發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管芯片為自發(fā)光性(self emiss1n)組件，且因具有體積小、無熱輻射、低消耗功率、壽命長以及反應(yīng)時間短(fast response time)的特性，而可廣泛的應(yīng)用于照明或顯示器等領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片的發(fā)光層僅能產(chǎn)生具有特定顏色與波長的光線。因此，若欲制作出與發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光線具有不同顏色的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，一般是于發(fā)光二極管上覆蓋熒光粉，且熒光粉可吸收發(fā)光層所產(chǎn)生的光線，并射出波長大于發(fā)光層所產(chǎn)生光線的波長的光線。借此，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)可通過混合發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光線與熒光粉所產(chǎn)生的光線來達(dá)到產(chǎn)生所欲顏色的光線。例如:利用藍(lán)光發(fā)光二極管搭配黃色熒光粉來產(chǎn)生白光。
[0004]然而，現(xiàn)有發(fā)光二極管芯片僅能產(chǎn)生具有特定顏色，因此其所產(chǎn)生的光線的色域(color gamut)并不廣。如此一來，由發(fā)光二極管芯片所產(chǎn)生的光線與熒光粉所產(chǎn)生的光線所混合出的光線的色域也不廣，以致于限制了發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光線的演色性。再者，發(fā)光層所產(chǎn)生的光線容易受到發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)限制而會有大量的耗損。例如:當(dāng)光線從發(fā)光二極管芯片射至空氣時會因折射率的差異而產(chǎn)生反射，以致于發(fā)光二極管芯片可視為波導(dǎo)管，而將光線局限于其中，使得光線被發(fā)光二極管芯片所吸收。或者，光線會局限于發(fā)光二極管芯片的表面并轉(zhuǎn)換為表面等離子體波，而無法射出。
[0005]有鑒于此，提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光線的演色性與亮度實為業(yè)界努力的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的主要目的在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，以提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光線的演色性與亮度。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包括一基板、一第一發(fā)光二極管以及一第二發(fā)光二極管。第一發(fā)光二極管設(shè)置在基板上，且包括一第一電極、一第一發(fā)光層以及一第二電極，依序堆疊于基板上，其中第一發(fā)光層受光激發(fā)產(chǎn)生具有一第一峰值波長的一第一光線，受電激發(fā)產(chǎn)生具有一第四峰值波長的一第四光線。第二發(fā)光二極管設(shè)置在鄰近第一發(fā)光二極管的基板上，第二發(fā)光二極管包括一第三電極、一第二發(fā)光層以及一第四電極，依序堆疊于基板上，其中第二發(fā)光層受電激發(fā)產(chǎn)生具有一第二峰值波長的一第二光線，且第一峰值波長大于第二峰值波長。
[0008]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光層于平行于所述基板的一方向上位于所述第一電極與所述第二電極之間。
[0009]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括緩沖層，設(shè)置在所述第三電極與所述基板之間。
[0010]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光層于所述方向上與所述第一發(fā)光層至少部分重疊。
[0011]優(yōu)選地，所述緩沖層具有一厚度，大于O納米且小于200納米。
[0012]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括多個散射粒子，散布于所述緩沖層內(nèi)，且所述第三電極包括透明導(dǎo)電材料。
[0013]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括反射層，設(shè)置在所述緩沖層與所述基板之間。
[0014]優(yōu)選地，所述第一電極包括不透明導(dǎo)電材料，且所述第二電極與所述第四電極包括透明導(dǎo)電材料。
[0015]優(yōu)選地，所述第一發(fā)光二極管還包括光轉(zhuǎn)換層，覆蓋于所述第二電極上，且所述光轉(zhuǎn)換層受光激發(fā)產(chǎn)生具有第三峰值波長的第三光線。
[0016]優(yōu)選地，所述第三峰值波長大于所述第一峰值波長。
[0017]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括緩沖層，設(shè)置在所述第三電極與所述基板之間。
[0018]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光層于平行于所述基板的方向上與所述光轉(zhuǎn)換層至少部分重疊，且所述第三峰值波長大于所述第二峰值波長。
[0019]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括多個散射粒子，散布于所述緩沖層內(nèi)，且所述第三電極包括透明導(dǎo)電材料。
[0020]優(yōu)選地，所述第二發(fā)光二極管還包括反射層，設(shè)置在所述緩沖層與所述基板之間。
[0021]優(yōu)選地，所述第一電極與所述第三電極包括透明導(dǎo)電材料，且所述第二電極與所述第四電極包括不透明導(dǎo)電材料。
