DT的有源層31在(例如，形成在)陣列基板100上，第一絕緣層GIl在(例如，形成在)有源層11和31上。輔助層101還可以在(例如，形成在)陣列基板100上。
[0120]然后，第一導(dǎo)電配線在(例如，形成在)第一絕緣層GIl上。第一導(dǎo)電配線可以包括開關(guān)TFT ST的柵電極13、驅(qū)動(dòng)TFT DT的浮置柵電極33和電容器Cst的底電極51。第一導(dǎo)電配線可以形成為包括諸如鋁(Al)、鋁合金(Al合金)或銅(Cu)的低阻抗材料(例如，低電阻率材料)的單層或多層的結(jié)構(gòu)，但是本公開不限于此。
[0121]在形成第一導(dǎo)電配線之后，有源層11和31被摻雜和熱處理。
[0122]然后，第二絕緣層GI2形成在陣列基板100上，暴露電容器Cst的底電極51的一部分的接觸孔Hl形成在第二絕緣層GI2中。此外，在形成接觸孔Hl的同時(shí)(或基本上同時(shí))或在形成接觸孔Hl之后，通過去除在對(duì)應(yīng)于頂電極55的區(qū)域中的第二絕緣層GI2而形成暴露電容器Cst的底電極51的一部分的開口 70。
[0123]然后，通過掩模工藝在開口 70中沉積并圖案化高介電常數(shù)(高K)材料諸如Zr02、HfO3和Y2O3而形成高介電常數(shù)層71，但是本公開不限于此。高介電常數(shù)層71在熱處理中的高溫在器件特性上沒有(或基本上沒有)變化，并可以防止(或減少)電流泄漏。因此，電容器Cst的特性變得優(yōu)良。
[0124]然后，第二導(dǎo)電配線形成在第二絕緣層GI2和高介電常數(shù)層71上。第二導(dǎo)電配線可以包括驅(qū)動(dòng)TFT DT的控制柵電極35、蓋層53和電容器Cst的頂電極55。第二導(dǎo)電配線可以被形成為具有單層或多層的結(jié)構(gòu)并包含從鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、.(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)和銅(Cu)中選擇的一種或多種金屬，但是本公開不限于此。
[0125]然后，第三絕緣層102形成在其上形成有第二導(dǎo)電配線的陣列基板100上。此外，多個(gè)接觸孔41、42、43和49形成在第三絕緣層102中并被清潔。然后，通過填充多個(gè)接觸孔41、42、43和49在第三絕緣層102上形成連接構(gòu)件40。開關(guān)TFT ST的漏電極lid、驅(qū)動(dòng)TFT DT的控制柵電極35和電容器Cst的底電極51通過連接構(gòu)件40電連接。
[0126]通過應(yīng)用低阻抗配線以提供適于高分辨率顯示裝置的基板并在低阻抗配線上形成蓋層，根據(jù)以上描述的實(shí)施方式的TFT陣列基板可以最小化(或減少)由于適于形成基板的熱處理、清潔和接觸孔干蝕刻工藝對(duì)低阻抗配線的損傷。
[0127]以上描述的實(shí)施方式不限于以上描述的像素結(jié)構(gòu)，可以應(yīng)用于采用低阻抗配線(或其中包括低阻抗配線)的任何適當(dāng)?shù)南袼亟Y(jié)構(gòu)。每個(gè)像素可以包括多個(gè)TFT以及一個(gè)或多個(gè)電容器。像素可以具有進(jìn)一步形成的單獨(dú)的配線并可以通過省略現(xiàn)有的配線而形成為具有各種結(jié)構(gòu)。
[0128]根據(jù)以上描述的實(shí)施方式的TFT陣列基板不限于包括上述有機(jī)發(fā)光器件的OLED顯示裝置，可以應(yīng)用于包括例如液晶顯示裝置的各種顯示裝置。
[0129]如上所述，根據(jù)本公開的以上實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面，能夠制造應(yīng)用了低電阻互連并耐受熱處理和清潔的薄膜晶體管陣列基板。
[0130]應(yīng)當(dāng)理解，這里所述的示范實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為僅是描述性的含義，而不是為了限制的目的。對(duì)每個(gè)實(shí)施方式中的特征或方面的描述應(yīng)當(dāng)通常被認(rèn)為可適用于其他實(shí)施方式中的類似的特征或方面。
[0131]雖然已經(jīng)參照附圖描述了本公開的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變，而沒有背離由權(quán)利要求及其等同物所限定的本公開的精神和范圍。
