薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置是用于顯示圖像的裝置。近來，有機(jī)發(fā)光顯示裝置已經(jīng)引起關(guān)注。
[0003]有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有自發(fā)光特性而不需要單獨(dú)的光源，這不同于需要單獨(dú)的光源的液晶顯示器件。因此，與液晶顯示器件相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的厚度和重量可以被減小。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置表現(xiàn)出高清晰度特性，諸如低功耗、高亮度和高反應(yīng)速度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本公開的實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面指向一種薄膜晶體管陣列基板，在該薄膜晶體管陣列基板上可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示裝置。
[0005]附加的方面將在隨后的描述中部分地闡述，并將部分地由該描述而變得明顯，或者可以通過實(shí)踐給出的實(shí)施方式而掌握。
[0006]根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，一種薄膜晶體管(TFT)陣列基板包括:第一薄膜晶體管，包括第一有源層、柵電極、第一源電極和第一漏電極；第二薄膜晶體管，包括第二有源層、浮置柵電極、控制柵電極、第二源電極和第二漏電極；電容器，包括第一電極和頂電極；以及蓋層，接觸第一電極的一部分，蓋層和頂電極在相同的層上。
[0007]該TFT陣列基板還可以包括:第一絕緣層，在第一有源層和柵電極之間以及在第二有源層和浮置柵電極之間；以及第二絕緣層，在浮置柵電極和控制柵電極之間。
[0008]電容器的第一電極和柵電極可以在相同的層上，電容器的頂電極和控制柵電極可以在相同的層上。
[0009]第一電極可以包括低電阻率材料。
[0010]低電阻率材料可以包括鋁合金。
[0011]蓋層可以包括鑰。
[0012]第二絕緣層可以在電容器的第一電極和第二電極之間，蓋層可以通過第二絕緣層中的接觸孔電連接到第一電極。
[0013]第一絕緣層和第二絕緣層可以每個(gè)包括無機(jī)絕緣材料、有機(jī)絕緣材料、或無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料交替的結(jié)構(gòu)。
[0014]高介電常數(shù)材料可以被包括在電容器的第一電極和第二電極之間的至少一部分中。
[0015]TFT陣列基板還可以包括通過接觸孔電連接到蓋層的連接互連層。
[0016]根據(jù)本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，一種制造TFT陣列基板的方法包括:形成第一 TFT的第一有源層和第二 TFT的第二有源層；形成第一有源層之上的柵電極、第二有源層之上的浮置柵電極、以及電容器的第一電極；以及形成浮置柵電極之上的控制柵電極、第一電極之上的頂電極、以及接觸第一電極的一部分的蓋層。
[0017]該制造方法還可以包括:在第一有源層和柵電極之間以及在第二有源層和浮置柵電極之間形成第一絕緣層；以及在浮置柵電極和控制柵電極之間形成第二絕緣層。
[0018]該制造方法還可以包括:在形成柵電極和浮置柵電極與形成控制柵電極之間摻雜并熱處理第一有源層和第二有源層。
[0019]第一電極可以包括低電阻率材料，低電阻率材料可以包括鋁合金。
[0020]蓋層可以包括鑰。
[0021]形成第二絕緣層可以包括在電容器的底電極和頂電極之間形成第二絕緣層，形成蓋層可以包括:在第二絕緣層中形成暴露第一電極的一部分的第一接觸孔；以及形成蓋層，該蓋層通過形成在第二絕緣層中的第一接觸孔電連接到第一電極。
[0022]該制造方法還可以包括:在蓋層上形成第三絕緣層；在第三絕緣層中形成暴露蓋層的一部分的第二接觸孔；以及形成通過第二接觸孔電連接到蓋層的連接線。
[0023]形成第二接觸孔可以包括:在第三絕緣層上涂覆光致抗蝕劑材料；干蝕刻光致抗蝕劑材料以形成第二接觸孔；以及清潔第二接觸孔。
[0024]在形成暴露第一電極的一部分的第一接觸孔的同時(shí)或之后，該方法還可以包括:在第二絕緣層中形成暴露第一電極的另一部分的開口 ；以及在形成蓋層之前，在開口中形成高介電常數(shù)材料層。
【附圖說明】
[0025]通過參照以下與附圖一起考慮的描述，這些和/或其他的方面將變得明顯并更易于理解，附圖中:
[0026]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置的像素的等效電路圖；
[0027]圖2是示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的圖1的像素的示意性平面圖；
[0028]圖3是圖2的薄膜晶體管陣列基板沿線A-A’和B_B’截取的示意性截面圖；
[0029]圖4是示意地示出根據(jù)本公開的實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的制造工藝的流程圖；
[0030]圖5至圖9是示意地示出圖2所示的薄膜晶體管陣列基板的制造工藝的截面圖；
[0031]圖10是示出根據(jù)摻雜和熱處理的薄層電阻值變化的圖形；以及
