)絕緣材料的支桿。第一單元是第一導(dǎo)電材料桿，第二單元是第二導(dǎo)電材料桿。第一桿具有交替小狹縫和大狹縫，第二單元具有交替的大和小狹縫，從而每個(gè)半導(dǎo)體晶片被一個(gè)小狹縫固定并在一個(gè)大狹縫中浮動(dòng)。
此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，第一半導(dǎo)體晶片將被清洗，而第二半導(dǎo)體晶片作為集電極。
根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，還提供半導(dǎo)體清洗裝置，包括可加熱反應(yīng)芯、芯集電極和晶片傳送器件。芯集電極固定到反應(yīng)芯上，并可與第一芯電壓源Va相連。晶片傳送器件至少把一個(gè)待清洗半導(dǎo)體晶片傳送入反應(yīng)芯中，晶片傳送器件至少可與第二晶片電壓源Vb相連。Va比Vb負(fù)電性更強(qiáng)。
而且，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，芯集電極固定到反應(yīng)芯的外邊。
另外，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，晶片傳送器件具有接收第一組半導(dǎo)體晶片的第一單元和接收第二組半導(dǎo)體晶片的第二單元。第一單元具有與第二單元的狹縫交替的狹縫。第一單元可與晶片電壓源Vb相連，第二單元與第三集電極電壓源Vc相連。集電極電壓源Vc比Vb負(fù)電性更強(qiáng)。
另外，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，第一組半導(dǎo)體晶片將被清洗，第二組半導(dǎo)體晶片作為集電極。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，另外提供一種半導(dǎo)體清洗裝置，包括可加熱反應(yīng)芯和晶片傳送器件。晶片傳送器件把多個(gè)半導(dǎo)體晶片傳送入反應(yīng)芯中，并具有接收待清洗的第一組半導(dǎo)體晶片的第一開(kāi)有狹縫的單元和接收構(gòu)成集電極的第二組半導(dǎo)體晶片的第二開(kāi)有狹縫的單元。第一單元的狹縫與第二單元的狹縫交替排列。第一單元可與第一電壓源Vb相連，第二單元可與第二電壓源Vc相連。
最后，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，提供一種反應(yīng)芯清洗裝置，包括可加熱反應(yīng)芯、芯集電極和導(dǎo)電元件。芯集電極固定到反應(yīng)芯上并與第一芯電壓源Va相連。導(dǎo)電元件位于反應(yīng)芯內(nèi)部并至少可與具有比芯電壓源的電壓電平高的電壓電平的第二電壓源相連。芯集電極可以安裝到反應(yīng)芯的內(nèi)部或外部。
通過(guò)下面參照附圖的詳細(xì)描述可以更充分理解和了解本發(fā)明。
圖1是表示現(xiàn)有技術(shù)熱發(fā)射系統(tǒng)的示意圖；圖2是典型現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體處理裝置；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例構(gòu)成和工作的用于批處理的熱發(fā)射系統(tǒng)的示意圖；圖4A、4B和4C是表示承載一批半導(dǎo)體晶片的船的三個(gè)實(shí)施例的示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例構(gòu)成和工作的用于批處理的另一熱發(fā)射系統(tǒng)的示意圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例構(gòu)成和工作的用于批處理的熱發(fā)射系統(tǒng)的示意圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例構(gòu)成和工作的用于清洗處理爐的熱發(fā)射系統(tǒng)的示意圖；圖8A和8B是相對(duì)于反應(yīng)芯的位置和它的絕緣層設(shè)置芯集電極的兩個(gè)實(shí)施例的示意圖；下面參考表示典型現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體處理裝置100的圖2進(jìn)行說(shuō)明。