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      發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):8545329閱讀:435來(lái)源:國(guó)知局
      發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法
      【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)
      [0001]本申請(qǐng)是于2011年12月19日提交中國(guó)專(zhuān)利局、申請(qǐng)?zhí)枮?01110438718.5、發(fā)明名稱(chēng)為“發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)”的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
      技術(shù)領(lǐng)域
      [0002]本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),特別是指一種可提高發(fā)光效率的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
      【背景技術(shù)】
      [0003]光源為人類(lèi)生活中不可或缺,隨著技術(shù)的發(fā)展,具有更好照度及更省電的照明工具也逐漸應(yīng)運(yùn)而生。目前最常使用的照明光源為發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de,簡(jiǎn)稱(chēng)LED)。發(fā)光二極管為一種固態(tài)的半導(dǎo)體元件,利用電流通過(guò)二極管內(nèi)產(chǎn)生的兩種載子相互結(jié)合,將能量以光的形式釋放出來(lái)。發(fā)光二極管具有體積小、省電、發(fā)光效率佳、壽命長(zhǎng)、及操作反應(yīng)速度快,并且具有無(wú)熱輻射與水銀等有毒物質(zhì)的污染等優(yōu)點(diǎn),因此廣泛被應(yīng)用于各種范疇,尤其在提倡“節(jié)能減碳”的倡導(dǎo)訴求下,發(fā)光二極管的省電優(yōu)越性便開(kāi)始受到重視。在石化能源日漸短缺與環(huán)保意識(shí)高漲的今日,善用發(fā)光二極管已經(jīng)是各界關(guān)切的焦點(diǎn)。
      [0004]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)參閱圖1,現(xiàn)有的發(fā)光二極管包含一基板12,一第一半導(dǎo)體層14、一第二半導(dǎo)體層16與一導(dǎo)電層18,第一半導(dǎo)體層14設(shè)于基板12上方,第二半導(dǎo)體層16設(shè)于第一半導(dǎo)體層14上方,導(dǎo)電層18設(shè)于第二半導(dǎo)體層16上方。
      [0005]現(xiàn)有還包含一第一金屬電極22與一第二金屬電極24,第一金屬電極22是與η型的第一半導(dǎo)體層14形成歐姆接觸,以連接至外部電源的負(fù)極,第二金屬電極24則與P型的第二半導(dǎo)體層16上方的導(dǎo)電層18相連接,而第二金屬電極24連接至外部電源的正極。當(dāng)?shù)谝唤饘匐姌O22與第二金屬電極24通電時(shí),第一半導(dǎo)體層14與第二半導(dǎo)體層16之間將產(chǎn)生一發(fā)光層而發(fā)光,而光線將由第二半導(dǎo)體層16上方發(fā)散出去?,F(xiàn)有導(dǎo)電層18具有透明及導(dǎo)電的特性,用以將外部供應(yīng)的電流均勻分布,以避免電流集中產(chǎn)生的能耗,然而,現(xiàn)有發(fā)光二極管的第二金屬電極24并非透光的材質(zhì),故第二金屬電極24將吸收部分光線,如此則會(huì)影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      [0006]而為了提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率,故此現(xiàn)有技術(shù)還設(shè)置一絕緣件32,絕緣件32位于導(dǎo)電層18與第二半導(dǎo)體層16之間,用以遮蔽第二半導(dǎo)體層16位于第二金屬電極24的正下方所通過(guò)的電流,讓第二半導(dǎo)體層16其他位置所通電流增加,如此則會(huì)使第二金屬電極24的正下方的發(fā)光效率降低,而提升其他位置的發(fā)光效率。又,現(xiàn)有為了更提升發(fā)光效率,因此還設(shè)置至少一導(dǎo)電延伸件42,導(dǎo)電延伸件42設(shè)置于導(dǎo)電層18的上方并與第二金屬電極24相接設(shè)。如此可將通過(guò)第二金屬電極24的電流通過(guò)導(dǎo)電延伸件42而均勻分布,以提升發(fā)光效率。
      [0007]然而,導(dǎo)電延伸件42也并非透光的材質(zhì),因此使發(fā)光層于發(fā)光時(shí),由于導(dǎo)電延伸件42的設(shè)置造成吸收光線使得發(fā)光效率降低。且,現(xiàn)有技術(shù)還設(shè)置至少一絕緣延伸件34,絕緣延伸件34與絕緣件32相接設(shè),絕緣延伸件34位于導(dǎo)電層18與第二半導(dǎo)體層16之間,絕緣延伸件34用以遮蔽第二半導(dǎo)體層16位于導(dǎo)電延伸件42所通過(guò)的電流,絕緣延伸件34也會(huì)吸收光線造成降低發(fā)光效率。
      [0008]因此,本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其是不但可讓電流均勻的分布,并且可提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率,以解決上述的問(wèn)題。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0009]本發(fā)明的主要目的,在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其是通過(guò)至少一透光導(dǎo)電延伸件,以接于一導(dǎo)電層上方,如此可減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被吸收的情形,也可讓電流均勻分布,進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      [0010]本發(fā)明的次要目的,在于提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其是在第二半導(dǎo)體層上方設(shè)置一絕緣件,絕緣件則位于金屬電極下方,通過(guò)絕緣件以減少電流由金屬電極下方流通,如此以減少金屬電極下方的光線,以提升其他區(qū)域的光線,進(jìn)而還提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      [0011]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu),其包括基板;第一半導(dǎo)體層,位于基板上;第一金屬電極;第二半導(dǎo)體層,位于部分第一半導(dǎo)體層上,且第一金屬電極位于第二半導(dǎo)體層所暴露的第一半導(dǎo)體層上;導(dǎo)電層,位于第二半導(dǎo)體層上方;第二金屬電極,位于部分導(dǎo)電層上方,且導(dǎo)電層位于第二金屬電極及第二半導(dǎo)體層之間;以及至少一透光導(dǎo)電延伸件,至少位于導(dǎo)電層上,且至少一透光導(dǎo)電延伸件連接第二金屬電極。