[0032]圖11是示意地示出根據(jù)本公開另一實(shí)施方式的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]現(xiàn)在將參照某些實(shí)施方式，其示例在附圖中示出，其中相同的附圖標(biāo)記始終指示相同的元件，一些重復(fù)的解釋沒有被提供。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到的，所描述的實(shí)施方式可以以多種方式修改并可以具有不同的形式，而不應(yīng)被解釋為進(jìn)行限制。因此，下面通過參照附圖描述了實(shí)施方式，僅用于解釋本描述的各方面。
[0034]將理解，盡管這里可以使用術(shù)語“第一”、“第二”等來描述各種部件，但是這些部件不應(yīng)受到這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)部件與另一部件區(qū)分開。如這里所用的，單數(shù)形式“一”和“該”旨在也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另外清楚地指示。
[0035]還將理解，這里使用的術(shù)語“包括”和/或“包含”指定所述特征或部件的存在，但并不排除一個(gè)或多個(gè)其他特征或部件的存在或添加。
[0036]將理解，當(dāng)一層、區(qū)域或部件被稱為“在”另一層、區(qū)域或部件“上”或“形成在”另一層、區(qū)域或部件“上”時(shí)，它可以直接在另一層、區(qū)域或部件上，或者間接地在另一層、區(qū)域或部件上或間接地形成在另一層、區(qū)域或部件上而有一個(gè)或多個(gè)居間元件位于其間。例如，可以存在居間的層、區(qū)域或部件。
[0037]為了解釋的方便，附圖中的元件的尺寸可以被夸大。換句話說，由于為了解釋的方便，在附圖中的部件的尺寸和厚度可以被任意地示出，所以以下實(shí)施方式不限于此。
[0038]當(dāng)某一實(shí)施方式可以被不同地實(shí)施時(shí)，具體的工藝次序可以與所描述的次序不同地執(zhí)行。例如，兩個(gè)接連描述的工藝可以被同時(shí)(或基本上同時(shí))執(zhí)行，或按照與所描述的次序相反的次序執(zhí)行。
[0039]如這里所用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
當(dāng)諸如“......中的至少一個(gè)”的表述在一列元件之前時(shí)，修飾元件的整個(gè)列表而不修飾該列表中的各個(gè)元件。此外，當(dāng)描述本公開的實(shí)施方式時(shí)使用“可以”指的是本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式。
[0040]圖1是根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置的像素的等效電路圖。
[0041]根據(jù)本公開的實(shí)施方式的顯示裝置的像素I包括像素電路2，像素電路2包括多個(gè)薄膜晶體管(TFT)Tl至T6和存儲(chǔ)電容器Cst。像素I還包括通過像素電路2接收驅(qū)動(dòng)電流并發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。
[0042]多個(gè)TFT Tl至T6是第一至第六TFT。
[0043]像素I包括傳送第一掃描信號(hào)Sn到第二 TFT T2和第三TFT T3的第一掃描線SLn以及傳送第二掃描信號(hào)Sn-1 (其是前一掃描信號(hào))到第四TFT T4的第二掃描線SLn-1。像素I還包括傳送發(fā)射控制信號(hào)EMn到第五TFT T5和第六TFT T6的發(fā)射控制線EMLn以及與第一掃描線SLn交叉并傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線DLm。像素I還包括幾乎與數(shù)據(jù)線DLm平行地(或基本上平行地)形成并傳送第一電源電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線PL以及傳送用于初始化第一 TFT Tl的初始化電壓VINT的初始化電壓線VL。
[0044]第一 TFT Tl的柵電極Gl連接到電容器Cst的第一電極Cstl。第一 TFTTl的源電極SI經(jīng)由第五TFT T5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL。第一 TFT Tl的漏電極Dl經(jīng)由第六TFT T6電連接到OLED的陽極電極。第一 TFT Tl根據(jù)第二 TFT T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm以提供驅(qū)動(dòng)電流1led到0LED。
[0045]第二 TFT T2的柵電極G2連接到第一掃描線SLn。第二 TFT T2的源電極S2連接到數(shù)據(jù)線DLm。第二 TFT T2的漏電極D2連接到第一 TFT Tl的源電極SI，并經(jīng)由第五TFTT5連接到驅(qū)動(dòng)電壓線PL。第二 TFT T2根據(jù)通過第一掃描線SLn接收的第一掃描信號(hào)Sn而導(dǎo)通，并執(zhí)行將通過數(shù)據(jù)線DLm接收的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm傳送到第一 TFT Tl的源