該裝置具有包在外殼104內(nèi)的反應(yīng)芯102。對(duì)一批半導(dǎo)體晶片106所要求的處理、退火、氧化、外延生長(zhǎng)、LPCVD等都在反應(yīng)芯102中進(jìn)行。一般情況下，晶片106安裝在用于傳送一批半導(dǎo)體晶片106的某種傳送器件108上，傳送器件可以是，例如船、槳形裝置、運(yùn)載工具等。如圖2所示，處理裝置包括輸運(yùn)裝置110，它從處理裝置的外部到內(nèi)部載運(yùn)傳送器件108。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例，EP公開(kāi)EP-A-0749153所公開(kāi)的對(duì)一個(gè)或多個(gè)晶片106進(jìn)行的電場(chǎng)清洗是在現(xiàn)有技術(shù)的爐或快速熱工具的反應(yīng)芯102中實(shí)施的。在下面敘述的每個(gè)實(shí)施例中，一個(gè)晶片106或一批被污染的晶片106被放置在傳送器件108中，之后傳送器件108被放置在反應(yīng)芯102中。在傳送器件108內(nèi)部形成第一電極，所有晶片106都與之相連。集電極的位置在不同實(shí)施例中是變化的。在有些實(shí)施例中，反應(yīng)芯102內(nèi)部制成真空并抽入惰性氣體或氣體混合物。在另一些實(shí)施例中，不用抽成真空。然后反應(yīng)芯被加熱到300℃和1300℃之間的溫度，則在兩電極之間產(chǎn)生電場(chǎng)?；蛘?，有許多電極，在它們之間產(chǎn)生電場(chǎng)。
如果需要，可以在反應(yīng)芯102中引入等離子體，以增強(qiáng)電場(chǎng)，如EP公開(kāi)EP-A-0749153所述。而且如果需要，可以在反應(yīng)芯102中引入氧氣，由此在清洗處理過(guò)程中發(fā)生氧化。
本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例提供的原地清洗可以用于大多數(shù)半導(dǎo)體處理裝置，例如那些提供高溫退火、高溫氧化、光刻膠去除、等離子體處理、化學(xué)汽相淀積(CVD)、硅外延生長(zhǎng)、快速熱處理等的裝置。對(duì)于每個(gè)這些裝置來(lái)說(shuō)，清洗工作可以在制造工藝之前，過(guò)程中或之后進(jìn)行。
下面參照表示用于批處理的第一裝置的圖3進(jìn)行說(shuō)明。在本例中，集電極不是如EP公開(kāi)EP-A-0749153中所述的金屬片。它們是與收集極電壓源Vc相連的另外的標(biāo)記為120的半導(dǎo)體晶片。這樣，收集極晶片120從待清洗的污染晶片122收集污染雜質(zhì)。由于半導(dǎo)體晶片很容易吸收污物，而且集電極晶片120一般能比金屬片收集到更多的污物，因此這是很有利的，。
收集極晶片120可以被處理或不處理，但是相信未拋光晶片是有利的。粗糙表面和被氧化的表面也是很好的，雖然不必如此。
在圖3的實(shí)施例中，收集極晶片120以梳狀設(shè)置在污染晶片122之間。通過(guò)污染晶片122的每側(cè)上的收集極晶片120，污染晶片122的每側(cè)都將被清洗，這通過(guò)從污染晶片122的每側(cè)向收集極晶片120流動(dòng)的雜質(zhì)離子124表示出來(lái)。
圖3所示排列的晶片是放置在傳送器件(未示出)上，其中收集極晶片120與收集極電壓源Vc相連，污染晶片122與晶片電壓源Vb相連。晶片電壓源Vb比Vc負(fù)電性更強(qiáng)。傳送器件被輸送到反應(yīng)芯102中，然后在真空或低壓氣體或氣體混合物環(huán)境中，或者在大氣壓的氣體或氣體混合物環(huán)境中反應(yīng)芯被加熱到足夠的溫度，例如400-1200℃。這將促使正離子運(yùn)動(dòng)。
傳送器件可以是任何適合的裝置，它能單獨(dú)將反污染晶片122和收集極晶片120連接到它的各自的電源上并使兩組晶片彼此絕緣。
下面參照?qǐng)D4A、4B和4C說(shuō)明傳送器件130的三個(gè)典型實(shí)施例。圖4A和4C表示垂直固定并導(dǎo)體晶片的傳送器件，而圖4B表示水平固定半導(dǎo)體晶片的傳送器件。
