電子部件及其制法,以及其中使用的密封材料糊劑的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及在2塊透明基板之間內設有機元件或有機材料，其外周部采用含低熔 點玻璃的密封材料進行接合的電子部件。 現有技術
[0002] 在2塊透明基板之間內設有機元件或有機材料的電子部件中，為了從濕氣、水分 等保護這些有機元件或有機材料，采取將2塊透明基板的外周部用樹脂的密封材料進行接 合，再將干燥劑置于電子部件的內部等的對策。但是，采用樹脂的接合，阻氣性（氣密 性）不充分，水分子會逐漸浸透，無法得到充分的可靠性。另一方面，當采用低熔點玻璃 之密封材料時，可以得到阻氣性（氣密性）高的接合，但與樹脂的密封材料相比，接合溫 度顯著高，甚至超過電子部件內設的有機元件或有機材料的耐熱性。
[0003] 于是，提出了在局部可加熱的激光密封。作為密封材料，可以使用能氣密接合的 低熔點玻璃。該低熔點玻璃，其重要的是通過吸收所使用的激光而被加熱，發(fā)生軟化流動。 根據這樣的方法，因為僅加熱2塊透明基板的外周部，所以，不會對電子部件內設的有機 元件或有機材料帶來熱損傷，且可以產生阻氣性（氣密性）高的玻璃接合。
[0004] 對內設了有機發(fā)光二極管（OLED)的顯示裝置等來說，使外周部預燒成密封材料 的玻璃基板與另一形成OLED的玻璃基板重合，再透過玻璃基板照射激光，使密封材料中 的低熔點玻璃軟化流動，將2塊玻璃基板進行接合。專利文獻1提出了在OLED顯示裝置 中能將外周部用激光進行接合的密封材料。該密封材料中包含：能夠利用激光進行加熱的 V205-P205-Sb203系低熔點玻璃，以及用于使熱膨脹系數降低的鋰?錯?硅酸鹽-鋰霞石） 的填料粒子。還有，該低熔點玻璃中含有1( 20、？6203、2110、11023120 3、8203、103的任何一種， 轉變點Tg低于350°C。專利文獻2提出了適用與專利文獻1同樣的密封材料的玻璃組件。 密封材料中所含的低熔點玻璃也與專利文獻1同樣，在氧量比空氣少的低氧化氛圍氣中， 通過在玻璃基板外周部進行預燒成，以阻止3價或4價的釩離子向5價轉變，由此，防止 因激光照射所產生的軟化流動性劣化或激光密封后的接合部耐濕性或耐水性降低。
[0005] 現有技術文獻
[0006] 專利文獻
[0007] 專利交獻1:特許第4540669號公報
[0008] 專利文獻2:特許特開2008-527656號公報

【發(fā)明內容】

[0009] 發(fā)明要解決的課題
[0010] 上述密封材料，其中所含的V205-P205-Sb203系低熔點玻璃易引起反?；ńY晶 化），且產生反?；瘯r，因激光照射所形成的軟化流動性或粘合性會降低，因而，有必要在 更低溫花時間進行預燒成。通過提高激光輸出功率可以改善軟化流動性或粘合性，因此， 對電子部件內設的有機元件或有機材料施加的熱損傷可能性很大。此外，為了確保以激光 進行接合之后的耐濕性或耐水性，有必要于低氧氛圍氣中進行激光密封前的預燒成。
[0011] 于是，本發(fā)明的目的在于，可減低對電子部件內設的有機元件或有機材料的熱損 傷，且有效地制造可靠性較高的具有玻璃接合層的電子部件。
[0012] 用于解決課題的手段
[0013] 為了解決上述課題，本發(fā)明涉及的電子部件，其是在2塊透明基板之間具有有機 構件，將該2塊透明基板的外周部用含低熔點玻璃的密封材料進行接合的電子部件，其特 征在于，上述低熔點玻璃含有氧化釩、氧化碲、氧化鐵以及氧化磷，換算成氧化物，滿足下 式⑴及（2):
【主權項】
1. 電子部件，其是在2塊透明基板之間具有有機構件，將所述2塊透明基板的外周部 用含低熔點玻璃的密封材料進行接合的電子部件，其特征在于，所述低熔點玻璃含有氧化 釩、氧化碲、氧化鐵以及氧化磷，換算成氧化物，滿足下式（1)及（2): V205+Te02+Fe203+P 205蘭 90 質量％ ... (1) V205>Te02>Fe20 3>P205(質量％ )…（2)。
2. 按照權利要求1所述的電子部件，其特征在于，上述低熔點玻璃還含有氧化鎢、氧 化鉬、氧化錳、氧化鋅、氧化鋇、氧化鍶及氧化鈣之中的任何1種以上，換算成氧化物，滿足 下式（3): W03+Mo03+Mn02+Zn0+Ba0+Sr0+Ca0 蘭 10 質量％ …（3)。
3. 按照權利要求1或2中所述的電子部件，其特征在于，上述低熔點玻璃，換算成氧 化物，含有：V205為35?50質量％，1^0 2為20?35質量％，Fe 203為10?20質量％，P 205 為4?15質量％。
4. 按照權利要求1?3中任何一項所述的電子部件，其特征在于，通過對上述密封材 料照射處于400?IlOOnm波長范圍的激光，上述密封材料中所含的上述低熔點玻璃軟化 流動。
5. 按照權利要求1?4中任何一項所述的電子部件，其特征在于，上述低熔點玻璃的 轉變點為350°C以下以及軟化點為410°C以下。
6. 按照權利要求1?5中任何一項所述的電子部件，其特征在于，上述低熔點玻璃的 30?250°C的熱膨脹系數為100X10_V°C以下。
7. 按照權利要求1?6中任何一項所述的電子部件，其特征在于，上述密封材料中 含有填料粒子，所述填料粒子是磷酸鎢酸鋯（Zr 2(WO4) (PO4)2)、氧化鈮（Nb2O5)、β-鋰霞石 (LiAlSiO 4)之中的1種以上。
8. 按照權利要求7所述的電子部件，其特征在于，上述填料粒子是磷酸鎢酸鋯 (Zr2(TO4) (PO4)2),還含有鎢酸鐵（FeTO4)及磷酸鋯（(ZrO(PO 4))2。
9. 按照權利要求7或8中所述的電子部件，其特征在于，上述填料粒子的含量相對上 述低熔點玻璃100體積份為35體積份以下。
10. 按照權利要求1?9中任何一項所述的電子部件，其特征在于，接合上述2塊透 明基板外周部的上述密封材料的厚度為20 μπι以下。
11. 按照權利要求1?9中任何一項所述的電子部件，其特征在于，上述2塊透明基 板的間隔為100 μπι以上，上述