[0132]本申請(qǐng)要求于2013年10月16日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2013-0123594的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括: 第一薄膜晶體管，包括第一有源層、柵電極、第一源電極和第一漏電極； 第二薄膜晶體管，包括第二有源層、浮置柵電極、控制柵電極、第二源電極和第二漏電極； 電容器，包括第一電極和第二電極；以及 蓋層，接觸所述第一電極的一部分，所述蓋層和所述第二電極在相同的層上。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，還包括: 第一絕緣層，在所述第一有源層和所述柵電極之間以及在所述第二有源層和所述浮置柵電極之間；以及 第二絕緣層，在所述浮置柵電極和所述控制柵電極之間。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述電容器的第一電極和所述柵電極在相同的層上，所述電容器的第二電極和所述控制柵電極在相同的層上。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一電極包括低電阻率材料。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述低電阻率材料包括鋁合金。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述蓋層包括鑰。
7.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第二絕緣層在所述電容器的第一電極和第二電極之間，所述蓋層通過所述第二絕緣層中的接觸孔電連接到所述第一電極。
8.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一絕緣層和第二絕緣層每個(gè)包括無機(jī)絕緣材料、有機(jī)絕緣材料、或無機(jī)絕緣材料和有機(jī)絕緣材料交替的結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，還包括在所述電容器的第一電極和第二電極之間的至少一部分中的高介電常數(shù)材料。
10.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，還包括通過接觸孔電連接到所述蓋層的連接構(gòu)件。
11.一種制造薄膜晶體管陣列基板的方法，該方法包括: 形成第一薄膜晶體管的第一有源層和第二薄膜晶體管的第二有源層； 形成所述第一有源層之上的柵電極、所述第二有源層之上的浮置柵電極和電容器的第一電極；以及 形成所述浮置柵電極之上的控制柵電極、所述第一電極之上的第二電極以及接觸所述第一電極的一部分的蓋層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在所述第一有源層和所述柵電極之間以及在所述第二有源層和所述浮置柵電極之間形成第一絕緣層；以及 在所述浮置柵電極和所述控制柵電極之間形成第二絕緣層。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括在形成所述柵電極和所述浮置柵電極與形成所述控制柵電極之間摻雜并熱處理所述第一有源層和所述第二有源層。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一電極包括低電阻率材料。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述低電阻率材料包括鋁合金。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述蓋層包括鑰。
17.如權(quán)利要求12所述的方法，其中形成所述第二絕緣層包括在所述電容器的所述第一電極和所述第二電極之間形成所述第二絕緣層，以及 形成所述蓋層包括: 在所述第二絕緣層中形成第一接觸孔以暴露所述第一電極的一部分；以及形成蓋層，所述蓋層通過形成在所述第二絕緣層中的所述第一接觸孔電連接到所述第一電極。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括: 在所述蓋層上形成第三絕緣層； 在所述第三絕緣層中形成第二接觸孔以暴露所述蓋層的一部分；以及 形成通過所述第二接觸孔電連接到所述蓋層的連接構(gòu)件。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述第二接觸孔包括: 在所述第三絕緣層上涂覆光致抗蝕劑材料； 干蝕刻所述光致抗蝕劑材料以形成所述第二接觸孔；以及 清潔所述第二接觸孔。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中在形成所述第一接觸孔以暴露所述第一電極的一部分的同時(shí)或之后，該方法還包括:在所述第二絕緣層中形成開口以暴露所述第一電極的另一部分，以及 在形成所述蓋層之前，在所述開口中形成高介電常數(shù)材料層。
【專利摘要】本申請(qǐng)公開了薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。該薄膜晶體管陣列基板包括：第一薄膜晶體管，包括第一有源層、柵電極、第一源電極和第一漏電極；第二薄膜晶體管，包括第二有源層、浮置柵電極、控制柵電極、第二源電極和第二漏電極；電容器，包括第一電極和第二電極；以及蓋層，接觸第一電極的一部分，蓋層和第二電極在相同的層上。
【IPC分類】H01L21-77, H01L27-12
【公開號(hào)】CN104576653
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410543622
【發(fā)明人】李旺宇, 高武恂, 金度衡, 禹珉宇, 李一正, 李正浩, 樸永佑
【申請(qǐng)人】三星顯示有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2014年10月15日
【公告號(hào)】US20150102349