傳送器件130是由兩個(gè)外層132和134以及內(nèi)絕緣層136形成的，其中外層132和134是由硅或諸如Sic等任何導(dǎo)電材料制成，而內(nèi)絕緣層136是由石英或諸如陶瓷等任何絕緣材料制成。外層132和134分別形成到收集極晶片120和污染晶片122的連接器。這樣，導(dǎo)線140和142分別把電壓源Vb和Vc連接到外層132和134上。
污染晶片122由形成在下層132中的狹縫137支撐。收集極晶片120由上層134中的狹縫138支撐。在圖4A所示船中，如果污染晶片122接觸到上層134，則它們將在兩層132和134之間產(chǎn)生短路。因此，在圖4A所示船中，上層134具有在狹縫137的位置上方的大開(kāi)口139。
但是，在圖4B的船中，就沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題。而代之以具有支撐材料的兩壁。一個(gè)壁(圖4B中的左壁)具有第一導(dǎo)電層134和絕緣層136交替的部分。另一壁具有絕緣層136和第二導(dǎo)電層132交替的部分。應(yīng)該注意，每個(gè)半導(dǎo)體晶體都位于這兩部分之上，其中一個(gè)是導(dǎo)電的(從一個(gè)壁)，另一個(gè)是絕緣的(從另一壁)。
因4C的船是由四個(gè)桿形成的，其中兩個(gè)支撐桿136是絕緣材料的，兩個(gè)導(dǎo)電桿由導(dǎo)電層132和134構(gòu)成。支撐桿中具有固定晶片的狹縫171。導(dǎo)電桿132和134具有與大的、非支撐狹縫139交替的支撐狹縫137。這樣，污染晶片122借助其狹縫171由絕緣材料的兩支撐桿136和導(dǎo)電層的導(dǎo)電桿132固定。由于狹縫139較大，所以污染晶片122不會(huì)接觸到其它桿，如導(dǎo)電層134。同樣，收集極晶片120由絕緣材料136的兩支撐桿和導(dǎo)電層134的導(dǎo)電桿固定，并在導(dǎo)電層132的桿的大狹縫139中浮動(dòng)。
應(yīng)該理解，本發(fā)明結(jié)合了所有的支撐桿136和導(dǎo)電桿137的相關(guān)位置。所以，支撐桿136可以在導(dǎo)電桿137之上。如圖4C所示，或者導(dǎo)電桿137可以位于支撐桿136的上面，或者它們可以采用其它安裝方式。
現(xiàn)在參照表示本發(fā)明實(shí)施例的圖5進(jìn)行說(shuō)明，除了芯集電極150安裝于反應(yīng)芯102上之外，本例與圖3所示相同。相同的元件使用了相同的參考標(biāo)記。
芯集電極150一般同由合適的導(dǎo)電和耐熱材料構(gòu)成，例如碳化硅或耐熱金屬合金，并形成在反應(yīng)芯102的外部上。芯集電極150可以是任何合適的形狀，例如螺旋形、柵格形、圓柱形，或者是噴涂到反應(yīng)芯102上的金屬薄膜。
芯集電極150與芯電壓源Va相連，其中芯電壓源Va的電壓電平小于或等于晶片電壓源Vb。外殼104一般保持在較低的外殼電壓Vd，例如等于或接近地電壓電平。這樣，除了污染晶片122和收集極晶片120之間存在電場(chǎng)外，又產(chǎn)生從污染晶片122(電壓電平為Vb)到芯集電極150(電壓電平為Va)的電場(chǎng)。
只要反應(yīng)芯102是由諸如石英等材料制成，在高于600℃的溫度時(shí)離子的遷移率足夠高，離子就可以延伸穿過(guò)反應(yīng)芯102，這樣，如圖所示，芯集電極150可以固定在反應(yīng)芯102的外部。
對(duì)于石英反應(yīng)芯102的實(shí)施例來(lái)說(shuō)，處理裝置100必須把反應(yīng)芯102加熱到等于或高于600℃的溫度。在加熱情況下，離子124將從污染晶片122向收集極晶片120、向著反應(yīng)芯102移動(dòng)以及穿過(guò)反應(yīng)芯102向著芯集電極150運(yùn)動(dòng)。如果需要，可以在反應(yīng)芯102內(nèi)部產(chǎn)生導(dǎo)電介質(zhì)，例如等離子體，以幫助離子124運(yùn)動(dòng)。
應(yīng)該理解，當(dāng)芯集電極150安裝于反應(yīng)芯102外面時(shí)，圖5的批清洗裝置不僅清洗了污染晶片122，而且還幫助清洗反應(yīng)芯102，因?yàn)樾炯姌O150也從反應(yīng)芯102內(nèi)部吸收離子。當(dāng)離子過(guò)反應(yīng)芯102移動(dòng)到其外表面并到芯集電極150上時(shí)，這種清洗不僅是如現(xiàn)有技術(shù)那樣的表面清洗，而是對(duì)整體的清洗。對(duì)于這種處理來(lái)說(shuō)，導(dǎo)電介質(zhì)是必須的。
