發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光元件及其制造方法，尤其涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管（LightEmittingDiode,LED)是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍 的光電半導(dǎo)體元件。發(fā)光二極管以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動(dòng) 簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域。
[0003] 現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)一般包括相互間隔的兩電極，以及設(shè)置于電極上的發(fā) 光二極管芯片。兩電極一般通過(guò)蝕刻或者金屬印刷的方法制成，這種方法制成的兩電極之 間的間距最小僅能限定至0. 24_。而一些高精度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其發(fā)光二極管芯 片尺寸更小，具有這種間距的電極無(wú)法覆晶安裝更小尺寸的發(fā)光二極管芯片。故，需進(jìn)一步 改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，有必要提供一種具有更高精度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，或具有更小尺 寸的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及上述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
[0005] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括相互間隔的兩導(dǎo)電架、環(huán)繞該兩導(dǎo)電架的反射 杯、夾設(shè)于該兩導(dǎo)電架之間的絕緣層、收容于該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片及覆蓋該發(fā)光 二極管芯片的封裝層，還包括相互間隔的兩電極，每一電極對(duì)應(yīng)設(shè)置于一導(dǎo)電架上，所述兩 電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間的間距，所述發(fā)光二極管芯片與兩電極電連接。
[0006] -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟：形成相互間隔的兩導(dǎo)電架；成 型一反射杯環(huán)繞所述兩導(dǎo)電架，并形成一絕緣層夾設(shè)于該兩導(dǎo)電架之間；在所述絕緣層上 設(shè)置一遮擋層，該遮擋層的寬度小于該絕緣層的寬度；在所述兩導(dǎo)電架及絕緣層未被遮擋 層覆蓋的區(qū)域鍍上金屬，以形成相互間隔的兩電極，每一電極對(duì)應(yīng)設(shè)置于一導(dǎo)電架上，使得 該兩電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間的間距；在所述兩電極上設(shè)置一發(fā)光二極管芯片 與所述兩電極形成電性連接，所述發(fā)光二極管芯片收容于該反射杯內(nèi)；設(shè)置一封裝層覆蓋 該發(fā)光二極管芯片。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括相互間隔的兩導(dǎo)電架及 對(duì)應(yīng)設(shè)置在該兩導(dǎo)電架上相互間隔的兩電極，所述兩電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間 的間距，兩電極之間的間距比現(xiàn)有技術(shù)制成的電極的間距更小，使得所述兩電極適用于高 精度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
【附圖說(shuō)明】
[0008] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施方式提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0009] 圖2至圖6為圖1所示發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造步驟示意圖。
[0010] 主要元件符號(hào)說(shuō)明
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括相互間隔的兩導(dǎo)電架、環(huán)繞該兩導(dǎo)電架的反射杯、 夾設(shè)于該兩導(dǎo)電架之間的絕緣層、收容于該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片及覆蓋該發(fā)光二極 管芯片的封裝層，其特征在于：還包括相互間隔的兩電極，每一電極對(duì)應(yīng)設(shè)置于一導(dǎo)電架 上，所述兩電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間的間距，所述發(fā)光二極管芯片與兩電極電 連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述反射杯的底面與所述 兩導(dǎo)電架的底面齊平，每一導(dǎo)電架及其對(duì)應(yīng)的電極為不同的金屬材質(zhì)。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：每一導(dǎo)電架包括一本體部 及自本體部朝另一導(dǎo)電架方向凸伸的凸伸部，所述凸伸部的厚度小于該本體部的厚度。
4. 如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：每一凸伸部位于該導(dǎo)電架 頂面的一側(cè)，所述兩凸伸部相對(duì)設(shè)置形成一第一間隙，所述兩本體部相互間隔形成一第二 間隙，所述第一間隙的寬度小于該第二間隙的寬度。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述兩電極間隔形成一第 H間隙，所述第H間隙位于該絕緣層上，所述第H間隙的寬度小于該第一間隙的寬度。
6. 如權(quán)利要求1-5項(xiàng)中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述兩電 極之間的間距小于0. 1毫米。
7. -種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟： 形成相互間隔的兩導(dǎo)電架； 成型一反射杯環(huán)繞所述兩導(dǎo)電架，并形成一絕緣層夾設(shè)于該兩導(dǎo)電架之間； 在所述絕緣層上設(shè)置一遮擋層，該遮擋層的寬度小于該絕緣層的寬度； 在所述兩導(dǎo)電架上及絕緣層未被遮擋層覆蓋的區(qū)域鍛上金屬W形成相互間隔的兩電 極，每一電極對(duì)應(yīng)設(shè)置于一導(dǎo)電架上，使得該兩電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間的間 距； 在所述兩電極上設(shè)置一發(fā)光二極管芯片與所述兩電極形成電性連接，所述發(fā)光二極管 芯片收容于該反射杯內(nèi)；W及 設(shè)置一封裝層覆蓋該發(fā)光二極管芯片。
8. 如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于；所述反射杯及 絕緣層一體成型，所述反射杯的底面與所述兩導(dǎo)電架的底面齊平，每一導(dǎo)電架及其上對(duì)應(yīng) 的電極由不同的金屬材料制成，在形成相互間隔的兩電極之后且在設(shè)置該發(fā)光二極管芯片 之前還包括移除該遮擋層的步驟。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于；所述兩導(dǎo)電架 通過(guò)蝕刻和金屬印刷技術(shù)其中之一方法形成，每一導(dǎo)電架包括一本體部及自本體部朝另一 導(dǎo)電架方向凸伸的凸伸部，所述凸伸部的厚度小于該本體部的厚度，每一凸伸部位于該導(dǎo) 電架頂面的一側(cè)，所述兩凸伸部相對(duì)設(shè)置形成一第一間隙，所述兩本體部相互間隔形成一 第二間隙，所述第一間隙的寬度小于該第二間隙的寬度。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于；所述兩電極通 過(guò)金屬鍛層的方法對(duì)應(yīng)形成在該兩導(dǎo)電架上，所述兩電極間隔形成一第H間隙，所述第H 間隙位于該絕緣層上，所述第H間隙的寬度小于該第一間隙的寬度。
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括相互間隔的兩導(dǎo)電架、環(huán)繞該兩導(dǎo)電架的反射杯、夾設(shè)于該兩導(dǎo)電架之間的絕緣層、收容于該反射杯內(nèi)的發(fā)光二極管芯片及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，還包括相互間隔的兩電極，每一電極對(duì)應(yīng)設(shè)置于一導(dǎo)電架上，所述兩電極之間的間距小于該兩導(dǎo)電架之間的間距，所述發(fā)光二極管芯片與兩電極電連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括間隔的兩導(dǎo)電架及采用金屬鍍層技術(shù)對(duì)應(yīng)設(shè)置在該兩導(dǎo)電架上間隔的兩電極，兩電極之間的間距小于兩導(dǎo)電架之間的間距，兩電極之間的間距比傳統(tǒng)電極的間距更小，使得該兩電極適用于高精度的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還提供一種該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法。
【IPC分類】H01L33-62
【公開號(hào)】CN104576904
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201310480563
【發(fā)明人】林厚德, 葉輔湘, 張超雄, 陳濱全, 陳隆欣
【申請(qǐng)人】展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請(qǐng)日】2013年10月15日