[0022]優(yōu)選地，所述第一發(fā)光二極管還包括光轉(zhuǎn)換層，設(shè)置在所述第一電極與所述基板之間，且所述光轉(zhuǎn)換層受光激發(fā)產(chǎn)生具有第三峰值波長的第三光線。
[0023]本發(fā)明將可產(chǎn)生不同峰值波長光線的第一發(fā)光二極管與第二發(fā)光二極管設(shè)置在基板上，以橫向混合第一發(fā)光層所產(chǎn)生的第一光線與第四光線以及第二發(fā)光層所產(chǎn)生的第二光線，借此提升發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的光線的演色性。
【附圖說明】
[0024]圖1所示為本發(fā)明第一實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0025]圖2所示為本發(fā)明第二實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0026]圖3所示為本發(fā)明第三實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0027]圖4所示為本發(fā)明第四實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0028]圖5所示為本發(fā)明第五實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0029]圖6所示為本發(fā)明第六實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0030]圖7所示為本發(fā)明第七實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0031]圖8所示為本發(fā)明第八實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。
[0032]其中，附圖標(biāo)記說明如下:
[0033]100、200、300、400、500、600、700、800 發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
[0034]102基板
[0035]104第一發(fā)光二極管
[0036]106第二發(fā)光二極管
[0037]108第一電極
[0038]110第一發(fā)光層
[0039]112第二電極
[0040]114第三電極
[0041]116第二發(fā)光層
[0042]118第四電極
[0043]120電洞傳輸層
[0044]122電洞注入層
[0045]124電子傳輸層
[0046]126電子注入層
[0047]202、602緩沖層
[0048]302、702散射粒子
[0049]502、802光轉(zhuǎn)換層
[0050]LI第一光線
[0051]L2第二光線
[0052]L3第三光線
[0053]L4第四光線
【具體實施方式】
[0054]為使熟習(xí)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員能更進一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的多個優(yōu)選實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容。
[0055]請參考圖1，圖1所示為本發(fā)明第一實施例的橫向混光的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖視示意圖。如圖1所示，本實施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)100包括基板102、第一發(fā)光二極管104以及第二發(fā)光二極管106。第一發(fā)光二極管104與第二發(fā)光二極管106設(shè)置在基板102上，且第二發(fā)光二極管106鄰近第一發(fā)光二極管104設(shè)置?；?02可包括玻璃基板、塑料基板或娃晶圓，但不限于此。第一發(fā)光二極管104包括第一電極108、第一發(fā)光層110以及第二電極112,依序堆疊于基板102上。并且,第二發(fā)光二極管106包括第三電極114、第二發(fā)光層116以及第四電極118,依序堆疊于基板102上。于本實施例中，第一發(fā)光二極管104與第二發(fā)光二極管106可分別選擇性地還包括電洞傳輸層120、電洞注入層122、電子傳輸層124以及電子注入層126。舉例來說，當(dāng)?shù)谝浑姌O108與第三電極114分別為第一發(fā)光二極管104與第二發(fā)光二極管106的陽極時，電洞注入層122與電洞傳輸層120可依序堆疊于第一電極108上以及堆疊于第三電極114上,且電子傳輸層124與電子注入層126依序堆疊于第一發(fā)光層110上以及第二發(fā)光層116上。借此，電子與電洞可通過電洞傳輸層120、電洞注入層122、電子傳輸層124以及電子注入層126進入第一發(fā)光層110與第二發(fā)光層116中,進而提升第一發(fā)光層110與第二發(fā)光層116產(chǎn)生光線的亮度。于本發(fā)明的變化實施例中，第一電極與第二電極也可分別為第一發(fā)光二極管的陰極與陽極，且第三電極與第四電極并不限分別為第二發(fā)光二極管的陰極與陽極。并且，電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層以及電子傳輸層的位置可隨著第一發(fā)光二極管與第二發(fā)光二極管的陽極與陰極的位置來做相對應(yīng)調(diào)整已為所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知，因此在此不再贅述?；蛘?，第一發(fā)光二極管與第二發(fā)光二極管也可分別僅設(shè)置有電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層以及電子傳輸層的其中至少一者。此外，本發(fā)明的第一發(fā)光二極管與第二發(fā)光二極管的數(shù)量并不限于圖1所示，而可分別為至少一個。
[0056]于本實施例中，第一發(fā)光層110不僅可受光激發(fā)而產(chǎn)生具有一第一峰值波長的第一光線LI，還可受到電激發(fā)而產(chǎn)生具有一第四峰值波長的第四光線L4。其中，第一峰值波長可接近第四峰值波長