現(xiàn)在參照表示圖5的批處理裝置的另一實(shí)施例的圖6進(jìn)行說(shuō)明。在本例中，只有固定于至少部分導(dǎo)電的傳送器160上的污染晶片122，傳送器件160與晶片電壓Vb相連。如圖5的實(shí)例一樣，芯集電極150固定于反應(yīng)芯102上并與芯電壓源Va相連。
在加熱和在污染晶片122和芯集電極150之間產(chǎn)生電場(chǎng)的情況下(如果需要，有導(dǎo)電介質(zhì))，離子124從污染晶片122的兩側(cè)運(yùn)動(dòng)并被芯集電極150收集。正如前面的實(shí)施例那樣，如果芯集電極150安裝于反應(yīng)芯102的外面上，并且如果晶片電壓Vb高于芯電壓源Va而芯電壓源Va又高于外殼電壓源Vd，則本實(shí)施例也清洗反應(yīng)芯102。
現(xiàn)在參照?qǐng)D7簡(jiǎn)要說(shuō)明，圖7表示當(dāng)反應(yīng)芯102由石英或其它材料制成時(shí)，只清洗反應(yīng)芯102的清洗裝置。芯清洗裝置包括導(dǎo)電元件162和芯集電極150，其中導(dǎo)電元件162由例如碳化硅棒構(gòu)成并與電壓源Vb相連，芯集電極150安裝于反應(yīng)芯102的外面并與芯電壓源Va相連。在高于600℃的溫度下，在存在電壓Vb和Va以及反應(yīng)芯102中的導(dǎo)電介質(zhì)的情況下，產(chǎn)生指向芯集電極150的電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)促使反應(yīng)芯102內(nèi)部的正離子124收集到芯集電極150上，由此清洗反應(yīng)芯102。
芯清洗操作可以在半導(dǎo)體處理操作中進(jìn)行，由此減少反應(yīng)芯102的污染。
現(xiàn)在參照?qǐng)D8A和8B進(jìn)行說(shuō)明，圖8A和8B表示芯集電極150相對(duì)于反應(yīng)芯102的可能設(shè)置方式。如圖8A所示，反應(yīng)芯102一般由絕緣層160覆蓋。在一個(gè)實(shí)施例中，芯集電極150固定于絕緣層160的外面，如圖8A所示?；蛘?，芯集電極150可以固定于反應(yīng)芯102和絕緣層160之間，由此減少由離子從絕緣層160到反應(yīng)芯102的運(yùn)動(dòng)引起的對(duì)反應(yīng)芯102的污染。
應(yīng)該明白，本發(fā)明的批處理裝置的實(shí)施例不僅清洗污染晶片122，而且，如果不從反應(yīng)芯102去掉該裝置，該裝置將保持正在被清洗的晶片的清潔度。這樣，本發(fā)明還包括具有在上面提供的實(shí)施例的任何元件的存儲(chǔ)裝置。該存儲(chǔ)裝置被加熱到適當(dāng)溫度，在其內(nèi)部可以是真空的，如果需要，可以是惰性氣體。另外，給各個(gè)電極提供適當(dāng)?shù)碾妷?，由此保持清潔環(huán)境的電場(chǎng)和其它元件。
本領(lǐng)域技術(shù)人員顯然明白，本發(fā)明不限于上面特別示出的和描述的實(shí)施例。本發(fā)明的范圍僅由后面所附的權(quán)利要求書(shū)確定。
權(quán)利要求
1.一種集電極，由半導(dǎo)體晶片構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1的集電極，其中所述半導(dǎo)體晶片的表面可以是未拋光的、拋光的或粗糙的。
3.一種晶片傳送裝置，包括具有用于接收第一組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第一狹縫的第一單元和具有用于接收第二組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第二狹縫的第二單元，所述第一狹縫與所述第二狹縫交替設(shè)置，所述第一單元可與第一電壓源相連，所述第二單元可與第二電壓源相連。
4.如權(quán)利要求3的晶片傳送器件，其中所述第一單元是下層導(dǎo)電材料，所述第二單元是上層導(dǎo)電材料，所述第二單元具有與所述第一狹縫對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)第三狹縫，其中所述第三狹縫比所述第一狹縫寬和長(zhǎng)。