      [0012]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括絕緣件,絕緣件位于第二半導(dǎo)體層上,第二金屬電極位于絕緣件上方,且導(dǎo)電層位于第二金屬電極及絕緣件之間。
      [0013]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的絕緣件的面積大于第二金屬電極的面積。
      [0014]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括一絕緣延伸件,絕緣延伸件位于第二半導(dǎo)體層上并與絕緣件連接,透光導(dǎo)電延伸件位于絕緣延伸件上方。
      [0015]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的絕緣延伸件的面積大于透光導(dǎo)電延伸件的面積。
      [0016]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括一反射件,反射件位于第二半導(dǎo)體層及絕緣件之間。
      [0017]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的透光導(dǎo)電延伸件的材料是選自鎳、金、鋁、銀、鉑、鉻、鈀、錫、鋅、鈦、鉛、鍺、銅及上述組任意組合的其中之一。
      [0018]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的透光導(dǎo)電延伸件設(shè)于第二金屬電極側(cè)邊。
      [0019]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的第二金屬電極位于透光導(dǎo)電延伸件上,且部分透光導(dǎo)電延伸件位于第二金屬電極及導(dǎo)電層之間。
      [0020]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的導(dǎo)電層為一透明導(dǎo)電層。
      [0021]在本發(fā)明的實(shí)施例中,上述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包括一反射件,反射件位于第二金屬電極及導(dǎo)電層之間。
      [0022]本發(fā)明具有的有益效果:本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含基板、第一半導(dǎo)體層、第一金屬電極、第二半導(dǎo)體層、導(dǎo)電層與第二金屬電極與至少透光導(dǎo)電延伸件,第一半導(dǎo)體層設(shè)于基板上方,第一金屬電極設(shè)于第一半導(dǎo)體層上方,第二半導(dǎo)體層設(shè)于第一半導(dǎo)體層上方并與第一金屬電極相鄰,導(dǎo)電層設(shè)于第二半導(dǎo)體層上方,第二金屬電極設(shè)于導(dǎo)電層上方,透光導(dǎo)電延伸件設(shè)于導(dǎo)電層上方并與第二金屬電極相接設(shè),透光導(dǎo)電延伸件的材料為一導(dǎo)電材料,且該透光導(dǎo)電延伸件的透光度大于10%,更佳者為透光度大于30%。通過(guò)透光導(dǎo)電延伸件可減少發(fā)光二極管所發(fā)的光線被吸收的情形,也可讓電流均勻分布,進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      [0023]另外,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)還包含絕緣件,絕緣件設(shè)于第二半導(dǎo)體層上方并與第二金屬電極相對(duì)。通過(guò)絕緣件可減少電流由第二金屬電極下方流通,以減少第二金屬電極下方的光線,并提升其他區(qū)域的光線,進(jìn)而還提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      【附圖說(shuō)明】
      [0024]圖1為現(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0025]圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0026]圖3為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0027]圖4為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0028]圖5為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0029]圖6為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0030]圖7為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0031]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
      [0032]12:基板;14:第一半導(dǎo)體層;
      [0033]16:第二半導(dǎo)體層;18:導(dǎo)電層;
      [0034]22:第一金屬電極;24:第二金屬電極;
      [0035]32:絕緣件;34:絕緣延伸件;
      [0036]42:導(dǎo)電延伸件;52:基板;
      [0037]54:第一半導(dǎo)體層;56:第二半導(dǎo)體層;
      [0038]58:導(dǎo)電層;62:第一金屬電極;
      [0039]64:第二金屬電極;72:透光導(dǎo)電延伸件;
      [0040]80:反射件;82:絕緣件;
      [0041]84:絕緣延伸件。
      【具體實(shí)施方式】
      [0042]為使對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí),用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說(shuō)明,說(shuō)明如下:
      [0043]圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)參閱圖2,本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)包含一基板52、一第一半導(dǎo)體層54、一第一金屬電極62、一第二半導(dǎo)體層56、一導(dǎo)電層58、一第二金屬電極64與至少一透光導(dǎo)電延伸件72,第一半導(dǎo)體層54設(shè)于基板52上方,第一金屬電極62設(shè)于第一半導(dǎo)體層54上方,第二半導(dǎo)體層56設(shè)于第一半導(dǎo)體層54上方并與第一金屬電極62相鄰,導(dǎo)電層58設(shè)于第二半導(dǎo)體層56上方,第二金屬電極64設(shè)于導(dǎo)電層58上方,透光導(dǎo)電延伸件72設(shè)于導(dǎo)電層58上方并與第二金屬電極64相接設(shè)。通過(guò)透光導(dǎo)電延伸件72可提高電流均勻分布,并降低透光導(dǎo)電延伸件72的遮蔽效應(yīng),進(jìn)而提高發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
      [0044]基板52可為藍(lán)寶石基板,藍(lán)寶石基板具有電氣絕緣性,第一半導(dǎo)體層54設(shè)于基板52上方,第一半導(dǎo)體層54可為η型半導(dǎo)體化合物層,例如為氮化鎵或氮化銦鎵。第二半導(dǎo)體層56設(shè)于第
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