5.如權(quán)利要求3的晶片傳送器件，其中所述第一單元是由交替導(dǎo)電和絕緣的支架構(gòu)成的第一支撐壁，所述第二單元是由交替絕緣和導(dǎo)電的支架構(gòu)成的第二支撐壁，這樣，每個(gè)半導(dǎo)體晶片被一個(gè)導(dǎo)電和一個(gè)絕緣支架水平撐著。
6.如權(quán)利要求3的晶片傳送器件，還包括絕緣材料的兩支撐桿，其中所述第一單元是導(dǎo)電材料的第一桿，所述第二單元是導(dǎo)電材料的第二桿，其中第一桿具有交替的小和大狹縫，第二單元具有交替的大和小狹縫，這樣每個(gè)半導(dǎo)體晶片由一個(gè)小狹縫固定并在一個(gè)大狹縫中浮動(dòng)。
7.半導(dǎo)體清洗裝置，包括(1)可加熱的反應(yīng)芯；(2)固定到所述反應(yīng)芯上并可與第一芯電壓源相連的芯集電極；和(3)用于將至少一個(gè)待清洗的半導(dǎo)體晶片輸送到所述反應(yīng)芯中的晶片傳送器件，所述晶片傳送器件可與至少第二晶片電壓源相連，其電壓電平比所述芯電壓電源的電壓電平高。
8.如權(quán)利要求7的裝置，其中所述晶片傳送器件包括第一單元和第二單元，第一單元具有用于接收第一組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第一狹縫，第二單元具有用于接收第二組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第二狹縫，所述第一狹縫與所述第二狹縫交替設(shè)置，所述第一單元可與第一電壓源相連，所述第二單元可與第二電源相連。
9.如權(quán)利要求3-6和8中任一項(xiàng)的裝置，其中所述第一組半導(dǎo)體晶片將被清洗，所述第二半導(dǎo)體晶片作為集電極。
10.如權(quán)利要求9的裝置，其中所述裝置被包在與低壓外殼電壓源相連的外殼中，并且所述晶片電壓源比所述集電極電壓源高，所述集電極電壓源高于或等于所述芯電壓源，所述芯電壓源高于所述外殼電壓源。
11.半導(dǎo)體清洗裝置，包括(1)可加熱的反應(yīng)芯；(2)用于把多個(gè)半導(dǎo)體晶片輸送到所述反應(yīng)芯中的晶片傳送器件，所述晶片傳送器件具有用于接收待清洗的第一組半導(dǎo)體晶片的第一狹縫部分，該部分與接收形成集電極的第二組半導(dǎo)體晶片的第二狹縫部分交替設(shè)置，所述第一狹縫部分可與第一電壓源相連，所述第二狹縫部分可與第二電壓源相連，所述第二電壓源的電壓電平低于所述第一電壓源的電壓電平。
12.反應(yīng)芯清洗裝置，包括(1)可加熱的反應(yīng)芯；(2)固定到所述反應(yīng)芯上并與第一芯電壓源相連的芯集電極；和(3)位于所述反應(yīng)芯中的導(dǎo)電元件，所述導(dǎo)電元件與至少第二電壓源相連，該電壓源的電壓電平高于所述芯電壓源的電壓電平。
13.如權(quán)利要求8或11的裝置，其中所述芯集電極被固定到所述反應(yīng)芯外面。
14.如權(quán)利要求11的裝置，其中所述芯集電極是由耐熱材料構(gòu)成和/或所述芯集電極是螺旋形。
15.如權(quán)利要求11的裝置，其中所述芯集電極可以是下列形狀中的一種柵格形、圓柱形和噴涂到反應(yīng)芯上的薄膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片傳送器件或船和包括晶片傳送裝置器件和可加熱的反應(yīng)芯的半導(dǎo)體清洗裝置。晶片傳送器件包括具有用于接收第一組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第一狹縫的第一單元和具有用于接收第二組半導(dǎo)體晶片的多個(gè)第二狹縫的第二單元。第一狹縫與第二狹縫交替設(shè)置。第一單元可與第一電壓源相連,第二單元可與第二電壓源相連。第二電壓源比第一電壓源負(fù)電性更強(qiáng)。一般情況下,第一組半導(dǎo)體晶片中具有將被去掉的雜質(zhì),第二組半導(dǎo)體晶片用于接收這些雜質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/304GK1202724SQ9811514
公開(kāi)日1998年12月23日 申請(qǐng)日期1998年6月5日 優(yōu)先權(quán)日1997年6月5日
發(fā)明者Y·津曼, A·拉維德, L·肖伊徹特, I·科爾赫馬, A·瑟爾吉恩克 申請(qǐng)人:西扎里有限公司